Μνήμη & ολοκληρωμένων κυκλωμάτων S76HS512TC0BHB010 ολοκληρωμένου κυκλώματος Αποθήκευση στοιχείων
| Mfr. #: | S76HS512TC0BHB010 |
|---|---|
| Mfr.: | Τεχνολογίες Infineon |
| Περιγραφή: | ΟΥΤΕ λάμψη ούτε |
| Χρόνος προετοιμασίας εργοστασίου: | 52 εβδομάδες |
| Mfr. #: | S76HS512TC0BHB010 |
|---|---|
| Mfr.: | Τεχνολογίες Infineon |
| Περιγραφή: | ΟΥΤΕ λάμψη ούτε |
| Χρόνος προετοιμασίας εργοστασίου: | 52 εβδομάδες |
| Mfr. #: | TPS7A2028PYCKR |
|---|---|
| Mfr.: | Texas Instruments |
| Περιγραφή: | Ρυθμιστές τάσης LDO 300-μΑ, εξαιρετικά-χαμηλός-θόρυβος, χαμηλός-δείκτης νοημοσύνης, γραμμικός ρυθμισ |
| Χρόνος προετοιμασίας εργοστασίου: | 20 εβδομάδες |
| Mfr. #: | TLP5212 (D4-TP, Ε |
|---|---|
| Mfr.: | TOSHIBA |
| Περιγραφή: | Optocouplers παραγωγής λογικής ΣΥΖΕΥΚΤΗΡΑΣ ΟΔΗΓΩΝ ΠΥΛΩΝ |
| Χρόνος προετοιμασίας εργοστασίου: | 36 εβδομάδες |
| Mfr. #: | AD8410AWBRZ |
|---|---|
| Mfr.: | ΑΝΑΛΟΓΙΚΕΣ ΣΥΣΚΕΥΕΣ |
| Περιγραφή: | Τρέχουσα αίσθησης αίσθηση bw Curr ενισχυτών υψηλή για το ρεύμα-συνεχές ρεύμα SYS 48V/12V |
| Χρόνος προετοιμασίας εργοστασίου: | Εβδομάδες |
| Mfr. #: | NL17SZ08XV5T2G-L22087 |
|---|---|
| Mfr.: | onsemi |
| Περιγραφή: | Λογικής 2-εισαγωγή ΚΑΙ πύλη του Γκέιτς ενιαία |
| Χρόνος προετοιμασίας εργοστασίου: | 27 εβδομάδες |
| Mfr. #: | LP591218MDRVREP |
|---|---|
| Mfr.: | Texas Instruments |
| Περιγραφή: | Ενισχύω-προϊόν ρυθμιστών τάσης LDO, 500-μΑ, χαμηλού θορύβου, χαμηλός-δείκτης νοημοσύνης, ρυθμιστής χ |
| Χρόνος προετοιμασίας εργοστασίου: | 19 εβδομάδες |
| Mfr. #: | AD5423BCPZ |
|---|---|
| Mfr.: | ΑΝΑΛΟΓΙΚΕΣ ΣΥΣΚΕΥΕΣ |
| Περιγραφή: | Ψηφιακοί έως αναλογικοί μετατροπείς - κανάλι DAC 1 δεκαεξάμπιτο 4to20 μΑ Vout DAC w/HA |
| Χρόνος προετοιμασίας εργοστασίου: | Εβδομάδες |
| Mfr. #: | VN9008AJTR |
|---|---|
| Mfr.: | STMicroelectronics |
| Περιγραφή: | Πυλών οδηγών ενιαίων καναλιών το υψηλός-δευτερεύον ανάλογο αίσθησης οδηγών τρέχον ανατροφοδοτεί για |
| Χρόνος προετοιμασίας εργοστασίου: | Εβδομάδες |
| Mfr. #: | LAN8770M-I/PRA |
|---|---|
| Mfr.: | Τεχνολογία μικροτσίπ |
| Περιγραφή: | 100Base-T1 32QFN w/o RGMII ολοκληρωμένων κυκλωμάτων Ethernet |
| Χρόνος προετοιμασίας εργοστασίου: | 15 Εβδομάδες |
| Mfr. #: | TPS7A1413PYBKR |
|---|---|
| Mfr.: | Texas Instruments |
| Περιγραφή: | Ρυθμιστές τάσης LDO 1-α, χαμηλή τάση εισαγωγής και παραγωγής, ρυθμιστής τάσης εξαιρετικά-χαμηλός-εγκ |
| Χρόνος προετοιμασίας εργοστασίου: | 29 εβδομάδες |
| Mfr. #: | AFE4960PYBGT |
|---|---|
| Mfr.: | Texas Instruments |
| Περιγραφή: | Αναλογικό μπροστινό μέρος - AFE Two-channel αναλογικό μπροστινό μέρος ECG και PPG με την ενσωματωμέν |
| Χρόνος προετοιμασίας εργοστασίου: | 15 Εβδομάδες |
| Mfr. #: | NCD57540DWKR2G |
|---|---|
| Mfr.: | onsemi |
| Περιγραφή: | Οι απομονωμένοι οδηγοί πυλών απομόνωσαν το δύο καναλιών οδηγό πυλών IGBT με > διασκορπισμός και εκ |
| Χρόνος προετοιμασίας εργοστασίου: | 52 εβδομάδες |
| Mfr. #: | Efr32fg25a121f1152im56-β |
|---|---|
| Mfr.: | Εργαστήρια πυριτίου |
| Περιγραφή: | Σύστημα RF σε ένα τσιπ - SOC FG25, υπο--Ghz, λάμψη 1152kB, RAM 256kB, FSK/O-QPSK/OFDM, +125C, QFN56 |
| Χρόνος προετοιμασίας εργοστασίου: | 26 εβδομάδες |
| Mfr. #: | Efr32fg25b211f1920im56-β |
|---|---|
| Mfr.: | Εργαστήρια πυριτίου |
| Περιγραφή: | Σύστημα RF σε ένα τσιπ - SOC FG25, υπο--Ghz, λάμψη 1920kB, RAM 512kB, fsk/o-QPSK, ασφαλές θάλαμος-μέ |
| Χρόνος προετοιμασίας εργοστασίου: | 26 εβδομάδες |
| Mfr. #: | Efr32fg25b212f1920im56-β |
|---|---|
| Mfr.: | Εργαστήρια πυριτίου |
| Περιγραφή: | Σύστημα RF σε ένα τσιπ - SOC FG25, υπο--Ghz, λάμψη 1920kB, RAM 512kB, fsk/o-QPSK, HFCLKOUT, ασφαλές |
| Χρόνος προετοιμασίας εργοστασίου: | 26 εβδομάδες |
