IC 집적 회로 EFR32FG25B222F1920IM56 비 QFN-56 무선 전신 & ; RF 집적 회로
| 엠에프르. #: | EFR32FG25B222F1920IM56 비 |
|---|---|
| 엠에프르.: | 실리콘 실험실 |
| 기술: | RF 시스템 온 칩 - SoC FG25, 서브 기가헤르츠, 1920kB 플래시, 512kB RAM, FSK / O-QPSK / OFDM, HFCLKOUT, 안전한 지하실 높은 것, |
| 공장 준비 시간: | 26 주 |
| 엠에프르. #: | EFR32FG25B222F1920IM56 비 |
|---|---|
| 엠에프르.: | 실리콘 실험실 |
| 기술: | RF 시스템 온 칩 - SoC FG25, 서브 기가헤르츠, 1920kB 플래시, 512kB RAM, FSK / O-QPSK / OFDM, HFCLKOUT, 안전한 지하실 높은 것, |
| 공장 준비 시간: | 26 주 |
| 엠에프르. #: | AT45DB641E-MHN-Y |
|---|---|
| 엠에프르.: | 르네사스 / 대화 |
| 기술: | NOR 순간 64 메가비트, 넓은 프크크 (1.7V 내지 3.6V), -40C 내지 85C, DFN 5x6 (트레이), 한 개의 SPI 데이터플래시 |
| 공장 준비 시간: | 주 |
| 엠에프르. #: | AT45DB021E-SSHNHC-T |
|---|---|
| 엠에프르.: | 르네사스 / 대화 |
| 기술: | NOR 플래시 2 메가비트, 넓은 프크크 (1.65V 내지 3.6V), 85C,512 바이트 2원체 페이지 모드에 대한 -40C, SOIC-N 150 밀리리터 (테이프 & ; |
| 공장 준비 시간: | 주 |
| 엠에프르. #: | AT25DF321A-MH-T |
|---|---|
| 엠에프르.: | 르네사스 / 대화 |
| 기술: | NOR 순간 32 메가비트, 3.0V (2.7V 내지 3.6V), -40C 내지 85C, DFN 5x6 (테이프 & ; 릴), 한 개의, 듀얼 SPI NOR 플래시 |
| 공장 준비 시간: | 주 |
| 엠에프르. #: | AT25DF321A-MH-Y |
|---|---|
| 엠에프르.: | 르네사스 / 대화 |
| 기술: | NOR 플래시 32 메가비트, 3.0V (2.7V 내지 3.6V), -40C에서 85C, DFN 5x6 (트레이), 한 개이, 듀얼 SPI NOR 플래시 |
| 공장 준비 시간: | 주 |
| 엠에프르. #: | AT25DF641A-MH-Y |
|---|---|
| 엠에프르.: | 르네사스 / 대화 |
| 기술: | NOR 플래시 64 메가비트, 3.0V (2.7V 내지 3.6V), -40C에서 85C, DFN 5x6 (트레이), 한 개이, 듀얼 SPI NOR 플래시 |
| 공장 준비 시간: | 41 주 |
| 엠에프르. #: | AT45DB321E-MWHF2B-T |
|---|---|
| 엠에프르.: | 르네사스 / 대화 |
| 기술: | NOR 순간 32 메가비트, 3.0V (2.3V 내지 3.6V), -40C 내지 85C, 512 바이트 2원체 페이지 모드, DFN 6x8 (테이프 & ; 한 개의 SPI 데 |
| 공장 준비 시간: | 주 |
| 엠에프르. #: | AT45DB161E-SHF-B |
|---|---|
| 엠에프르.: | 르네사스 / 대화 |
| 기술: | NOR 플래시 16 메가비트, 3.0V (2.3V 내지 3.6V), -40C 내지 85C, SOIC-W 208 밀리리터 (관), 한 개의 SPI 데이터플래시 |
| 공장 준비 시간: | 주 |
| 엠에프르. #: | AT45DB081E-SSHNHC-T |
|---|---|
| 엠에프르.: | 르네사스 / 대화 |
| 기술: | NOR 플래시 8 메가비트, 넓은 프크크 (1.7V 내지 3.6V), -40C 내지 85C, 512 바이트 2원체 페이지 모드, SOIC-N 150 밀리리터 (테이프 & ; |
| 공장 준비 시간: | 주 |
| 엠에프르. #: | AT45DB641E-MHN2B-T |
|---|---|
| 엠에프르.: | 르네사스 / 대화 |
| 기술: | NOR 순간 64 메가비트, 넓은 프크크 (1.7V 내지 3.6V), -40C 내지 85C, 512 바이트 2원체 페이지 모드, DFN 5x6 (테이프 & ; 한 개의 SPI |
| 공장 준비 시간: | 25 주 |
| 엠에프르. #: | AT45DQ321-SHF2B-T |
|---|---|
| 엠에프르.: | 르네사스 / 대화 |
| 기술: | NOR 플래시 32 메가비트, 3.0V (2.3V 내지 3.6V), -40C 내지 85C, 512 바이트 2원체 페이지 모드, SOIC-W 208 밀리리터 (테이프 & ; 릴 |
| 공장 준비 시간: | 주 |
| 엠에프르. #: | AT45DB081E-SHN-T |
|---|---|
| 엠에프르.: | 르네사스 / 대화 |
| 기술: | NOR 플래시 8 메가비트, 넓은 프크크 (1.7V 내지 3.6V), -40C 내지 85C, SOIC-W 208 밀리리터 (테이프 & ; 한 개의 SPI 데이터플래시, 비틀거 |
| 공장 준비 시간: | 41 주 |
| 엠에프르. #: | LH8066803102601S REK9 |
|---|---|
| 엠에프르.: | 인텔 |
| 기술: | CPU - 중앙 처리 장치 Intel Atom x7-E3950 프로세서 |
| 공장 준비 시간: | 12 주 |
| 엠에프르. #: | CM8070104282437S RH74 |
|---|---|
| 엠에프르.: | 인텔 |
| 기술: | CPU - 중앙 처리 장치 Intel Core i7-10700K F Desktop Processor |
| 공장 준비 시간: | 3 주 |
| 엠에프르. #: | CM8070104282846S RH92 |
|---|---|
| 엠에프르.: | 인텔 |
| 기술: | CPU - 중앙 처리 장치 Intel Core i9-10900K F Desktop Processor |
| 공장 준비 시간: | 5주 |
