IC 통합 회로 DN2530N8-G
분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET |
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FET 특징: | 고갈 모드 |
제품 상태: | 액티브 |
장착형: | 표면 마운트 |
Id에 있는 Vgs(th) (맥스): | - |
분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET |
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FET 특징: | 고갈 모드 |
제품 상태: | 액티브 |
장착형: | 표면 마운트 |
Id에 있는 Vgs(th) (맥스): | - |
분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET |
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FET 특징: | - |
제품 상태: | 액티브 |
장착형: | 표면 마운트 |
Id에 있는 Vgs(th) (맥스): | 1mA에 있는 2V |
분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET |
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FET 특징: | - |
제품 상태: | 액티브 |
장착형: | 표면 마운트 |
Id에 있는 Vgs(th) (맥스): | 250uA에 있는 2.5V |
분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET |
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FET 특징: | - |
Id에 있는 Vgs(th) (맥스): | 1mA에 있는 2.8V |
작동 온도: | -55' C ~ 175' C (TJ) |
패키지 / 케이스: | 모듈 |
분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET |
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FET 특징: | - |
Id에 있는 Vgs(th) (맥스): | 2.7V @ 4.5mA (형) |
작동 온도: | -55' C ~ 175' C (TJ) |
패키지 / 케이스: | TO-247-3 |
분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET |
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FET은 타이핑합니다: | 엔-채널 |
FET 특징: | - |
제품 상태: | 액티브 |
장착형: | 섀시 마운트 |
분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET |
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FET은 타이핑합니다: | 엔-채널 |
FET 특징: | - |
제품 상태: | 액티브 |
장착형: | 섀시 마운트 |
분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET |
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FET은 타이핑합니다: | 엔-채널 |
FET 특징: | - |
제품 상태: | 액티브 |
장착형: | 섀시 마운트 |
분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET |
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FET 특징: | - |
Id에 있는 Vgs(th) (맥스): | 1mA에 있는 4V |
작동 온도: | -55' C ~ 150' C (TJ) |
패키지 / 케이스: | TO-247-3 |
분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET |
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FET 특징: | - |
Id에 있는 Vgs(th) (맥스): | 1mA에 있는 5V |
작동 온도: | -55' C ~ 150' C (TJ) |
패키지 / 케이스: | TO-247-3 |
분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET |
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FET은 타이핑합니다: | 엔-채널 |
FET 특징: | - |
제품 상태: | 액티브 |
장착형: | 구멍을 통해 |
분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET |
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FET 특징: | - |
Id에 있는 Vgs(th) (맥스): | 3.9V @ 2.7mA |
작동 온도: | -55' C ~ 150' C (TJ) |
패키지 / 케이스: | TO-268-3, D3Pak (2개 리드 + 탭), TO-268AA |
분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET |
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FET 특징: | - |
Id에 있는 Vgs(th) (맥스): | 1mA에 있는 5V |
작동 온도: | -55' C ~ 150' C (TJ) |
패키지 / 케이스: | TO-268-3, D3Pak (2개 리드 + 탭), TO-268AA |
분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET |
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FET 특징: | - |
Id에 있는 Vgs(th) (맥스): | 5V @ 30mA |
작동 온도: | -40' C ~ 150' C (TJ) |
패키지 / 케이스: | SP6 |
분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET |
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FET 특징: | - |
Id에 있는 Vgs(th) (맥스): | 2mA에 있는 2.7V |
작동 온도: | -55' C ~ 175' C (TJ) |
패키지 / 케이스: | TO-247-3 |