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キーワード [ smd memory integrated circuits ] 一致 3183 製品.
ICの集積回路AM6231ASGGGAALW FCCSP-425マイクロプロセッサ- MPU

ICの集積回路AM6231ASGGGAALW FCCSP-425マイクロプロセッサ- MPU

Mfr。#: AM6231ASGGGAALW
Mfr。: テキサス・インスツルメント
記述: マイクロプロセッサ-事(IoT)および腕の皮質A53ベースの目的およびジェスチャー認識の出入口SoCのMPUのインターネット
工場リードタイム: 13週
接触
ICの集積回路AT25SF321B-SSHB-Tのパン切れ狭い8記憶&データ記憶

ICの集積回路AT25SF321B-SSHB-Tのパン切れ狭い8記憶&データ記憶

Mfr。#: AT25SF321B-SSHB-T
Mfr。: Renesas/ダイアログ
記述: フラッシュ32 Mbit、3.0V (2.7Vへの3.6V)、-40Cへの85C、SOIC-N 150mil (テープ&巻き枠)、単一、二重、クォードSPIフラッシュ
工場リードタイム: 21週
接触
ICの集積回路THGBMUG6C1LBAIL FBGA-153の記憶&データ記憶

ICの集積回路THGBMUG6C1LBAIL FBGA-153の記憶&データ記憶

Mfr。#: THGBMUG6C1LBAIL
Mfr。: Kioxiaアメリカ
記述: eMMC 8GB v5.1のeMMC
工場リードタイム:
接触
ICの集積回路AT25SF041B-SSHD-Tのパン切れ狭い8記憶&データ記憶

ICの集積回路AT25SF041B-SSHD-Tのパン切れ狭い8記憶&データ記憶

Mfr。#: AT25SF041B-SSHD-T
Mfr。: Renesas/ダイアログ
記述: フラッシュ4 Mbit、3.0V (2.5Vへの3.6V)、-40Cへの85C、SOIC-N 150mil (テープ&巻き枠)、単一、二重、クォードSPIフラッシュ
工場リードタイム: 28週
接触
ICの集積回路AT25XE512C-XMHN-T TSSOP-8の記憶&データ記憶

ICの集積回路AT25XE512C-XMHN-T TSSOP-8の記憶&データ記憶

Mfr。#: AT25XE512C-XMHN-T
Mfr。: Renesas/ダイアログ
記述: フラッシュ512 Kbit、広くVcc (1.7Vへの3.6V)、-40Cへの85C、TSSOP (テープ&巻き枠)、融合(単一、二重) SPIフラッシュ
工場リードタイム: 32週
接触
ICの集積回路AT25SF161B-SSHB-Tのパン切れ狭い8記憶&データ記憶

ICの集積回路AT25SF161B-SSHB-Tのパン切れ狭い8記憶&データ記憶

Mfr。#: AT25SF161B-SSHB-T
Mfr。: Renesas/ダイアログ
記述: フラッシュ16 Mbit、3.0V (2.7Vへの3.6V)、-40Cへの85C、SOIC-N 150mil (テープ&巻き枠)、単一、二重、クォードSPIフラッシュ
工場リードタイム: 18週
接触
ICの集積回路AT25SL128A-UUE-T WLCSP-21の記憶&データ記憶

ICの集積回路AT25SL128A-UUE-T WLCSP-21の記憶&データ記憶

Mfr。#: AT25SL128A-UUE-T
Mfr。: Renesas/ダイアログ
記述: フラッシュ128 Mbit、1.8V (1.7Vへの2V)、-40Cへの85C、WLCSP (テープ&巻き枠)、単一、二重、クォードSPIフラッシュ
工場リードタイム: 29週
接触
ICの集積回路AT25XE041B-MAHN-T UDFN-8の記憶&データ記憶

ICの集積回路AT25XE041B-MAHN-T UDFN-8の記憶&データ記憶

Mfr。#: AT25XE041B-MAHN-T
Mfr。: Renesas/ダイアログ
記述: フラッシュ4 Mbit、広くVcc (1.65Vへの3.6V)、-40Cへの85C、DFN 2x3 (テープ&巻き枠)、融合(単一、二重) SPIフラッシュ
工場リードタイム: 31週
接触
ICの集積回路AT25SL128A-MHE-T UDFN-8の記憶&データ記憶

ICの集積回路AT25SL128A-MHE-T UDFN-8の記憶&データ記憶

Mfr。#: AT25SL128A-MHE-T
Mfr。: Renesas/ダイアログ
記述: フラッシュ128 Mbit、1.8V (1.7Vへの2V)、-40Cへの85C、DFN 5x6 (テープ&巻き枠)、単一、二重、クォードSPIフラッシュ
工場リードタイム: 29週
接触
ICの集積回路AT25SF321B-MHB-T UDFN-8の記憶&データ記憶

ICの集積回路AT25SF321B-MHB-T UDFN-8の記憶&データ記憶

Mfr。#: AT25SF321B-MHB-T
Mfr。: Renesas/ダイアログ
記述: フラッシュ32 Mbit、3.0V (2.7Vへの3.6V)、-40Cへの85C、DFN 5x6 (テープ&巻き枠)、単一、二重、クォードSPIフラッシュ
工場リードタイム: 32週
接触
ICの集積回路N24C32UDTG US-8の記憶&データ記憶

ICの集積回路N24C32UDTG US-8の記憶&データ記憶

Mfr。#: N24C32UDTG
Mfr。: onsemi
記述: EEPROM EEPROMの連続32 Kb I2Cの米国の8鉛のパッケージ32Kb I2C SER EEPROM、産業等級、US-8パッケージ
工場リードタイム: 51週
接触
IC 集積回路 AM6442BSEFHAALV FCBGA-441 マイクロプロセッサ - MPU

IC 集積回路 AM6442BSEFHAALV FCBGA-441 マイクロプロセッサ - MPU

Mfr。#: AM6442BSEFHAALV
Mfr。: テキサス・インスツルメント
記述: マイクロプロセッサ- MPUの二重中心の64ビットの腕の皮質A53、クォード中心の皮質R5F、PCIe、USB 3.0および保証441-FCBGA -40に105
工場リードタイム: 26週
接触
ICの集積回路EMMC128-TY29-5B111の記憶&データ記憶

ICの集積回路EMMC128-TY29-5B111の記憶&データ記憶

Mfr。#: EMMC128-TY29-5B111
Mfr。: キングストン
記述: eMMC 128GBのeMMC 5.1 (HS400) 153B
工場リードタイム: 4週
接触
ICの集積回路EMMC64G-TY29-5B111の記憶&データ記憶

ICの集積回路EMMC64G-TY29-5B111の記憶&データ記憶

Mfr。#: EMMC64G-TY29-5B111
Mfr。: キングストン
記述: eMMC 64GBのeMMC 5.1 (HS400) 153B 64GB
工場リードタイム: 4週
接触
ICの集積回路MT40A2G8SA-062E:F FBGAの記憶&データ記憶

ICの集積回路MT40A2G8SA-062E:F FBGAの記憶&データ記憶

Mfr。#: MT40A2G8SA-062E:F
Mfr。: ミクロン
記述: ドラムDDR4 16G 2GX8 FBGA
工場リードタイム: 6週
接触
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