IC統合回路 1N5712-1E3
カテゴリー: | 離散半導体製品 ダイオード 矯正器 シングルダイオード |
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製品の状況: | アクティブ |
電流 - 逆流出 @ Vr: | 150 nA @ 16 V |
マウントタイプ: | 穴を抜ける |
電圧 - 前向き (Vf) (最大): | 1V @ 35mA |
カテゴリー: | 離散半導体製品 ダイオード 矯正器 シングルダイオード |
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製品の状況: | アクティブ |
電流 - 逆流出 @ Vr: | 150 nA @ 16 V |
マウントタイプ: | 穴を抜ける |
電圧 - 前向き (Vf) (最大): | 1V @ 35mA |
カテゴリー: | 離散半導体製品 ダイオード 矯正器 シングルダイオード |
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製品の状況: | アクティブ |
電流 - 逆流出 @ Vr: | 150 nA @ 16 V |
マウントタイプ: | 表面マウント |
電圧 - 前向き (Vf) (最大): | 750 mV @ 35 mA |
カテゴリー: | 離散半導体製品 ダイオード 矯正器 シングルダイオード |
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製品の状況: | アクティブ |
電流 - 逆流出 @ Vr: | 10 μA @ 200 V |
マウントタイプ: | 表面マウント |
電圧 - 前向き (Vf) (最大): | 950 mV @ 5 A |
カテゴリー: | 離散半導体製品 ダイオード 矯正器 シングルダイオード |
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製品の状況: | アクティブ |
電流 - 逆流出 @ Vr: | 500 nA @ 75 V |
マウントタイプ: | 表面マウント |
電圧 - 前向き (Vf) (最大): | 1.2V @ 100mA |
カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
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メモリサイズ: | 4Kbit |
製品の状況: | アクティブ |
マウントタイプ: | 表面マウント |
パッケージ: | 散装品 |
カテゴリー: | 離散半導体製品 ダイオード 矯正器 シングルダイオード |
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製品の状況: | アクティブ |
電流 - 逆流出 @ Vr: | 400 μA @ 40 V |
マウントタイプ: | 表面マウント |
電圧 - 前向き (Vf) (最大): | 450 mV @ 1 A |
カテゴリー: | 離散半導体製品 ダイオード 矯正器 シングルダイオード |
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製品の状況: | アクティブ |
電流 - 逆流出 @ Vr: | 10 μA @ 20 V |
マウントタイプ: | 表面マウント |
電圧 - 前向き (Vf) (最大): | 530 mV @ 1 A |
カテゴリー: | 離散半導体製品 ダイオード 矯正器 シングルダイオード |
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製品の状況: | アクティブ |
電流 - 逆流出 @ Vr: | 1mA @ 50V |
マウントタイプ: | 表面マウント |
電圧 - 前向き (Vf) (最大): | 580 mV @ 1 A |
カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
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製品の状況: | アクティブ |
マウントタイプ: | 表面マウント |
パッケージ: | テープ&ロール (TR) 切断テープ (CT) Digi-Reel® |
シリーズ: | - |
カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
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製品の状況: | アクティブ |
マウントタイプ: | 表面マウント |
パッケージ: | トューブ |
シリーズ: | - |
カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
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製品の状況: | アクティブ |
マウントタイプ: | 表面マウント |
パッケージ: | トューブ |
シリーズ: | - |
カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
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製品の状況: | アクティブ |
マウントタイプ: | 穴を抜ける |
パッケージ: | トューブ |
シリーズ: | - |
カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
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製品の状況: | アクティブ |
マウントタイプ: | 表面マウント |
パッケージ: | トューブ |
シリーズ: | - |