| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales |
|---|---|
| Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs: | La presión de los conductores de aire |
| Estado del producto: | Actividad |
| Tipo de montaje: | Montura de la superficie |
| Paquete: | Cintas y bobinas (TR) Banda cortante (TC) Digi-Reel® |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales |
|---|---|
| Característica del FET: | - |
| Vgs(th) (máximo) @ Id: | 5V @ 1mA |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Envase / estuche: | TO-247-3 |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales |
|---|---|
| Característica del FET: | - |
| Vgs(th) (máximo) @ Id: | 4V @ 1mA |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Envase / estuche: | TO-247-3 |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales |
|---|---|
| Tipo de FET: | N-canal |
| Característica del FET: | - |
| Estado del producto: | Actividad |
| Tipo de montaje: | A través del agujero |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales |
|---|---|
| Tipo de FET: | N-canal |
| Característica del FET: | - |
| Estado del producto: | Actividad |
| Tipo de montaje: | A través del agujero |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales |
|---|---|
| Tipo de FET: | N-canal |
| Característica del FET: | - |
| Estado del producto: | Actividad |
| Tipo de montaje: | Montura de la superficie |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales |
|---|---|
| Tipo de FET: | N-canal |
| Característica del FET: | - |
| Estado del producto: | Actividad |
| Tipo de montaje: | A través del agujero |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales |
|---|---|
| Característica del FET: | - |
| Estado del producto: | Actividad |
| Tipo de montaje: | A través del agujero |
| Vgs(th) (máximo) @ Id: | - |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales |
|---|---|
| Característica del FET: | - |
| Estado del producto: | Actividad |
| Tipo de montaje: | A través del agujero |
| Vgs(th) (máximo) @ Id: | 2V @ 500μA |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales |
|---|---|
| Característica del FET: | Modo de agotamiento |
| Estado del producto: | Actividad |
| Tipo de montaje: | A través del agujero |
| Vgs(th) (máximo) @ Id: | - |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales |
|---|---|
| Característica del FET: | - |
| Vgs(th) (máximo) @ Id: | 5V @ 5mA |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Envase / estuche: | SOT-227-4, miniBLOC |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales |
|---|---|
| Característica del FET: | - |
| Vgs(th) (máximo) @ Id: | 4 V @ 2,5 mA |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Envase / estuche: | SOT-227-4, miniBLOC |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales |
|---|---|
| Característica del FET: | - |
| Vgs(th) (máximo) @ Id: | 5 V @ 2,5 mA |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Envase / estuche: | SOT-227-4, miniBLOC |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales |
|---|---|
| Característica del FET: | - |
| Vgs(th) (máximo) @ Id: | 5V @ 1mA |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Envase / estuche: | TO-247-3 |
| Categoría: | Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET y MOSFET individuales |
|---|---|
| Característica del FET: | - |
| Vgs(th) (máximo) @ Id: | 2.6V @ 2mA |
| Temperatura de funcionamiento: | -55 °C ~ 175 °C (TJ) |
| Envase / estuche: | El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de ef |
