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키워드 [ smd memory integrated circuits ] 시합 3183 상품.
IC 집적 회로 AT25XE512C-XMHN-T TSSOP-8 메모리 &amp ; 데이터 스토리지

IC 집적 회로 AT25XE512C-XMHN-T TSSOP-8 메모리 &amp ; 데이터 스토리지

엠에프르. #: AT25XE512C-XMHN-T
엠에프르.: 르네사스 / 대화
기술: NOR 플래시 512 Kbit, 넓은 프크크 (1.7V 내지 3.6V), -40C 내지 85C, TSSOP (테이프 & ; 릴), 퓨젼 (한 개이고 이원적인) SPI NOR
공장 준비 시간: 32 주
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IC 집적 회로 AT25SF161B-SSHB-T SOP-Narrow-8 메모리 &amp ; 데이터 스토리지

IC 집적 회로 AT25SF161B-SSHB-T SOP-Narrow-8 메모리 &amp ; 데이터 스토리지

엠에프르. #: AT25SF161B-SSHB-T
엠에프르.: 르네사스 / 대화
기술: NOR 플래시 16 메가비트, 3.0V (2.7V 내지 3.6V), -40C 내지 85C, SOIC-N 150 밀리리터 (테이프 & ; 릴), 한 개의, 듀얼, 쿼드 SPI
공장 준비 시간: 18 주
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IC 집적 회로 AT25SL128A-UUE-T WLCSP-21 메모리 &amp ; 데이터 스토리지

IC 집적 회로 AT25SL128A-UUE-T WLCSP-21 메모리 &amp ; 데이터 스토리지

엠에프르. #: AT25SL128A-UUE-T
엠에프르.: 르네사스 / 대화
기술: NOR 플래시 128 마빗, 1.8V (1.7V 내지 2V), -40C 내지 85C, WLCSP (테이프 & ; 릴), 한 개의, 듀얼, 쿼드 SPI NOR 플래시
공장 준비 시간: 29 주
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IC 집적 회로 AT25XE041B-MAHN-T UDFN-8 메모리 &amp ; 데이터 스토리지

IC 집적 회로 AT25XE041B-MAHN-T UDFN-8 메모리 &amp ; 데이터 스토리지

엠에프르. #: AT25XE041B-MAHN-T
엠에프르.: 르네사스 / 대화
기술: NOR 순간 4 메가비트, 넓은 프크크 (1.65V 내지 3.6V), -40C 내지 85C, DFN 2x3 (테이프 & ; 릴), 퓨젼 (한 개이고 이원적인) SPI NOR
공장 준비 시간: 31 주
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IC 집적 회로 AT25SL128A-MHE-T UDFN-8 메모리 &amp ; 데이터 스토리지

IC 집적 회로 AT25SL128A-MHE-T UDFN-8 메모리 &amp ; 데이터 스토리지

엠에프르. #: AT25SL128A-MHE-T
엠에프르.: 르네사스 / 대화
기술: NOR 순간 128 메가비트, 1.8V (1.7V 내지 2V), -40C 내지 85C, DFN 5x6 (테이프 & ; 릴), 한 개의, 듀얼, 쿼드 SPI NOR 플래시
공장 준비 시간: 29 주
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IC 집적 회로 AT25SF321B-MHB-T UDFN-8 메모리 &amp ; 데이터 스토리지

IC 집적 회로 AT25SF321B-MHB-T UDFN-8 메모리 &amp ; 데이터 스토리지

엠에프르. #: AT25SF321B-MHB-T
엠에프르.: 르네사스 / 대화
기술: NOR 순간 32 메가비트, 3.0V (2.7V 내지 3.6V), -40C 내지 85C, DFN 5x6 (테이프 & ; 릴), 한 개의, 듀얼, 쿼드 SPI NOR 플래시
공장 준비 시간: 32 주
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IC 집적 회로 N24C32UDTG US-8 메모리 &amp ; 데이터 스토리지

