| Catégorie: | Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS |
|---|---|
| Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs: | 137 nC @ 20 V |
| Statut du produit: | Actif |
| Type de montage: | Monture de surface |
| Le paquet: | Tape et bobine (TR) Tape à découper (CT) Digi-Reel® |
| Catégorie: | Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS |
|---|---|
| Caractéristique de FET: | - |
| Vgs(th) (maximum) @ Id: | 5V @ 1mA |
| Température de fonctionnement: | -55°C | 150°C (TJ) |
| Emballage / boîtier: | TO-247-3 |
| Catégorie: | Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS |
|---|---|
| Caractéristique de FET: | - |
| Vgs(th) (maximum) @ Id: | 4V @ 1mA |
| Température de fonctionnement: | -55°C | 150°C (TJ) |
| Emballage / boîtier: | TO-247-3 |
| Catégorie: | Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS |
|---|---|
| Type de FET: | N-canal |
| Caractéristique de FET: | - |
| Statut du produit: | Actif |
| Type de montage: | À travers le trou |
| Catégorie: | Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS |
|---|---|
| Type de FET: | N-canal |
| Caractéristique de FET: | - |
| Statut du produit: | Actif |
| Type de montage: | À travers le trou |
| Catégorie: | Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS |
|---|---|
| Type de FET: | N-canal |
| Caractéristique de FET: | - |
| Statut du produit: | Actif |
| Type de montage: | Monture de surface |
| Catégorie: | Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS |
|---|---|
| Type de FET: | N-canal |
| Caractéristique de FET: | - |
| Statut du produit: | Actif |
| Type de montage: | À travers le trou |
| Catégorie: | Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS |
|---|---|
| Caractéristique de FET: | - |
| Statut du produit: | Actif |
| Type de montage: | À travers le trou |
| Vgs(th) (maximum) @ Id: | - |
| Catégorie: | Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS |
|---|---|
| Caractéristique de FET: | - |
| Statut du produit: | Actif |
| Type de montage: | À travers le trou |
| Vgs(th) (maximum) @ Id: | 2V @ 500μA |
| Catégorie: | Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS |
|---|---|
| Caractéristique de FET: | Mode d'épuisement |
| Statut du produit: | Actif |
| Type de montage: | À travers le trou |
| Vgs(th) (maximum) @ Id: | - |
| Catégorie: | Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS |
|---|---|
| Caractéristique de FET: | - |
| Vgs(th) (maximum) @ Id: | 5V @ 5mA |
| Température de fonctionnement: | -55°C | 150°C (TJ) |
| Emballage / boîtier: | SOT-227-4, miniBLOC |
| Catégorie: | Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS |
|---|---|
| Caractéristique de FET: | - |
| Vgs(th) (maximum) @ Id: | 4V @ 2,5mA |
| Température de fonctionnement: | -55°C | 150°C (TJ) |
| Emballage / boîtier: | SOT-227-4, miniBLOC |
| Catégorie: | Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS |
|---|---|
| Caractéristique de FET: | - |
| Vgs(th) (maximum) @ Id: | 5V @ 2,5mA |
| Température de fonctionnement: | -55°C | 150°C (TJ) |
| Emballage / boîtier: | SOT-227-4, miniBLOC |
| Catégorie: | Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS |
|---|---|
| Caractéristique de FET: | - |
| Vgs(th) (maximum) @ Id: | 5V @ 1mA |
| Température de fonctionnement: | -55°C | 150°C (TJ) |
| Emballage / boîtier: | TO-247-3 |
| Catégorie: | Produits à base de semi-conducteurs discrets Transistors et appareils électroniques Les FET, les MOS |
|---|---|
| Caractéristique de FET: | - |
| Vgs(th) (maximum) @ Id: | 2.6V @ 2mA |
| Température de fonctionnement: | -55°C à 175°C (TJ) |
| Emballage / boîtier: | Pour les appareils de traitement de l'air, le système d'échantillonnage est le suivant: |
