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キーワード [ smd memory integrated circuits ] 一致 3183 製品.
ICの集積回路EFR32FG25A221F1920IM56-B QFN-56の無線&RFの集積回路

ICの集積回路EFR32FG25A221F1920IM56-B QFN-56の無線&RFの集積回路

Mfr。#: EFR32FG25A221F1920IM56-B
Mfr。: ケイ素の実験室
記述: RFのシステムオンチップ- SoC FG25、副GHz、512kB RAM抜け目がない、1920kB FSK/O-QPSK/OFDM、+125C、QFN56
工場リードタイム: 26週
接触
ICの集積回路EFR32FG25B211F1920IM56-B QFN-56の無線&RFの集積回路

ICの集積回路EFR32FG25B211F1920IM56-B QFN-56の無線&RFの集積回路

Mfr。#: EFR32FG25B211F1920IM56-B
Mfr。: ケイ素の実験室
記述: RFのシステムオンチップ- SoC FG25、副GHz、512kB RAM抜け目がない、1920kB FSK/O-QPSKの安全な地下の高さ、+125C、QFN56
工場リードタイム: 26週
接触
ICの集積回路EFR32FG25B212F1920IM56-B QFN-56の無線&RFの集積回路

ICの集積回路EFR32FG25B212F1920IM56-B QFN-56の無線&RFの集積回路

Mfr。#: EFR32FG25B212F1920IM56-B
Mfr。: ケイ素の実験室
記述: RFのシステムオンチップ- SoC FG25、副GHz、512kB RAM抜け目がない、1920kB FSK/O-QPSK、HFCLKOUTの安全な地下の高さ、+125C、QFN56
工場リードタイム: 26週
接触
ICの集積回路EMMC256-TY29-5B111の記憶&データ記憶

ICの集積回路EMMC256-TY29-5B111の記憶&データ記憶

Mfr。#: EMMC256-TY29-5B111
Mfr。: キングストン
記述: eMMC 256GBのeMMC 5.1 (HS400) 153B
工場リードタイム: 4週
接触
ICの集積回路S25FS256TDACHC113の記憶&データ記憶

ICの集積回路S25FS256TDACHC113の記憶&データ記憶

Mfr。#: S25FS256TDACHC113
Mfr。: インフィニオン・テクノロジーズ
記述: 抜け目がない
工場リードタイム: 52週
接触
ICの集積回路IS22TF32G-JCLA2 FBGA-153の記憶&データ記憶

ICの集積回路IS22TF32G-JCLA2 FBGA-153の記憶&データ記憶

Mfr。#: IS22TF32G-JCLA2
Mfr。: ISSI
記述: eMMC 32GBの153球FBGA、3.3V、RoHS、自動等級(- 40+105C)
工場リードタイム: 12週
接触
ICの集積回路IS22TF16G-JCLA1 FBGA-153の記憶&データ記憶

ICの集積回路IS22TF16G-JCLA1 FBGA-153の記憶&データ記憶

Mfr。#: IS22TF16G-JCLA1
Mfr。: ISSI
記述: eMMC 16GBの153球FBGA、3.3V、RoHS、自動等級(- 40+85C)
工場リードタイム: 12週
接触
IC 集積回路 AM6421BSFGHAALV FCBGA-441 マイクロプロセッサ - MPU

IC 集積回路 AM6421BSFGHAALV FCBGA-441 マイクロプロセッサ - MPU

Mfr。#: AM6421BSFGHAALV
Mfr。: テキサス・インスツルメント
記述: マイクロプロセッサ- MPUの単心の64ビットの腕の皮質A53、二重中心の皮質R5F、PCIe、USB 3.0および保証441-FCBGA -40に105
工場リードタイム: 12週
接触
ICの集積回路M95P32-IXMNT/E SO-8の記憶&データ記憶

ICの集積回路M95P32-IXMNT/E SO-8の記憶&データ記憶

Mfr。#: M95P32-IXMNT/E
Mfr。: STMicroelectronics
記述: EEPROM超ローパワー32 Mbit連続SPIのページEEPROM
工場リードタイム:
接触
ICの集積回路AM6441BSEFHAALV FCBGA-441マイクロプロセッサ- MPU

ICの集積回路AM6441BSEFHAALV FCBGA-441マイクロプロセッサ- MPU

Mfr。#: AM6441BSEFHAALV
Mfr。: テキサス・インスツルメント
記述: マイクロプロセッサ- MPUの単心の64ビットの腕の皮質A53、クォード中心の皮質R5F、PCIe、USB 3.0および保証441-FCBGA -40に105
工場リードタイム: 20週
接触
ICの集積回路M95P16-IXMNT/E SO-8Nの記憶&データ記憶

ICの集積回路M95P16-IXMNT/E SO-8Nの記憶&データ記憶

Mfr。#: M95P16-IXMNT/E
Mfr。: STMicroelectronics
記述: EEPROM超ローパワー16 Mbit連続SPIのページEEPROM
工場リードタイム: 22週
接触
ICの集積回路AM6231ASGGGAALW FCCSP-425マイクロプロセッサ- MPU

ICの集積回路AM6231ASGGGAALW FCCSP-425マイクロプロセッサ- MPU

Mfr。#: AM6231ASGGGAALW
Mfr。: テキサス・インスツルメント
記述: マイクロプロセッサ-事(IoT)および腕の皮質A53ベースの目的およびジェスチャー認識の出入口SoCのMPUのインターネット
工場リードタイム: 13週
接触
ICの集積回路AT25SF321B-SSHB-Tのパン切れ狭い8記憶&データ記憶

ICの集積回路AT25SF321B-SSHB-Tのパン切れ狭い8記憶&データ記憶

Mfr。#: AT25SF321B-SSHB-T
Mfr。: Renesas/ダイアログ
記述: フラッシュ32 Mbit、3.0V (2.7Vへの3.6V)、-40Cへの85C、SOIC-N 150mil (テープ&巻き枠)、単一、二重、クォードSPIフラッシュ
工場リードタイム: 21週
接触
ICの集積回路THGBMUG6C1LBAIL FBGA-153の記憶&データ記憶

ICの集積回路THGBMUG6C1LBAIL FBGA-153の記憶&データ記憶

Mfr。#: THGBMUG6C1LBAIL
Mfr。: Kioxiaアメリカ
記述: eMMC 8GB v5.1のeMMC
工場リードタイム:
接触
ICの集積回路AT25SF041B-SSHD-Tのパン切れ狭い8記憶&データ記憶

ICの集積回路AT25SF041B-SSHD-Tのパン切れ狭い8記憶&データ記憶

Mfr。#: AT25SF041B-SSHD-T
Mfr。: Renesas/ダイアログ
記述: フラッシュ4 Mbit、3.0V (2.5Vへの3.6V)、-40Cへの85C、SOIC-N 150mil (テープ&巻き枠)、単一、二重、クォードSPIフラッシュ
工場リードタイム: 28週
接触
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