आईसी एकीकृत सर्किट 1N5551USE3
| श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
|---|---|
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 1 μA @ 400 V |
| माउंटिंग प्रकार: | सतह माउंट |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.2 वी @9 ए |
| श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
|---|---|
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 1 μA @ 400 V |
| माउंटिंग प्रकार: | सतह माउंट |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.2 वी @9 ए |
| श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
|---|---|
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 1 μA @ 70 V |
| माउंटिंग प्रकार: | सतह माउंट |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1 वी @ 100 एमए |
| श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
|---|---|
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 1 एमए @ 40 वी |
| माउंटिंग प्रकार: | छेद से |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 600 एमवी @ 1 ए |
| श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
|---|---|
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 1 μA @ 200 V |
| माउंटिंग प्रकार: | सतह माउंट |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.2 वी @9 ए |
| श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
|---|---|
| श्रृंखला: | - |
| एमएफआर: | माइक्रोचिप प्रौद्योगिकी |
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| पैकेज: | टेप और रील (TR) |
| श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
|---|---|
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 5 µA @ 50 वी |
| माउंटिंग प्रकार: | छेद से |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 875 एमवी @4 ए |
| श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
|---|---|
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन: | -65 डिग्री सेल्सियस ~ 175 डिग्री सेल्सियस |
| माउंटिंग प्रकार: | छेद से |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 875 एमवी @4 ए |
| श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
|---|---|
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 500 एनए @ 400 वी |
| माउंटिंग प्रकार: | सतह माउंट |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.3 वी @3 ए |
| श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
|---|---|
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 500 एनए @ 50 वी |
| माउंटिंग प्रकार: | सतह माउंट |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.2 वी @ 100 एमए |
| श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
|---|---|
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 1 μA @ 50 V |
| माउंटिंग प्रकार: | छेद से |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 975 एमवी @ 2.5 ए |
| श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
|---|---|
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 500 एनए @ 400 वी |
| माउंटिंग प्रकार: | सतह माउंट |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.3 वी @3 ए |
| श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
|---|---|
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 1 μA @ 1000 V |
| माउंटिंग प्रकार: | छेद से |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.3 वी @ 9 ए |
| श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
|---|---|
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 1 μA @ 200 V |
| माउंटिंग प्रकार: | सतह माउंट |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.2 वी @9 ए |
| श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
|---|---|
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन: | -65 डिग्री सेल्सियस ~ 175 डिग्री सेल्सियस |
| माउंटिंग प्रकार: | छेद से |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 875 एमवी @4 ए |
| श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
|---|---|
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
| करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 1 µA @ 150 V |
| माउंटिंग प्रकार: | सतह माउंट |
| वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 975 एमवी @ 2.5 ए |
