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Palabras clave [ smd memory integrated circuits ] partido 3183 productos.
&amp de la memoria de los circuitos integrados AT25XE512C-XMHN-T TSSOP-8 de IC; Almacenamiento de datos

&amp de la memoria de los circuitos integrados AT25XE512C-XMHN-T TSSOP-8 de IC; Almacenamiento de datos

Mfr. #: AT25XE512C-XMHN-T
Mfr.: Renesas/diálogo
Descripción: NI flash 512 Kbit, de par en par Vcc (1.7V a 3.6V), -40C a 85C, TSSOP (& de la cinta; Carrete), f
Plazo de obtención de la fábrica: 32 semanas
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&amp de la memoria de los circuitos integrados AT25SF161B-SSHB-T SOP-Narrow-8 de IC; Almacenamiento de datos

&amp de la memoria de los circuitos integrados AT25SF161B-SSHB-T SOP-Narrow-8 de IC; Almacenamiento de datos

Mfr. #: AT25SF161B-SSHB-T
Mfr.: Renesas/diálogo
Descripción: NI flash 16 Mbit, 3.0V (2.7V a 3.6V), -40C a 85C, SOIC-N 150mil (& de la cinta; Carrete), solo, d
Plazo de obtención de la fábrica: 18 semanas
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&amp de la memoria de los circuitos integrados AT25SL128A-UUE-T WLCSP-21 de IC; Almacenamiento de datos

&amp de la memoria de los circuitos integrados AT25SL128A-UUE-T WLCSP-21 de IC; Almacenamiento de datos

Mfr. #: AT25SL128A-UUE-T
Mfr.: Renesas/diálogo
Descripción: NI flash 128 Mbit, 1.8V (1.7V a 2V), -40C a 85C, WLCSP (& de la cinta; Carrete), solo, dual, pati
Plazo de obtención de la fábrica: 29 semanas
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&amp de la memoria de los circuitos integrados AT25XE041B-MAHN-T UDFN-8 de IC; Almacenamiento de datos

&amp de la memoria de los circuitos integrados AT25XE041B-MAHN-T UDFN-8 de IC; Almacenamiento de datos

Mfr. #: AT25XE041B-MAHN-T
Mfr.: Renesas/diálogo
Descripción: NI flash 4 Mbit, de par en par Vcc (1.65V a 3.6V), -40C a 85C, DFN 2x3 (& de la cinta; Carrete),
Plazo de obtención de la fábrica: 31 semanas
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&amp de la memoria de los circuitos integrados AT25SL128A-MHE-T UDFN-8 de IC; Almacenamiento de datos

&amp de la memoria de los circuitos integrados AT25SL128A-MHE-T UDFN-8 de IC; Almacenamiento de datos

Mfr. #: AT25SL128A-MHE-T
Mfr.: Renesas/diálogo
Descripción: NI flash 128 Mbit, 1.8V (1.7V a 2V), -40C a 85C, DFN 5x6 (& de la cinta; Carrete), solo, dual, pa
Plazo de obtención de la fábrica: 29 semanas
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&amp de la memoria de los circuitos integrados AT25SF321B-MHB-T UDFN-8 de IC; Almacenamiento de datos

&amp de la memoria de los circuitos integrados AT25SF321B-MHB-T UDFN-8 de IC; Almacenamiento de datos

Mfr. #: AT25SF321B-MHB-T
Mfr.: Renesas/diálogo
Descripción: NI flash 32 Mbit, 3.0V (2.7V a 3.6V), -40C a 85C, DFN 5x6 (& de la cinta; Carrete), solo, dual, p
Plazo de obtención de la fábrica: 32 semanas
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&amp de la memoria de los circuitos integrados N24C32UDTG US-8 de IC; Almacenamiento de datos

&amp de la memoria de los circuitos integrados N24C32UDTG US-8 de IC; Almacenamiento de datos

