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Detalhes do produto:
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| Lugar de origem: | Estados Unidos |
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| Marca: | ST |
| Número do modelo: | STD8N60DM2 |
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Condições de Pagamento e Envio:
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| Quantidade de ordem mínima: | 50 PCS |
| Preço: | RFQ |
| Detalhes da embalagem: | ESD/vácuo/espuma/cartões |
| Tempo de entrega: | Imediatamente. |
| Termos de pagamento: | T/T, Western Union, custódia, Paypal, Visa, MoneyGram |
| Habilidade da fonte: | RFQ |
IC Circuitos integrados STD8N60DM2 TO-252-3 MOSFET
Descrição do produto:
Este Power MOSFET de alta tensão de canal N faz parte da série de diodos de recuperação rápida MDmesh TM DM2. Ele oferece uma carga de recuperação muito baixa (Qrr) e tempo (trr) combinados com baixa RDS ((on),tornando-o adequado para os conversores de alta eficiência mais exigentes e ideal para topologias de ponte e conversores de mudança de fase ZVS.
Características:
• Troca de aplicações
Tabela de parâmetros:
| Atributo do produto | Atributo Valor |
| Atributo do produto | Atributo Valor |
| Fabricante: | STMicroelectrónica |
| Categoria do produto: | MOSFET |
| RoHS: | - Sim, sim. |
| Estilo de montagem: | SMD/SMT |
| Embalagem / Caixa: | TO-252-3 |
| Temperatura de funcionamento mínima: | - 55 C. |
| Temperatura máxima de funcionamento: | + 150 C |
| Série: | STD8N60DM2 |
| Marca: | STMicroelectrónica |
| Tipo de produto: | MOSFET |
| Embalagem de fábrica | 2500 |
| Subcategoria: | MOSFETs |
Perguntas frequentes:
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