IC統合回路 VP0808L-G
カテゴリー: | 離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET |
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FETの特徴: | - |
製品の状況: | アクティブ |
マウントタイプ: | 穴を抜ける |
Vgs(th) (最大) @ Id: | 4.5V @ 1mA |
カテゴリー: | 離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET |
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FETの特徴: | - |
製品の状況: | アクティブ |
マウントタイプ: | 穴を抜ける |
Vgs(th) (最大) @ Id: | 4.5V @ 1mA |
カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
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製品の状況: | アクティブ |
マウントタイプ: | 穴を抜ける |
パッケージ: | トューブ |
シリーズ: | - |
カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
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製品の状況: | アクティブ |
マウントタイプ: | 表面マウント |
パッケージ: | トューブ |
シリーズ: | - |
カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
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製品の状況: | アクティブ |
マウントタイプ: | 穴を抜ける |
パッケージ: | トューブ |
シリーズ: | - |
カテゴリー: | 離散半導体製品 ダイオード 矯正器 シングルダイオード |
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製品の状況: | アクティブ |
電流 - 逆流出 @ Vr: | 100 μA @ 1000V |
マウントタイプ: | 穴を抜ける |
電圧 - 前向き (Vf) (最大): | 3V @ 15A |
カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
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製品の状況: | アクティブ |
マウントタイプ: | 表面マウント |
パッケージ: | トューブ |
シリーズ: | - |
カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
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製品の状況: | アクティブ |
マウントタイプ: | 穴を抜ける |
パッケージ: | トューブ |
シリーズ: | - |
カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
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製品の状況: | アクティブ |
マウントタイプ: | 表面マウント |
パッケージ: | トューブ |
シリーズ: | - |
カテゴリー: | 離散半導体製品 ダイオード 矯正器 シングルダイオード |
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製品の状況: | アクティブ |
電流 - 逆流出 @ Vr: | 500 nA @ 400 V |
マウントタイプ: | 穴を抜ける |
電圧 - 前向き (Vf) (最大): | 1.3V @ 3A |
カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
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製品の状況: | アクティブ |
マウントタイプ: | 穴を抜ける |
パッケージ: | トューブ |
シリーズ: | - |
カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
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製品の状況: | アクティブ |
マウントタイプ: | 表面マウント |
パッケージ: | トューブ |
シリーズ: | - |
カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
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製品の状況: | アクティブ |
マウントタイプ: | 表面マウント |
パッケージ: | トューブ |
シリーズ: | - |
カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
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製品の状況: | アクティブ |
マウントタイプ: | 表面マウント |
パッケージ: | トューブ |
シリーズ: | - |
カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
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製品の状況: | アクティブ |
マウントタイプ: | 表面マウント |
パッケージ: | トューブ |
シリーズ: | - |
カテゴリー: | 離散半導体製品 ダイオード 矯正器 シングルダイオード |
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製品の状況: | アクティブ |
電流 - 逆流出 @ Vr: | 100 μA @ 100 V |
マウントタイプ: | 表面マウント |
電圧 - 前向き (Vf) (最大): | 690 mV @ 1 A |