| श्रेणी: | असतत अर्धचालक उत्पाद ट्रांजिस्टर FETs, MOSFETs एकल FETs, MOSFETs |
|---|---|
| एफईटी सुविधा: | - |
| वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी: | 5V @ 2.5mA |
| परिचालन तापमान: | -55 डिग्री सेल्सियस ~ 150 डिग्री सेल्सियस (टीजे) |
| पैकेज / मामला: | TO-264-3, TO-264AA |
| श्रेणी: | असतत अर्धचालक उत्पाद ट्रांजिस्टर FETs, MOSFETs एकल FETs, MOSFETs |
|---|---|
| एफईटी सुविधा: | - |
| वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी: | 2.4V @ 1mA |
| परिचालन तापमान: | -55 डिग्री सेल्सियस ~ 175 डिग्री सेल्सियस (टीजे) |
| पैकेज / मामला: | TO-268-3, D³Pak (2 लीड्स + टैब), TO-268AA |
| श्रेणी: | असतत अर्धचालक उत्पाद ट्रांजिस्टर FETs, MOSFETs एकल FETs, MOSFETs |
|---|---|
| एफईटी सुविधा: | - |
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| माउंटिंग प्रकार: | छेद से |
| वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी: | 2V @ 2mA |
| श्रेणी: | असतत अर्धचालक उत्पाद ट्रांजिस्टर FETs, MOSFETs एकल FETs, MOSFETs |
|---|---|
| एफईटी सुविधा: | - |
| वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी: | 2.8V @ 2mA |
| परिचालन तापमान: | -55 डिग्री सेल्सियस ~ 150 डिग्री सेल्सियस (टीजे) |
| पैकेज / मामला: | SOT-227-4, मिनीब्लॉक |
| श्रेणी: | असतत अर्धचालक उत्पाद ट्रांजिस्टर FETs, MOSFETs एकल FETs, MOSFETs |
|---|---|
| एफईटी सुविधा: | - |
| वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी: | 5V @ 2.5mA |
| परिचालन तापमान: | -55 डिग्री सेल्सियस ~ 150 डिग्री सेल्सियस (टीजे) |
| पैकेज / मामला: | TO-247-3 वैरिएंट |
| श्रेणी: | असतत अर्धचालक उत्पाद ट्रांजिस्टर FETs, MOSFETs एकल FETs, MOSFETs |
|---|---|
| एफईटी सुविधा: | - |
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| माउंटिंग प्रकार: | छेद से |
| वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी: | 3.5V @ 1mA |
| श्रेणी: | असतत अर्धचालक उत्पाद ट्रांजिस्टर FETs, MOSFETs एकल FETs, MOSFETs |
|---|---|
| एफईटी सुविधा: | - |
| वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी: | 3.5V @ 3.4mA |
| परिचालन तापमान: | -55 डिग्री सेल्सियस ~ 150 डिग्री सेल्सियस (टीजे) |
| पैकेज / मामला: | TO-264-3, TO-264AA |
| श्रेणी: | असतत अर्धचालक उत्पाद ट्रांजिस्टर FETs, MOSFETs एकल FETs, MOSFETs |
|---|---|
| एफईटी सुविधा: | - |
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| माउंटिंग प्रकार: | छेद से |
| वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी: | 4V @ 1mA |
| श्रेणी: | असतत अर्धचालक उत्पाद ट्रांजिस्टर FETs, MOSFETs एकल FETs, MOSFETs |
|---|---|
| एफईटी सुविधा: | - |
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| माउंटिंग प्रकार: | छेद से |
| वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी: | 1.8V @ 1mA |
| श्रेणी: | असतत अर्धचालक उत्पाद ट्रांजिस्टर FETs, MOSFETs एकल FETs, MOSFETs |
|---|---|
| एफईटी सुविधा: | - |
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| माउंटिंग प्रकार: | छेद से |
| वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी: | 2.4V @ 1mA |
| श्रेणी: | असतत अर्धचालक उत्पाद ट्रांजिस्टर FETs, MOSFETs एकल FETs, MOSFETs |
|---|---|
| एफईटी सुविधा: | - |
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| माउंटिंग प्रकार: | छेद से |
| वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी: | 2.4V @ 1mA |
| श्रेणी: | असतत अर्धचालक उत्पाद ट्रांजिस्टर FETs, MOSFETs एकल FETs, MOSFETs |
|---|---|
| एफईटी सुविधा: | - |
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| माउंटिंग प्रकार: | छेद से |
| वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी: | 2V @ 1mA |
| श्रेणी: | असतत अर्धचालक उत्पाद ट्रांजिस्टर FETs, MOSFETs एकल FETs, MOSFETs |
|---|---|
| एफईटी सुविधा: | कमी मोड |
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| माउंटिंग प्रकार: | छेद से |
| वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी: | - |
| श्रेणी: | असतत अर्धचालक उत्पाद ट्रांजिस्टर FETs, MOSFETs एकल FETs, MOSFETs |
|---|---|
| एफईटी सुविधा: | - |
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| माउंटिंग प्रकार: | छेद से |
| वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी: | 3.5V @ 1mA |
| श्रेणी: | असतत अर्धचालक उत्पाद ट्रांजिस्टर FETs, MOSFETs एकल FETs, MOSFETs |
|---|---|
| एफईटी सुविधा: | - |
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| माउंटिंग प्रकार: | छेद से |
| वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी: | 2V @ 1mA |
