IC 집적 회로 AT25XE512C-XMHN-T TSSOP-8 메모리 & ; 데이터 스토리지
엠에프르. #: | AT25XE512C-XMHN-T |
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엠에프르.: | 르네사스 / 대화 |
기술: | NOR 플래시 512 Kbit, 넓은 프크크 (1.7V 내지 3.6V), -40C 내지 85C, TSSOP (테이프 & ; 릴), 퓨젼 (한 개이고 이원적인) SPI NOR |
공장 준비 시간: | 32 주 |
엠에프르. #: | AT25XE512C-XMHN-T |
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엠에프르.: | 르네사스 / 대화 |
기술: | NOR 플래시 512 Kbit, 넓은 프크크 (1.7V 내지 3.6V), -40C 내지 85C, TSSOP (테이프 & ; 릴), 퓨젼 (한 개이고 이원적인) SPI NOR |
공장 준비 시간: | 32 주 |
엠에프르. #: | AT25SF161B-SSHB-T |
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엠에프르.: | 르네사스 / 대화 |
기술: | NOR 플래시 16 메가비트, 3.0V (2.7V 내지 3.6V), -40C 내지 85C, SOIC-N 150 밀리리터 (테이프 & ; 릴), 한 개의, 듀얼, 쿼드 SPI |
공장 준비 시간: | 18 주 |
엠에프르. #: | AT25SL128A-UUE-T |
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엠에프르.: | 르네사스 / 대화 |
기술: | NOR 플래시 128 마빗, 1.8V (1.7V 내지 2V), -40C 내지 85C, WLCSP (테이프 & ; 릴), 한 개의, 듀얼, 쿼드 SPI NOR 플래시 |
공장 준비 시간: | 29 주 |
엠에프르. #: | AT25XE041B-MAHN-T |
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엠에프르.: | 르네사스 / 대화 |
기술: | NOR 순간 4 메가비트, 넓은 프크크 (1.65V 내지 3.6V), -40C 내지 85C, DFN 2x3 (테이프 & ; 릴), 퓨젼 (한 개이고 이원적인) SPI NOR |
공장 준비 시간: | 31 주 |
엠에프르. #: | AT25SL128A-MHE-T |
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엠에프르.: | 르네사스 / 대화 |
기술: | NOR 순간 128 메가비트, 1.8V (1.7V 내지 2V), -40C 내지 85C, DFN 5x6 (테이프 & ; 릴), 한 개의, 듀얼, 쿼드 SPI NOR 플래시 |
공장 준비 시간: | 29 주 |
엠에프르. #: | AT25SF321B-MHB-T |
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엠에프르.: | 르네사스 / 대화 |
기술: | NOR 순간 32 메가비트, 3.0V (2.7V 내지 3.6V), -40C 내지 85C, DFN 5x6 (테이프 & ; 릴), 한 개의, 듀얼, 쿼드 SPI NOR 플래시 |
공장 준비 시간: | 32 주 |
엠에프르. #: | N24C32UDTG |
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엠에프르.: | 온새미 |
기술: | EEPROM EEPROM 일련이 32-kb I2C, 미국 8 리드 패키지 32Kb I2C 시리얼 번호 EEPROM, 공업적 등급, US-8 패키지 |
공장 준비 시간: | 51 주 |
엠에프르. #: | AM6442BSEFHAALV |
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엠에프르.: | 텍사스 인스트루먼츠 사 |
기술: | 마이크로프로세서스 - 마이크로프로세서 유닛 듀얼 코어되 64 비트 무기 Cortex-A53, 쿼드-코어 Cortex-R5F, 피코이에, USB 3.0과 보안 441 FCBGA -4 |
공장 준비 시간: | 26 주 |
엠에프르. #: | EMMC128-TY29-5B111 |
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엠에프르.: | 킹스턴 |
기술: | 에m크 128GB 에m크 5.1 (HS400) 153B |
공장 준비 시간: | 4 주 |
엠에프르. #: | EMMC64G-TY29-5B111 |
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엠에프르.: | 킹스턴 |
기술: | 에m크 64GB 에m크 5.1 (HS400) 153B 64GB |
공장 준비 시간: | 4 주 |
엠에프르. #: | MT40A2G8SA-062E :F |
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엠에프르.: | 마이크론 |
기술: | DRAM DDR4 16G 2GX8 에프비지에이 |
공장 준비 시간: | 6 주 |
엠에프르. #: | MT53E1G32D2FW-046 그것 :비 TR |
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엠에프르.: | 마이크론 |
기술: | DRAM LPDDR4 32G 1GX32 에프비지에이 DDP |
공장 준비 시간: | 9 주 |
엠에프르. #: | MT53E1G32D2FW-046 WT :비 TR |
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엠에프르.: | 마이크론 |
기술: | DRAM LPDDR4 32G 1GX32 에프비지에이 DDP |
공장 준비 시간: | 4 주 |
엠에프르. #: | SDINBDG4-8G-XI2 |
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엠에프르.: | 샌디스크 |
기술: | 에m크 WD / SD |
공장 준비 시간: | 주 |
엠에프르. #: | W25N04KVZEIR |
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엠에프르.: | WINBOND |
기술: | 낸드 플래쉬 4G 비트 직렬 낸드 플래쉬, 3V |
공장 준비 시간: | 10 주 |