| Catégorie: | Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS |
|---|---|
| Caractéristique de FET: | Mode d'épuisement |
| Statut du produit: | Actif |
| Type de montage: | Monture de surface |
| Vgs(th) (maximum) @ Id: | - |
| Catégorie: | Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS |
|---|---|
| Caractéristique de FET: | - |
| Statut du produit: | Actif |
| Type de montage: | Monture de surface |
| Vgs(th) (maximum) @ Id: | 2V @ 1mA |
| Catégorie: | Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS |
|---|---|
| Caractéristique de FET: | - |
| Statut du produit: | Actif |
| Type de montage: | Monture de surface |
| Vgs(th) (maximum) @ Id: | 2.5V @ 250µA |
| Catégorie: | Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS |
|---|---|
| Caractéristique de FET: | - |
| Vgs(th) (maximum) @ Id: | 2.8V @ 1mA |
| Température de fonctionnement: | -55°C à 175°C (TJ) |
| Emballage / boîtier: | Module |
| Catégorie: | Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS |
|---|---|
| Caractéristique de FET: | - |
| Vgs(th) (maximum) @ Id: | 2.7V @ 4,5 mA (type) |
| Température de fonctionnement: | -55°C à 175°C (TJ) |
| Emballage / boîtier: | TO-247-3 |
| Catégorie: | Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS |
|---|---|
| Type de FET: | N-canal |
| Caractéristique de FET: | - |
| Statut du produit: | Actif |
| Type de montage: | Montage sur châssis |
| Catégorie: | Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS |
|---|---|
| Type de FET: | N-canal |
| Caractéristique de FET: | - |
| Statut du produit: | Actif |
| Type de montage: | Montage sur châssis |
| Catégorie: | Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS |
|---|---|
| Type de FET: | N-canal |
| Caractéristique de FET: | - |
| Statut du produit: | Actif |
| Type de montage: | Montage sur châssis |
| Catégorie: | Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS |
|---|---|
| Caractéristique de FET: | - |
| Vgs(th) (maximum) @ Id: | 4V @ 1mA |
| Température de fonctionnement: | -55°C | 150°C (TJ) |
| Emballage / boîtier: | TO-247-3 |
| Catégorie: | Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS |
|---|---|
| Caractéristique de FET: | - |
| Vgs(th) (maximum) @ Id: | 5V @ 1mA |
| Température de fonctionnement: | -55°C | 150°C (TJ) |
| Emballage / boîtier: | TO-247-3 |
| Catégorie: | Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS |
|---|---|
| Type de FET: | N-canal |
| Caractéristique de FET: | - |
| Statut du produit: | Actif |
| Type de montage: | À travers le trou |
| Catégorie: | Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS |
|---|---|
| Caractéristique de FET: | - |
| Vgs(th) (maximum) @ Id: | 3Pour les appareils à commande numérique |
| Température de fonctionnement: | -55°C | 150°C (TJ) |
| Emballage / boîtier: | Pour les appareils de traitement de l'air, le système d'échantillonnage est le suivant: |
| Catégorie: | Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS |
|---|---|
| Caractéristique de FET: | - |
| Vgs(th) (maximum) @ Id: | 5V @ 1mA |
| Température de fonctionnement: | -55°C | 150°C (TJ) |
| Emballage / boîtier: | Pour les appareils de traitement de l'air, le système d'échantillonnage est le suivant: |
| Catégorie: | Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS |
|---|---|
| Caractéristique de FET: | - |
| Vgs(th) (maximum) @ Id: | 5V @ 30mA |
| Température de fonctionnement: | -40°C | 150°C (TJ) |
| Emballage / boîtier: | SP6 |
| Catégorie: | Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS |
|---|---|
| Caractéristique de FET: | - |
| Vgs(th) (maximum) @ Id: | 2.7V @ 2mA |
| Température de fonctionnement: | -55°C à 175°C (TJ) |
| Emballage / boîtier: | TO-247-3 |
