| Kategoria: | Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET Pojedyncze FET, MOSFET |
|---|---|
| Funkcja FET: | - |
| Vgs(th) (Maks.) @ Id: | 5V @ 2,5mA |
| Temperatura pracy: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Opakowanie / Pudełko: | TO-264-3, TO-264AA |
| Kategoria: | Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET Pojedyncze FET, MOSFET |
|---|---|
| Funkcja FET: | - |
| Vgs(th) (Maks.) @ Id: | 2.4V @ 1mA |
| Temperatura pracy: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Opakowanie / Pudełko: | TO-268-3, D³Pak (2 przewody + zakładka), TO-268AA |
| Kategoria: | Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET Pojedyncze FET, MOSFET |
|---|---|
| Funkcja FET: | - |
| Status produktu: | Aktywny |
| Rodzaj montażu: | Przez dziurę |
| Vgs(th) (Maks.) @ Id: | 2V @ 2mA |
| Kategoria: | Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET Pojedyncze FET, MOSFET |
|---|---|
| Funkcja FET: | - |
| Vgs(th) (Maks.) @ Id: | 2,8 V przy 2 mA |
| Temperatura pracy: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Opakowanie / Pudełko: | SOT-227-4, miniBLOK |
| Kategoria: | Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET Pojedyncze FET, MOSFET |
|---|---|
| Funkcja FET: | - |
| Vgs(th) (Maks.) @ Id: | 5 V przy 2,5 mA |
| Temperatura pracy: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Opakowanie / Pudełko: | Wariant TO-247-3 |
| Kategoria: | Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET Pojedyncze FET, MOSFET |
|---|---|
| Funkcja FET: | - |
| Status produktu: | Aktywny |
| Rodzaj montażu: | Przez dziurę |
| Vgs(th) (Maks.) @ Id: | 3.5V @ 1mA |
| Kategoria: | Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET Pojedyncze FET, MOSFET |
|---|---|
| Funkcja FET: | - |
| Vgs(th) (Maks.) @ Id: | 3.5V @ 3.4mA |
| Temperatura pracy: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Opakowanie / Pudełko: | TO-264-3, TO-264AA |
| Kategoria: | Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET Pojedyncze FET, MOSFET |
|---|---|
| Funkcja FET: | - |
| Status produktu: | Aktywny |
| Rodzaj montażu: | Przez dziurę |
| Vgs(th) (Maks.) @ Id: | 4 V przy 1 mA |
| Kategoria: | Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET Pojedyncze FET, MOSFET |
|---|---|
| Funkcja FET: | - |
| Status produktu: | Aktywny |
| Rodzaj montażu: | Przez dziurę |
| Vgs(th) (Maks.) @ Id: | 1.8V @ 1mA |
| Kategoria: | Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET Pojedyncze FET, MOSFET |
|---|---|
| Funkcja FET: | - |
| Status produktu: | Aktywny |
| Rodzaj montażu: | Przez dziurę |
| Vgs(th) (Maks.) @ Id: | 2.4V @ 1mA |
| Kategoria: | Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET Pojedyncze FET, MOSFET |
|---|---|
| Funkcja FET: | - |
| Status produktu: | Aktywny |
| Rodzaj montażu: | Przez dziurę |
| Vgs(th) (Maks.) @ Id: | 2.4V @ 1mA |
| Kategoria: | Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET Pojedyncze FET, MOSFET |
|---|---|
| Funkcja FET: | - |
| Status produktu: | Aktywny |
| Rodzaj montażu: | Przez dziurę |
| Vgs(th) (Maks.) @ Id: | 2 V przy 1 mA |
| Kategoria: | Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET Pojedyncze FET, MOSFET |
|---|---|
| Funkcja FET: | Tryb wyczerpania |
| Status produktu: | Aktywny |
| Rodzaj montażu: | Przez dziurę |
| Vgs(th) (Maks.) @ Id: | - |
| Kategoria: | Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET Pojedyncze FET, MOSFET |
|---|---|
| Funkcja FET: | - |
| Status produktu: | Aktywny |
| Rodzaj montażu: | Przez dziurę |
| Vgs(th) (Maks.) @ Id: | 3.5V @ 1mA |
| Kategoria: | Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET Pojedyncze FET, MOSFET |
|---|---|
| Funkcja FET: | - |
| Status produktu: | Aktywny |
| Rodzaj montażu: | Przez dziurę |
| Vgs(th) (Maks.) @ Id: | 2 V przy 1 mA |
