Комплексные схемы IC APT5018SLLG
Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET |
---|---|
Тип FET: | N-канал |
Особенность FET: | - |
Статус продукта: | Активный |
Тип установки: | Поверхностный монтаж |
Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET |
---|---|
Тип FET: | N-канал |
Особенность FET: | - |
Статус продукта: | Активный |
Тип установки: | Поверхностный монтаж |
Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET |
---|---|
Особенность FET: | - |
Vgs(th) (макс.) @ Id: | 5V @ 1mA |
Операционная температура: | -55°C | 150°C (TJ) |
Пакет / чемодан: | TO-263-3, ² Пак d (2 руководства + платы), TO-263AB |
Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET |
---|---|
Тип FET: | N-канал |
Особенность FET: | - |
Статус продукта: | Активный |
Тип установки: | Поверхностный монтаж |
Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET |
---|---|
Особенность FET: | - |
Vgs(th) (макс.) @ Id: | 5 В @ 2,5 мА |
Операционная температура: | -55°C | 150°C (TJ) |
Пакет / чемодан: | TO-247-3 вариант |
Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET |
---|---|
Особенность FET: | - |
Vgs(th) (макс.) @ Id: | 5 В @ 2,5 мА |
Операционная температура: | -55°C | 150°C (TJ) |
Пакет / чемодан: | TO-247-3 вариант |
Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET |
---|---|
Особенность FET: | - |
Vgs(th) (макс.) @ Id: | 5V @ 1mA |
Операционная температура: | -55°C | 150°C (TJ) |
Пакет / чемодан: | ТО-247-3 |
Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET |
---|---|
Особенность FET: | - |
Vgs(th) (макс.) @ Id: | 4V @ 1mA |
Операционная температура: | -55°C | 150°C (TJ) |
Пакет / чемодан: | ТО-247-3 |
Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET |
---|---|
Особенность FET: | - |
Vgs(th) (макс.) @ Id: | 5V @ 1mA |
Операционная температура: | -55°C | 150°C (TJ) |
Пакет / чемодан: | TO-268-3, D3Pak (2 лиды + Таб), TO-268AA |
Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET |
---|---|
Особенность FET: | - |
Vgs(th) (макс.) @ Id: | 5V @ 1mA |
Операционная температура: | -55°C | 150°C (TJ) |
Пакет / чемодан: | TO-268-3, D3Pak (2 лиды + Таб), TO-268AA |
Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET |
---|---|
Особенность FET: | - |
Vgs(th) (макс.) @ Id: | 3.9В @ 2mA |
Операционная температура: | -55°C | 150°C (TJ) |
Пакет / чемодан: | TO-264-3, TO-264AA |
Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET |
---|---|
Особенность FET: | - |
Vgs(th) (макс.) @ Id: | 5V @ 1mA |
Операционная температура: | -55°C | 150°C (TJ) |
Пакет / чемодан: | TO-268-3, D3Pak (2 лиды + Таб), TO-268AA |
Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET |
---|---|
Тип FET: | N-канал |
Особенность FET: | - |
Статус продукта: | Активный |
Тип установки: | Через дыру |
Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET |
---|---|
Особенность FET: | - |
Vgs(th) (макс.) @ Id: | 5V @ 1mA |
Операционная температура: | -55°C | 150°C (TJ) |
Пакет / чемодан: | TO-268-3, D3Pak (2 лиды + Таб), TO-268AA |
Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET |
---|---|
Тип FET: | N-канал |
Особенность FET: | - |
Статус продукта: | Активный |
Тип установки: | Поверхностный монтаж |
Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET |
---|---|
Тип FET: | N-канал |
Особенность FET: | - |
Статус продукта: | Активный |
Тип установки: | Через дыру |