IC 집적 회로 EFR32FG25A221F1920IM56 비 QFN-56 무선 전신 & ; RF 집적 회로
엠에프르. #: | EFR32FG25A221F1920IM56 비 |
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엠에프르.: | 실리콘 실험실 |
기술: | RF 시스템 온 칩 - SoC FG25, 서브 기가헤르츠, 1920kB 플래시, 512kB RAM, FSK / O-QPSK / OFDM, +125C, QFN56 |
공장 준비 시간: | 26 주 |
엠에프르. #: | EFR32FG25A221F1920IM56 비 |
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엠에프르.: | 실리콘 실험실 |
기술: | RF 시스템 온 칩 - SoC FG25, 서브 기가헤르츠, 1920kB 플래시, 512kB RAM, FSK / O-QPSK / OFDM, +125C, QFN56 |
공장 준비 시간: | 26 주 |
엠에프르. #: | EFR32FG25B211F1920IM56 비 |
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엠에프르.: | 실리콘 실험실 |
기술: | RF 시스템 온 칩 - SoC FG25, 서브 기가헤르츠, 1920kB 플래시, 512kB RAM, FSK / O-QPSK, 안전한 지하실 높은 것, +125C, QFN56 |
공장 준비 시간: | 26 주 |
엠에프르. #: | EFR32FG25B212F1920IM56 비 |
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엠에프르.: | 실리콘 실험실 |
기술: | RF 시스템 온 칩 - SoC FG25, 서브 기가헤르츠, 1920kB 플래시, 512kB RAM, FSK / O-QPSK, HFCLKOUT, 안전한 지하실 높은 것, +125C, |
공장 준비 시간: | 26 주 |
엠에프르. #: | EMMC256-TY29-5B111 |
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엠에프르.: | 킹스턴 |
기술: | 에m크 256GB 에m크 5.1 (HS400) 153B |
공장 준비 시간: | 4 주 |
엠에프르. #: | S25FS256TDACHC113 |
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엠에프르.: | 인피니언 테크놀러지 |
기술: | NOR 플래시 |
공장 준비 시간: | 52 주 |
엠에프르. #: | IS22TF32G-JCLA2 |
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엠에프르.: | ISSI |
기술: | 에m크 32GB, 153 볼 에프비지에이, 3.3V, 로에스, 자동차 등급 (-40+105C) |
공장 준비 시간: | 12 주 |
엠에프르. #: | IS22TF16G-JCLA1 |
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엠에프르.: | ISSI |
기술: | 에m크 16GB, 153 볼 에프비지에이, 3.3V, 로에스, 자동차 등급 (-40+85C) |
공장 준비 시간: | 12 주 |
엠에프르. #: | AM6421BSFGHAALV |
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엠에프르.: | 텍사스 인스트루먼츠 사 |
기술: | 마이크로프로세서스 - 마이크로프로세서 유닛 단일코어 64 비트 무기 Cortex-A53, 듀얼 코어 Cortex-R5F, 피코이에, USB 3.0과 보안 441 FCBGA -40 |
공장 준비 시간: | 12 주 |
엠에프르. #: | M95P32-IXMNT/E |
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엠에프르.: | 스트미크로일렉트로닉스 |
기술: | EEPROM 극단적이 저동력 32 메가비트 일련이 SPI 페이지 EEPROM |
공장 준비 시간: | 주 |
엠에프르. #: | AM6441BSEFHAALV |
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엠에프르.: | 텍사스 인스트루먼츠 사 |
기술: | 마이크로프로세서스 - 마이크로프로세서 유닛 단일코어 64 비트 무기 Cortex-A53, 쿼드-코어 Cortex-R5F, 피코이에, USB 3.0과 보안 441 FCBGA -40 |
공장 준비 시간: | 20 주 |
엠에프르. #: | M95P16-IXMNT/E |
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엠에프르.: | 스트미크로일렉트로닉스 |
기술: | EEPROM 극단적이 저동력 16 메가비트 일련이 SPI 페이지 EEPROM |
공장 준비 시간: | 22 주 |
엠에프르. #: | AM6231ASGGGAALW |
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엠에프르.: | 텍사스 인스트루먼츠 사 |
기술: | 마이크로프로세서스 - 마이크로프로세서 유닛 사물인터넷 (IoT)와 팔 Cortex-A53-based 물체와 동작 인식과 게이트웨이 SoC |
공장 준비 시간: | 13 주 |
엠에프르. #: | AT25SF321B-SSHB-T |
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엠에프르.: | 르네사스 / 대화 |
기술: | NOR 플래시 32 메가비트, 3.0V (2.7V 내지 3.6V), -40C 내지 85C, SOIC-N 150 밀리리터 (테이프 & ; 릴), 한 개의, 듀얼, 쿼드 SPI |
공장 준비 시간: | 21 주 |
엠에프르. #: | THGBMUG6C1LBAIL |
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엠에프르.: | 키옥사이아 미국 |
기술: | 에m크 8GB v5.1 에m크 |
공장 준비 시간: | 주 |
엠에프르. #: | AT25SF041B-SSHD-T |
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엠에프르.: | 르네사스 / 대화 |
기술: | NOR 플래시 4 메가비트, 3.0V (2.5V 내지 3.6V), -40C 내지 85C, SOIC-N 150 밀리리터 (테이프 & ; 릴), 한 개의, 듀얼, 쿼드 SPI도 |
공장 준비 시간: | 28 주 |