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Dettagli:
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| Luogo di origine: | Stati Uniti |
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| Marca: | ST |
| Numero di modello: | STD8N60DM2 |
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Termini di pagamento e spedizione:
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| Quantità di ordine minimo: | 50 PCS |
| Prezzo: | RFQ |
| Imballaggi particolari: | ESD/Vaccum/Fuma/Cartone |
| Tempi di consegna: | Immediatamente. |
| Termini di pagamento: | T/T, Western Union, escrow, Paypal, Visa, MoneyGram |
| Capacità di alimentazione: | RFQ |
Circuiti integrati IC STD8N60DM2 TO-252-3 MOSFET
Descrizione del prodotto:
Questo Power MOSFET ad alta tensione a canale N fa parte della serie di diodi di recupero rapido MDmesh TM DM2. Offre una carica di recupero (Qrr) e un tempo (trr) molto bassi combinati con un basso RDS ((on),rendendolo adatto per i convertitori ad alta efficienza più esigenti e ideale per le topologie di ponte e per i convertitori a fase-spostamento ZVS.
Caratteristiche:
• Cambiare applicazione
Tabella dei parametri:
| Attributo del prodotto | Valore attributivo |
| Attributo del prodotto | Valore attributivo |
| Produttore: | STMicroelettronica |
| Categoria di prodotto: | MOSFET |
| RoHS: | - Sì. |
| Modello di montaggio: | SMD/SMT |
| Imballaggio / Valigia: | TO-252-3 |
| Temperatura minima di funzionamento: | - 55 C |
| Temperatura massima di funzionamento: | + 150 C |
| Serie: | STD8N60DM2 |
| Marca: | STMicroelettronica |
| Tipo di prodotto: | MOSFET |
| Imballaggio di fabbrica Quantità: | 2500 |
| Sottocategoria: | MOSFET |
FAQ:
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