IC 집적 회로 N24C32UDTG US-8 메모리 &amp ; 데이터 스토리지

엠에프르. #: N24C32UDTG
엠에프르.: 온새미
기술: EEPROM EEPROM 일련이 32-kb I2C, 미국 8 리드 패키지 32Kb I2C 시리얼 번호 EEPROM, 공업적 등급, US-8 패키지
공장 준비 시간: 51 주
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IC 집적 회로 AM6442BSEFHAALV FCBGA-441 마이크로프로세서 - MPU

IC 집적 회로 AM6442BSEFHAALV FCBGA-441 마이크로프로세서 - MPU

엠에프르. #: AM6442BSEFHAALV
엠에프르.: 텍사스 인스트루먼츠 사
기술: 마이크로프로세서스 - 마이크로프로세서 유닛 듀얼 코어되 64 비트 무기 Cortex-A53, 쿼드-코어 Cortex-R5F, 피코이에, USB 3.0과 보안 441 FCBGA -4
공장 준비 시간: 26 주
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IC 집적 회로 EMMC128-TY29-5B111  메모리 &amp ; 데이터 스토리지

IC 집적 회로 EMMC128-TY29-5B111 메모리 &amp ; 데이터 스토리지

엠에프르. #: EMMC128-TY29-5B111
엠에프르.: 킹스턴
기술: 에m크 128GB 에m크 5.1 (HS400) 153B
공장 준비 시간: 4 주
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IC 집적 회로 EMMC64G-TY29-5B111  메모리 &amp ; 데이터 스토리지

IC 집적 회로 EMMC64G-TY29-5B111 메모리 &amp ; 데이터 스토리지

엠에프르. #: EMMC64G-TY29-5B111
엠에프르.: 킹스턴
기술: 에m크 64GB 에m크 5.1 (HS400) 153B 64GB
공장 준비 시간: 4 주
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IC 집적 회로 MT40A2G8SA-062E :F 에프비지에이 메모리 &amp ; 데이터 스토리지

IC 집적 회로 MT40A2G8SA-062E :F 에프비지에이 메모리 &amp ; 데이터 스토리지

엠에프르. #: MT40A2G8SA-062E :F
엠에프르.: 마이크론
기술: DRAM DDR4 16G 2GX8 에프비지에이
공장 준비 시간: 6 주
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IC 집적 회로 MT53E1G32D2FW-046 그것 :비 TR 에프비지에이 메모리 &amp ; 데이터 스토리지

IC 집적 회로 MT53E1G32D2FW-046 그것 :비 TR 에프비지에이 메모리 &amp ; 데이터 스토리지

엠에프르. #: MT53E1G32D2FW-046 그것 :비 TR
엠에프르.: 마이크론
기술: DRAM LPDDR4 32G 1GX32 에프비지에이 DDP
공장 준비 시간: 9 주
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IC 집적 회로 MT53E1G32D2FW-046 WT :비 TR 에프비지에이 메모리 &amp ; 데이터 스토리지

IC 집적 회로 MT53E1G32D2FW-046 WT :비 TR 에프비지에이 메모리 &amp ; 데이터 스토리지

엠에프르. #: MT53E1G32D2FW-046 WT :비 TR
엠에프르.: 마이크론
기술: DRAM LPDDR4 32G 1GX32 에프비지에이 DDP
공장 준비 시간: 4 주
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IC 집적 회로 SDINBDG4-8G-XI2 메모리 &amp ; 데이터 스토리지

IC 집적 회로 SDINBDG4-8G-XI2 메모리 &amp ; 데이터 스토리지

엠에프르. #: SDINBDG4-8G-XI2
엠에프르.: 샌디스크
기술: 에m크 WD / SD
공장 준비 시간:
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IC 집적 회로 W25N04KVZEIR  메모리 &amp ; 데이터 스토리지

IC 집적 회로 W25N04KVZEIR 메모리 &amp ; 데이터 스토리지

엠에프르. #: W25N04KVZEIR
엠에프르.: WINBOND
기술: 낸드 플래쉬 4G 비트 직렬 낸드 플래쉬, 3V
공장 준비 시간: 10 주
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