| Kategorie: | Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FET, MOSFET |
|---|---|
| Fet-Eigenschaft: | - |
| Vgs(th) (Max) @ Id: | 5V @ 1mA |
| Betriebstemperatur: | -55°C | 150°C (TJ) |
| Packung / Gehäuse: | Die in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 528/2012 aufgeführten Daten werden in Anhang I der Verordnun |
| Kategorie: | Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FET, MOSFET |
|---|---|
| FET-Typ: | N-Kanal |
| Fet-Eigenschaft: | - |
| Produktstatus: | Aktiv |
| Typ der Montage: | Durchs Loch |
| Kategorie: | Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FET, MOSFET |
|---|---|
| Fet-Eigenschaft: | - |
| Vgs(th) (Max) @ Id: | 5V @ 2,5mA |
| Betriebstemperatur: | -55°C | 150°C (TJ) |
| Packung / Gehäuse: | Die in Absatz 1 genannten Bedingungen gelten nicht für die Verarbeitung von Stoffen. |
| Kategorie: | Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FET, MOSFET |
|---|---|
| Fet-Eigenschaft: | - |
| Vgs(th) (Max) @ Id: | 4V @ 1mA |
| Betriebstemperatur: | -55°C | 150°C (TJ) |
| Packung / Gehäuse: | Die in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 528/2012 aufgeführten Daten werden in Anhang I der Verordnun |
| Kategorie: | Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FET, MOSFET |
|---|---|
| FET-Typ: | N-Kanal |
| Fet-Eigenschaft: | - |
| Produktstatus: | Aktiv |
| Typ der Montage: | Durchs Loch |
| Kategorie: | Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FET, MOSFET |
|---|---|
| Fet-Eigenschaft: | - |
| Vgs(th) (Max) @ Id: | 4V @ 1mA |
| Betriebstemperatur: | -55°C | 150°C (TJ) |
| Packung / Gehäuse: | TO-247-3 |
| Kategorie: | Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FET, MOSFET |
|---|---|
| Fet-Eigenschaft: | - |
| Vgs(th) (Max) @ Id: | 5V @ 2,5mA |
| Betriebstemperatur: | -55°C | 150°C (TJ) |
| Packung / Gehäuse: | TO-247-3 Variante |
| Kategorie: | Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FET, MOSFET |
|---|---|
| FET-Typ: | N-Kanal |
| Fet-Eigenschaft: | - |
| Produktstatus: | Aktiv |
| Typ der Montage: | Durchs Loch |
| Kategorie: | Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FET, MOSFET |
|---|---|
| FET-Typ: | N-Kanal |
| Fet-Eigenschaft: | - |
| Produktstatus: | Aktiv |
| Typ der Montage: | Oberflächenbefestigung |
| Kategorie: | Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FET, MOSFET |
|---|---|
| FET-Typ: | N-Kanal |
| Fet-Eigenschaft: | - |
| Produktstatus: | Aktiv |
| Typ der Montage: | Oberflächenbefestigung |
| Kategorie: | Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FET, MOSFET |
|---|---|
| Fet-Eigenschaft: | - |
| Vgs(th) (Max) @ Id: | 5V @ 1mA |
| Betriebstemperatur: | -55°C | 150°C (TJ) |
| Packung / Gehäuse: | Die in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 528/2012 aufgeführten Daten werden in Anhang I der Verordnun |
| Kategorie: | Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FET, MOSFET |
|---|---|
| Fet-Eigenschaft: | - |
| Vgs(th) (Max) @ Id: | 5V @ 1mA |
| Betriebstemperatur: | -55°C | 150°C (TJ) |
| Packung / Gehäuse: | Die in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 528/2012 aufgeführten Daten werden in Anhang I der Verordnun |
| Kategorie: | Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FET, MOSFET |
|---|---|
| FET-Typ: | N-Kanal |
| Fet-Eigenschaft: | - |
| Produktstatus: | Aktiv |
| Typ der Montage: | Oberflächenbefestigung |
| Kategorie: | Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FET, MOSFET |
|---|---|
| FET-Typ: | N-Kanal |
| Fet-Eigenschaft: | - |
| Produktstatus: | Aktiv |
| Typ der Montage: | Oberflächenbefestigung |
| Kategorie: | Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FET, MOSFET |
|---|---|
| FET-Typ: | N-Kanal |
| Fet-Eigenschaft: | - |
| Produktstatus: | Aktiv |
| Typ der Montage: | Oberflächenbefestigung |
