आईसी एकीकृत सर्किट 1N4249US
श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
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उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 1 μA @ 1000 V |
माउंटिंग प्रकार: | सतह माउंट |
वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.3 वी @3 ए |
श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
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उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 1 μA @ 1000 V |
माउंटिंग प्रकार: | सतह माउंट |
वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.3 वी @3 ए |
श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
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उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 1 μA @ 800 V |
माउंटिंग प्रकार: | सतह माउंट |
वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.3 वी @3 ए |
श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
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उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 25 एनए @180 वी |
माउंटिंग प्रकार: | सतह माउंट |
वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1 वी @ 100 एमए |
श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
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उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 500 एनए @ 150 वी |
माउंटिंग प्रकार: | सतह माउंट |
वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.1 वी @ 200 एमए |
श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
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उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 1 μA @ 200 V |
माउंटिंग प्रकार: | सतह माउंट |
वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.3 वी @3 ए |
श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
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उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 1 μA @ 200 V |
माउंटिंग प्रकार: | छेद से |
वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.5 वी @9 ए |
श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
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उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 500 एनए @ 220 वी |
माउंटिंग प्रकार: | छेद से |
वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.6 वी @ 2 ए |
श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
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उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 1 μA @ 200 V |
माउंटिंग प्रकार: | सतह माउंट |
वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.2 वी @9 ए |
श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
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उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 50 एनए @ 225 वी |
माउंटिंग प्रकार: | छेद से |
वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1 वी @ 400 एमए |
श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
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उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 500 एनए @ 50 वी |
माउंटिंग प्रकार: | सतह माउंट |
वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.2 वी @ 100 एमए |
श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
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उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 1 μA @ 800 V |
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन: | -65 डिग्री सेल्सियस ~ 175 डिग्री सेल्सियस |
वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.3 वी @3 ए |
श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
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उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 500 एनए @ 75 वी |
माउंटिंग प्रकार: | सतह माउंट |
वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.2 वी @ 100 एमए |
श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
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उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 100 µA @ 20 वी |
माउंटिंग प्रकार: | सतह माउंट |
वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 600 एमवी @ 1 ए |
श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
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उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 1 µA @ 600 V |
माउंटिंग प्रकार: | सतह माउंट |
वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 1.3 वी @3 ए |
श्रेणी: | असतत सेमीकंडक्टर उत्पाद डायोड रेक्टिफायर सिंगल डायोड |
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उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय |
करंट - रिवर्स लीकेज @ Vr: | 1 एनए @ 125 वी |
माउंटिंग प्रकार: | सतह माउंट |
वोल्टेज - फॉरवर्ड (Vf) (अधिकतम) @ अगर: | 920 एमवी @ 100 एमए |