| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales |
|---|---|
| Tipo de FET: | N-canal |
| Característica del FET: | - |
| Estado del producto: | Actividad |
| Tipo de montaje: | A través del agujero |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales |
|---|---|
| Tipo de FET: | N-canal |
| Característica del FET: | - |
| Estado del producto: | Actividad |
| Tipo de montaje: | A través del agujero |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales |
|---|---|
| Tipo de FET: | N-canal |
| Característica del FET: | - |
| Estado del producto: | Actividad |
| Tipo de montaje: | Montura de la superficie |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales |
|---|---|
| Tipo de FET: | N-canal |
| Característica del FET: | - |
| Estado del producto: | Actividad |
| Tipo de montaje: | A través del agujero |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales |
|---|---|
| Característica del FET: | - |
| Vgs(th) (máximo) @ Id: | 5V @ 1mA |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Envase / estuche: | El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de ef |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales |
|---|---|
| Tipo de FET: | N-canal |
| Característica del FET: | - |
| Estado del producto: | Actividad |
| Tipo de montaje: | A través del agujero |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales |
|---|---|
| Tipo de FET: | N-canal |
| Característica del FET: | - |
| Estado del producto: | Actividad |
| Tipo de montaje: | Montura de la superficie |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales |
|---|---|
| Característica del FET: | - |
| Vgs(th) (máximo) @ Id: | 5 V @ 2,5 mA |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Envase / estuche: | Se trata de una serie de medidas de control de la seguridad. |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales |
|---|---|
| Tipo de FET: | N-canal |
| Característica del FET: | - |
| Estado del producto: | Actividad |
| Tipo de montaje: | Montura de la superficie |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales |
|---|---|
| Característica del FET: | - |
| Vgs(th) (máximo) @ Id: | 5 V @ 2,5 mA |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Envase / estuche: | TO-247-3 Variante |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales |
|---|---|
| Característica del FET: | - |
| Vgs(th) (máximo) @ Id: | 5 V @ 2,5 mA |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Envase / estuche: | Se trata de una serie de medidas de control de la seguridad. |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales |
|---|---|
| Tipo de FET: | N-canal |
| Característica del FET: | - |
| Estado del producto: | Actividad |
| Tipo de montaje: | A través del agujero |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales |
|---|---|
| Característica del FET: | - |
| Vgs(th) (máximo) @ Id: | 5 V @ 2,5 mA |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Envase / estuche: | Se trata de una serie de medidas de control de la seguridad. |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales |
|---|---|
| Característica del FET: | - |
| Vgs(th) (máximo) @ Id: | 5V @ 1mA |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Envase / estuche: | El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de ef |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales |
|---|---|
| Característica del FET: | - |
| Vgs(th) (máximo) @ Id: | 4V @ 1mA |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Envase / estuche: | TO-263-3, ² Pak (2 ventajas + etiquetas) de D, TO-263AB |
