ICの集積回路S76HS512TC0BHB010の記憶&データ記憶
| Mfr。#: | S76HS512TC0BHB010 |
|---|---|
| Mfr。: | インフィニオン・テクノロジーズ |
| 記述: | 抜け目がない |
| 工場リードタイム: | 52週 |
| Mfr。#: | S76HS512TC0BHB010 |
|---|---|
| Mfr。: | インフィニオン・テクノロジーズ |
| 記述: | 抜け目がない |
| 工場リードタイム: | 52週 |
| Mfr。#: | TPS7A2028PYCKR |
|---|---|
| Mfr。: | テキサス・インスツルメント |
| 記述: | LDOの電圧安定器300 mAの超低騒音、低I.Q.の高いPSRRの低ドロップアウト（LDO）の線形調整装置 |
| 工場リードタイム: | 20週 |
| Mfr。#: | TLP5212 （D4-TP、E |
|---|---|
| Mfr。: | 東芝 |
| 記述: | 論理の出力オプトカプラーは運転者のカプラーをゲートで制御する |
| 工場リードタイム: | 36週 |
| Mfr。#: | AD8410AWBRZ |
|---|---|
| Mfr。: | アナログ・デバイセズ |
| 記述: | 現在の感覚のアンプ48V/12V DC-DC Sysのための高いBW Currの感覚 |
| 工場リードタイム: | 週 |
| Mfr。#: | NL17SZ08XV5T2G-L22087 |
|---|---|
| Mfr。: | onsemi |
| 記述: | 論理回路は2入力およびゲートを選抜する |
| 工場リードタイム: | 27週 |
| Mfr。#: | LP591218MDRVREP |
|---|---|
| Mfr。: | テキサス・インスツルメント |
| 記述: | LDOの電圧安定器高めプロダクト、低I.Q.低雑音の500 mA逆の現在の保護の低ドロップアウトの調整装置 |
| 工場リードタイム: | 19週 |
| Mfr。#: | AD5423BCPZ |
|---|---|
| Mfr。: | アナログ・デバイセズ |
| 記述: | デジタル アナログ変換器- DAC 1チャネル;16ビット4to20 mA;Vout DAC w/HA |
| 工場リードタイム: | 週 |
| Mfr。#: | VN9008AJTR |
|---|---|
| Mfr。: | STMicroelectronics |
| 記述: | ゲートの運転者は自動車のための単一チャネルの高側の運転者の現在の感覚のアナログのフィードバックを |
| 工場リードタイム: | 週 |
| Mfr。#: | LAN8770M-I/PRA |
|---|---|
| Mfr。: | マイクロチップ・テクノロジー |
| 記述: | RGMIIなしのイーサネットIC 100Base T1 32QFN |
| 工場リードタイム: | 15週間 |
| Mfr。#: | TPS7A1413PYBKR |
|---|---|
| Mfr。: | テキサス・インスツルメント |
| 記述: | LDOの電圧安定器1-A、低い入出力電圧の超低ドロップアウト（LDO）の電圧安定器 |
| 工場リードタイム: | 29週 |
| Mfr。#: | AFE4960PYBGT |
|---|---|
| Mfr。: | テキサス・インスツルメント |
| 記述: | アナログの前部分- AFE統合された呼吸およびペースの検出を用いる2チャンネルECGおよびPPGのアナログの前部分 |
| 工場リードタイム: | 15週間 |
| Mfr。#: | NCD57540DWKR2G |
|---|---|
| Mfr。: | onsemi |
| 記述: | 隔離されたゲートの運転者は>が付いているデュアル・チャネルIGBTのゲートの運転者を隔離した;8mmの表面漏れおよび整理 |
| 工場リードタイム: | 52週 |
| Mfr。#: | EFR32FG25A121F1152IM56-B |
|---|---|
| Mfr。: | ケイ素の実験室 |
| 記述: | RFのシステムオンチップ- SoC FG25、副GHz、256kB RAM抜け目がない、1152kB FSK/O-QPSK/OFDM、+125C、QFN56 |
| 工場リードタイム: | 26週 |
| Mfr。#: | EFR32FG25B211F1920IM56-B |
|---|---|
| Mfr。: | ケイ素の実験室 |
| 記述: | RFのシステムオンチップ- SoC FG25、副GHz、512kB RAM抜け目がない、1920kB FSK/O-QPSKの安全な地下の高さ、+125C、QFN56 |
| 工場リードタイム: | 26週 |
| Mfr。#: | EFR32FG25B212F1920IM56-B |
|---|---|
| Mfr。: | ケイ素の実験室 |
| 記述: | RFのシステムオンチップ- SoC FG25、副GHz、512kB RAM抜け目がない、1920kB FSK/O-QPSK、HFCLKOUTの安全な地下の高さ、+125C、QFN56 |
| 工場リードタイム: | 26週 |
