| Catégorie: | Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS |
|---|---|
| Type de FET: | N-canal |
| Caractéristique de FET: | - |
| Statut du produit: | Actif |
| Type de montage: | À travers le trou |
| Catégorie: | Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS |
|---|---|
| Type de FET: | N-canal |
| Caractéristique de FET: | - |
| Statut du produit: | Actif |
| Type de montage: | À travers le trou |
| Catégorie: | Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS |
|---|---|
| Type de FET: | N-canal |
| Caractéristique de FET: | - |
| Statut du produit: | Actif |
| Type de montage: | Monture de surface |
| Catégorie: | Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS |
|---|---|
| Type de FET: | N-canal |
| Caractéristique de FET: | - |
| Statut du produit: | Actif |
| Type de montage: | À travers le trou |
| Catégorie: | Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS |
|---|---|
| Caractéristique de FET: | - |
| Vgs(th) (maximum) @ Id: | 5V @ 1mA |
| Température de fonctionnement: | -55°C | 150°C (TJ) |
| Emballage / boîtier: | Pour les appareils de traitement de l'air, le système d'échantillonnage est le suivant: |
| Catégorie: | Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS |
|---|---|
| Type de FET: | N-canal |
| Caractéristique de FET: | - |
| Statut du produit: | Actif |
| Type de montage: | À travers le trou |
| Catégorie: | Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS |
|---|---|
| Type de FET: | N-canal |
| Caractéristique de FET: | - |
| Statut du produit: | Actif |
| Type de montage: | Monture de surface |
| Catégorie: | Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS |
|---|---|
| Caractéristique de FET: | - |
| Vgs(th) (maximum) @ Id: | 5V @ 2,5mA |
| Température de fonctionnement: | -55°C | 150°C (TJ) |
| Emballage / boîtier: | Pour les produits de base, les prix sont les suivants: |
| Catégorie: | Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS |
|---|---|
| Type de FET: | N-canal |
| Caractéristique de FET: | - |
| Statut du produit: | Actif |
| Type de montage: | Monture de surface |
| Catégorie: | Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS |
|---|---|
| Caractéristique de FET: | - |
| Vgs(th) (maximum) @ Id: | 5V @ 2,5mA |
| Température de fonctionnement: | -55°C | 150°C (TJ) |
| Emballage / boîtier: | TO-247-3 Variante |
| Catégorie: | Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS |
|---|---|
| Caractéristique de FET: | - |
| Vgs(th) (maximum) @ Id: | 5V @ 2,5mA |
| Température de fonctionnement: | -55°C | 150°C (TJ) |
| Emballage / boîtier: | Pour les produits de base, les prix sont les suivants: |
| Catégorie: | Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS |
|---|---|
| Type de FET: | N-canal |
| Caractéristique de FET: | - |
| Statut du produit: | Actif |
| Type de montage: | À travers le trou |
| Catégorie: | Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS |
|---|---|
| Caractéristique de FET: | - |
| Vgs(th) (maximum) @ Id: | 5V @ 2,5mA |
| Température de fonctionnement: | -55°C | 150°C (TJ) |
| Emballage / boîtier: | Pour les produits de base, les prix sont les suivants: |
| Catégorie: | Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS |
|---|---|
| Caractéristique de FET: | - |
| Vgs(th) (maximum) @ Id: | 5V @ 1mA |
| Température de fonctionnement: | -55°C | 150°C (TJ) |
| Emballage / boîtier: | Pour les appareils de traitement de l'air, le système d'échantillonnage est le suivant: |
| Catégorie: | Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS |
|---|---|
| Caractéristique de FET: | - |
| Vgs(th) (maximum) @ Id: | 4V @ 1mA |
| Température de fonctionnement: | -55°C | 150°C (TJ) |
| Emballage / boîtier: | TO-263-3, ² PAK (2 avances + étiquettes) de D, TO-263AB |