Mfr. #: N24C32UDTG
Mfr.: onsemi
Descripción: EEPROM EEPROM 32-Kb serial I2C, paquete 32Kb I2C SER EEPROM, grado industrial, de la ventaja de los
Plazo de obtención de la fábrica: 51 semanas
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Circuitos integrados IC AM6442BSEFHAALV FCBGA-441 Microprocesadores - MPU

Circuitos integrados IC AM6442BSEFHAALV FCBGA-441 Microprocesadores - MPU

Mfr. #: AM6442BSEFHAALV
Mfr.: Texas Instruments
Descripción: Microprocesadores - brazo 64-bit dual-core Cortex-A53, Cortex-R5F quad-core, PCIe, USB 3,0 y segurid
Plazo de obtención de la fábrica: 26 semanas
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&amp de la memoria de los circuitos integrados EMMC128-TY29-5B111 de IC; Almacenamiento de datos

&amp de la memoria de los circuitos integrados EMMC128-TY29-5B111 de IC; Almacenamiento de datos

Mfr. #: EMMC128-TY29-5B111
Mfr.: Kingston
Descripción: eMMC 5,1 (HS400) 153B del eMMC 128GB
Plazo de obtención de la fábrica: 4 semanas
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&amp de la memoria de los circuitos integrados EMMC64G-TY29-5B111 de IC; Almacenamiento de datos

&amp de la memoria de los circuitos integrados EMMC64G-TY29-5B111 de IC; Almacenamiento de datos

Mfr. #: EMMC64G-TY29-5B111
Mfr.: Kingston
Descripción: eMMC 5,1 (HS400) 153B 64GB del eMMC 64GB
Plazo de obtención de la fábrica: 4 semanas
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Circuitos integrados MT40A2G8SA-062E de IC: &amp de la memoria de F FBGA; Almacenamiento de datos

Circuitos integrados MT40A2G8SA-062E de IC: &amp de la memoria de F FBGA; Almacenamiento de datos

Mfr. #: MT40A2G8SA-062E: F
Mfr.: Micrón
Descripción: COPITA DDR4 16G 2GX8 FBGA
Plazo de obtención de la fábrica: 6 semanas
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Circuitos integrados MT53E1G32D2FW-046 las TIC de IC: &amp de la memoria de B TR FBGA; Almacenamiento de datos

Circuitos integrados MT53E1G32D2FW-046 las TIC de IC: &amp de la memoria de B TR FBGA; Almacenamiento de datos

Mfr. #: MT53E1G32D2FW-046 LAS TIC: B TR
Mfr.: Micrón
Descripción: COPITA LPDDR4 32G 1GX32 FBGA DDP
Plazo de obtención de la fábrica: 9 semanas
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PESO de los circuitos integrados MT53E1G32D2FW-046 de IC: &amp de la memoria de B TR FBGA; Almacenamiento de datos

PESO de los circuitos integrados MT53E1G32D2FW-046 de IC: &amp de la memoria de B TR FBGA; Almacenamiento de datos

Mfr. #: PESO MT53E1G32D2FW-046: B TR
Mfr.: Micrón
Descripción: COPITA LPDDR4 32G 1GX32 FBGA DDP
Plazo de obtención de la fábrica: 4 semanas
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&amp de la memoria de los circuitos integrados SDINBDG4-8G-XI2 de IC; Almacenamiento de datos

&amp de la memoria de los circuitos integrados SDINBDG4-8G-XI2 de IC; Almacenamiento de datos

Mfr. #: SDINBDG4-8G-XI2
Mfr.: SanDisk
Descripción: eMMC WD/SD
Plazo de obtención de la fábrica: Semanas
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&amp de la memoria de los circuitos integrados W25N04KVZEIR de IC; Almacenamiento de datos

&amp de la memoria de los circuitos integrados W25N04KVZEIR de IC; Almacenamiento de datos

Mfr. #: W25N04KVZEIR
Mfr.: WINBOND
Descripción: Flash serial de NAND Flash 4G-bit NAND, 3V
Plazo de obtención de la fábrica: 10 semanas
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