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Schlüsselwörter [ smd memory integrated circuits ] Spiel 3183 produits.
Drahtloses &amp IC-integrierter Schaltungen EFR32FG25B222F1920IM56-B QFN-56; Rf-integrierte Schaltungen

Drahtloses &amp IC-integrierter Schaltungen EFR32FG25B222F1920IM56-B QFN-56; Rf-integrierte Schaltungen

Mfr. #: EFR32FG25B222F1920IM56-B
Mfr.: Silikon-Labors
Beschreibung: Rf-Ein-Chip-System - Soc FG25, Unter-Gigahertz, 1920kB Blitz, 512kB RAM, FSK/O-QPSK/OFDM, HFCLKOUT,
Fabrik-Vorbereitungszeit: 26 Wochen
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&amp Gedächtnis IC-integrierter Schaltungen AT45DB641E-MHN-Y UDFN-8; Datenspeicherung

&amp Gedächtnis IC-integrierter Schaltungen AT45DB641E-MHN-Y UDFN-8; Datenspeicherung

Mfr. #: AT45DB641E-MHN-Y
Mfr.: Renesas/Dialog
Beschreibung: NOCH Blitz 64 Mbit, weit Vcc (1.7V zu 3.6V), -40C zu 85C, DFN 5x6 (Behälter), einzelnes SPI DataFlas
Fabrik-Vorbereitungszeit: Wochen
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&amp Gedächtnis IC-integrierter Schaltungen AT45DB021E-SSHNHC-T SOIC-Narrow-8; Datenspeicherung

&amp Gedächtnis IC-integrierter Schaltungen AT45DB021E-SSHNHC-T SOIC-Narrow-8; Datenspeicherung

Mfr. #: AT45DB021E-SSHNHC-T
Mfr.: Renesas/Dialog
Beschreibung: NOCH Blitz 2 Mbit, weit Vcc (1.65V zu 3.6V), -40C zu 85C, 512 Byte-binärer Seitenmodus, SOIC-N 150mi
Fabrik-Vorbereitungszeit: Wochen
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&amp Gedächtnis IC-integrierter Schaltungen AT25DF321A-MH-T UDFN-8; Datenspeicherung

&amp Gedächtnis IC-integrierter Schaltungen AT25DF321A-MH-T UDFN-8; Datenspeicherung

Mfr. #: AT25DF321A-MH-T
Mfr.: Renesas/Dialog
Beschreibung: NOCH Blitz 32 Mbit, 3.0V (2.7V zu 3.6V), -40C zu 85C, DFN 5x6 (Band & Spule), einzelnes, Doppel-
Fabrik-Vorbereitungszeit: Wochen
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&amp Gedächtnis IC-integrierter Schaltungen AT25DF321A-MH-Y UDFN-8; Datenspeicherung

&amp Gedächtnis IC-integrierter Schaltungen AT25DF321A-MH-Y UDFN-8; Datenspeicherung

Mfr. #: AT25DF321A-MH-Y
Mfr.: Renesas/Dialog
Beschreibung: NOCH Blitz 32 Mbit, 3.0V (2.7V zu 3.6V), -40C zu 85C, DFN 5x6 (Behälter), einzelnes, Doppel-SPI NOCH
Fabrik-Vorbereitungszeit: Wochen
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&amp Gedächtnis IC-integrierter Schaltungen AT25DF641A-MH-Y UDFN-8; Datenspeicherung

&amp Gedächtnis IC-integrierter Schaltungen AT25DF641A-MH-Y UDFN-8; Datenspeicherung

Mfr. #: AT25DF641A-MH-Y
Mfr.: Renesas/Dialog
Beschreibung: NOCH Blitz 64 Mbit, 3.0V (2.7V zu 3.6V), -40C zu 85C, DFN 5x6 (Behälter), einzelnes, Doppel-SPI NOCH
Fabrik-Vorbereitungszeit: 41 Wochen
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&amp Gedächtnis IC-integrierter Schaltungen AT45DB321E-MWHF2B-T VDFN-8; Datenspeicherung

&amp Gedächtnis IC-integrierter Schaltungen AT45DB321E-MWHF2B-T VDFN-8; Datenspeicherung

Mfr. #: AT45DB321E-MWHF2B-T
Mfr.: Renesas/Dialog
Beschreibung: NOCH Blitz 32 Mbit, 3.0V (2.3V zu 3.6V), -40C zu 85C, 512 Byte-binärer Seitenmodus, DFN 6x8 (Band &a
Fabrik-Vorbereitungszeit: Wochen
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&amp Gedächtnis IC-integrierter Schaltungen AT45DB161E-SHF-B SOIC-Wide-8; Datenspeicherung

