| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET |
|---|---|
| Особенность FET: | - |
| Vgs(th) (макс.) @ Id: | 5V @ 1mA |
| Операционная температура: | -55°C | 150°C (TJ) |
| Пакет / чемодан: | TO-268-3, D3Pak (2 лиды + Таб), TO-268AA |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET |
|---|---|
| Тип FET: | N-канал |
| Особенность FET: | - |
| Статус продукта: | Активный |
| Тип установки: | Через дыру |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET |
|---|---|
| Особенность FET: | - |
| Vgs(th) (макс.) @ Id: | 5 В @ 2,5 мА |
| Операционная температура: | -55°C | 150°C (TJ) |
| Пакет / чемодан: | TO-264-3, TO-264AA |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET |
|---|---|
| Особенность FET: | - |
| Vgs(th) (макс.) @ Id: | 4V @ 1mA |
| Операционная температура: | -55°C | 150°C (TJ) |
| Пакет / чемодан: | TO-268-3, D3Pak (2 лиды + Таб), TO-268AA |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET |
|---|---|
| Тип FET: | N-канал |
| Особенность FET: | - |
| Статус продукта: | Активный |
| Тип установки: | Через дыру |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET |
|---|---|
| Особенность FET: | - |
| Vgs(th) (макс.) @ Id: | 4V @ 1mA |
| Операционная температура: | -55°C | 150°C (TJ) |
| Пакет / чемодан: | ТО-247-3 |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET |
|---|---|
| Особенность FET: | - |
| Vgs(th) (макс.) @ Id: | 5 В @ 2,5 мА |
| Операционная температура: | -55°C | 150°C (TJ) |
| Пакет / чемодан: | TO-247-3 вариант |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET |
|---|---|
| Тип FET: | N-канал |
| Особенность FET: | - |
| Статус продукта: | Активный |
| Тип установки: | Через дыру |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET |
|---|---|
| Тип FET: | N-канал |
| Особенность FET: | - |
| Статус продукта: | Активный |
| Тип установки: | Поверхностный монтаж |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET |
|---|---|
| Тип FET: | N-канал |
| Особенность FET: | - |
| Статус продукта: | Активный |
| Тип установки: | Поверхностный монтаж |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET |
|---|---|
| Особенность FET: | - |
| Vgs(th) (макс.) @ Id: | 5V @ 1mA |
| Операционная температура: | -55°C | 150°C (TJ) |
| Пакет / чемодан: | TO-268-3, D3Pak (2 лиды + Таб), TO-268AA |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET |
|---|---|
| Особенность FET: | - |
| Vgs(th) (макс.) @ Id: | 5V @ 1mA |
| Операционная температура: | -55°C | 150°C (TJ) |
| Пакет / чемодан: | TO-268-3, D3Pak (2 лиды + Таб), TO-268AA |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET |
|---|---|
| Тип FET: | N-канал |
| Особенность FET: | - |
| Статус продукта: | Активный |
| Тип установки: | Поверхностный монтаж |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET |
|---|---|
| Тип FET: | N-канал |
| Особенность FET: | - |
| Статус продукта: | Активный |
| Тип установки: | Поверхностный монтаж |
| Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET |
|---|---|
| Тип FET: | N-канал |
| Особенность FET: | - |
| Статус продукта: | Активный |
| Тип установки: | Поверхностный монтаж |
