IC 통합 회로 APT8M100B
| 분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET |
|---|---|
| FET 특징: | - |
| Id에 있는 Vgs(th) (맥스): | 1mA에 있는 5V |
| 작동 온도: | -55' Ｃ ~ 150' Ｃ (TJ) |
| 패키지 / 케이스: | TO-247-3 |
| 분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET |
|---|---|
| FET 특징: | - |
| Id에 있는 Vgs(th) (맥스): | 1mA에 있는 5V |
| 작동 온도: | -55' Ｃ ~ 150' Ｃ (TJ) |
| 패키지 / 케이스: | TO-247-3 |
| 분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET |
|---|---|
| FET 특징: | - |
| 제품 상태: | 액티브 |
| 장착형: | 구멍을 통해 |
| Id에 있는 Vgs(th) (맥스): | 2.4V @ 10mA |
| 분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET |
|---|---|
| FET 특징: | - |
| 제품 상태: | 액티브 |
| 장착형: | 표면 마운트 |
| Id에 있는 Vgs(th) (맥스): | 3.5V @ 10mA |
| 분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET |
|---|---|
| FET 특징: | - |
| 제품 상태: | 액티브 |
| 장착형: | 표면 마운트 |
| Id에 있는 Vgs(th) (맥스): | 4V @ 2mA |
| 분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET |
|---|---|
| FET 특징: | - |
| 제품 상태: | 액티브 |
| 장착형: | 구멍을 통해 |
| Id에 있는 Vgs(th) (맥스): | 1mA에 있는 2V |
| 분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET |
|---|---|
| FET 특징: | - |
| 제품 상태: | 액티브 |
| 장착형: | 표면 마운트 |
| Id에 있는 Vgs(th) (맥스): | 2.4V @ 10mA |
| 분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET |
|---|---|
| FET 특징: | - |
| 제품 상태: | 액티브 |
| 장착형: | 구멍을 통해 |
| Id에 있는 Vgs(th) (맥스): | 1mA에 있는 2V |
| 분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET |
|---|---|
| FET 특징: | - |
| 제품 상태: | 액티브 |
| 장착형: | 구멍을 통해 |
| Id에 있는 Vgs(th) (맥스): | 1.6V @ 500μA |
| 분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET |
|---|---|
| FET 특징: | - |
| 제품 상태: | 액티브 |
| 장착형: | 구멍을 통해 |
| Id에 있는 Vgs(th) (맥스): | 2.4V @ 1mA |
| 분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET |
|---|---|
| FET 특징: | - |
| 제품 상태: | 액티브 |
| 장착형: | 구멍을 통해 |
| Id에 있는 Vgs(th) (맥스): | 2.4V @ 1mA |
| 분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET |
|---|---|
| FET 특징: | - |
| 제품 상태: | 액티브 |
| 장착형: | 표면 마운트 |
| Id에 있는 Vgs(th) (맥스): | 1mA에 있는 2V |
| 분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET |
|---|---|
| FET 특징: | - |
| 제품 상태: | 액티브 |
| 장착형: | 구멍을 통해 |
| Id에 있는 Vgs(th) (맥스): | 1mA에 있는 3.5V |
| 분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET |
|---|---|
| FET 특징: | - |
| 제품 상태: | 액티브 |
| 장착형: | 구멍을 통해 |
| Id에 있는 Vgs(th) (맥스): | 2.5V @ 1mA |
| 분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET |
|---|---|
| FET 특징: | - |
| 제품 상태: | 액티브 |
| 장착형: | 구멍을 통해 |
| Id에 있는 Vgs(th) (맥스): | 2.4V @ 1mA |
| 분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET |
|---|---|
| FET 특징: | - |
| 제품 상태: | 액티브 |
| 장착형: | 섀시 마운트 |
| Id에 있는 Vgs(th) (맥스): | 4V @ 2.5mA |