&amp Gedächtnis IC-integrierter Schaltungen AT45DB161E-SHF-B SOIC-Wide-8; Datenspeicherung

Mfr. #: AT45DB161E-SHF-B
Mfr.: Renesas/Dialog
Beschreibung: NOCH Blitz 16 Mbit, 3.0V (2.3V zu 3.6V), -40C zu 85C, SOIC-W 208mil (Rohr), einzelnes SPI DataFlash
Fabrik-Vorbereitungszeit: Wochen
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&amp Gedächtnis IC-integrierter Schaltungen AT45DB081E-SSHNHC-T SOIC-Narrow-8; Datenspeicherung

&amp Gedächtnis IC-integrierter Schaltungen AT45DB081E-SSHNHC-T SOIC-Narrow-8; Datenspeicherung

Mfr. #: AT45DB081E-SSHNHC-T
Mfr.: Renesas/Dialog
Beschreibung: NOCH Blitz 8 Mbit, weit Vcc (1.7V zu 3.6V), -40C zu 85C, 512 Byte-binärer Seitenmodus, SOIC-N 150mil
Fabrik-Vorbereitungszeit: Wochen
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&amp Gedächtnis IC-integrierter Schaltungen AT45DB641E-MHN2B-T UDFN-8; Datenspeicherung

&amp Gedächtnis IC-integrierter Schaltungen AT45DB641E-MHN2B-T UDFN-8; Datenspeicherung

Mfr. #: AT45DB641E-MHN2B-T
Mfr.: Renesas/Dialog
Beschreibung: NOCH Blitz 64 Mbit, weit Vcc (1.7V zu 3.6V), -40C zu 85C, 512 Byte-binärer Seitenmodus, DFN 5x6 (Ban
Fabrik-Vorbereitungszeit: 25 Wochen
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&amp Gedächtnis IC-integrierter Schaltungen AT45DQ321-SHF2B-T SOIC-Wide-8; Datenspeicherung

&amp Gedächtnis IC-integrierter Schaltungen AT45DQ321-SHF2B-T SOIC-Wide-8; Datenspeicherung

Mfr. #: AT45DQ321-SHF2B-T
Mfr.: Renesas/Dialog
Beschreibung: NOCH Blitz 32 Mbit, 3.0V (2.3V zu 3.6V), -40C zu 85C, 512 Byte-binärer Seitenmodus, SOIC-W 208mil (B
Fabrik-Vorbereitungszeit: Wochen
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&amp Gedächtnis IC-integrierter Schaltungen AT45DB081E-SHN-T SOIC-Wide-8; Datenspeicherung

&amp Gedächtnis IC-integrierter Schaltungen AT45DB081E-SHN-T SOIC-Wide-8; Datenspeicherung

Mfr. #: AT45DB081E-SHN-T
Mfr.: Renesas/Dialog
Beschreibung: NOCH Blitz 8 Mbit, weit Vcc (1.7V zu 3.6V), -40C zu 85C, SOIC-W 208mil (Band & Spule), einzelnes
Fabrik-Vorbereitungszeit: 41 Wochen
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IC-integrierte Schaltungen LH8066803102601S REK9 FCBGA-1296 betteten Prozessoren &amp ein; Prüfer

IC-integrierte Schaltungen LH8066803102601S REK9 FCBGA-1296 betteten Prozessoren &amp ein; Prüfer

Mfr. #: LH8066803102601S REK9
Mfr.: Intel
Beschreibung: CPU – Zentraleinheiten Intel Atom x7-E3950 Prozessor
Fabrik-Vorbereitungszeit: 12 Wochen
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IC-integrierte Schaltungen CM8070104282437S RH74 FCLGA-1200 betteten Prozessoren &amp ein; Prüfer

IC-integrierte Schaltungen CM8070104282437S RH74 FCLGA-1200 betteten Prozessoren &amp ein; Prüfer

Mfr. #: CM8070104282437S RH74
Mfr.: Intel
Beschreibung: CPU – Zentraleinheiten Intel Core i7-10700K F Desktop-Prozessor
Fabrik-Vorbereitungszeit: 3 Wochen
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IC-integrierte Schaltungen CM8070104282846S RH92 FCLGA-1200 betteten Prozessoren &amp ein; Prüfer

IC-integrierte Schaltungen CM8070104282846S RH92 FCLGA-1200 betteten Prozessoren &amp ein; Prüfer

Mfr. #: CM8070104282846S RH92
Mfr.: Intel
Beschreibung: CPU – Zentraleinheiten Intel Core i9-10900K F Desktop-Prozessor
Fabrik-Vorbereitungszeit: 5 Wochen
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