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Schlüsselwörter [ smd memory integrated circuits ] Spiel 3183 produits.
&amp Gedächtnis IC-integrierter Schaltungen AT25XE512C-XMHN-T TSSOP-8; Datenspeicherung

&amp Gedächtnis IC-integrierter Schaltungen AT25XE512C-XMHN-T TSSOP-8; Datenspeicherung

Mfr. #: AT25XE512C-XMHN-T
Mfr.: Renesas/Dialog
Beschreibung: NOCH Blitz 512 Kbit, weit Vcc (1.7V zu 3.6V), -40C zu 85C, TSSOP (Band & Spule), Fusion (einzeln
Fabrik-Vorbereitungszeit: 32 Wochen
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&amp Gedächtnis IC-integrierter Schaltungen AT25SF161B-SSHB-T SOP-Narrow-8; Datenspeicherung

&amp Gedächtnis IC-integrierter Schaltungen AT25SF161B-SSHB-T SOP-Narrow-8; Datenspeicherung

Mfr. #: AT25SF161B-SSHB-T
Mfr.: Renesas/Dialog
Beschreibung: NOCH Blitz 16 Mbit, 3.0V (2.7V zu 3.6V), -40C zu 85C, SOIC-N 150mil (Band & Spule), einzeln, Dop
Fabrik-Vorbereitungszeit: 18 Wochen
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&amp Gedächtnis IC-integrierter Schaltungen AT25SL128A-UUE-T WLCSP-21; Datenspeicherung

&amp Gedächtnis IC-integrierter Schaltungen AT25SL128A-UUE-T WLCSP-21; Datenspeicherung

Mfr. #: AT25SL128A-UUE-T
Mfr.: Renesas/Dialog
Beschreibung: NOCH Blitz 128 Mbit, 1.8V (1.7V zu 2V), -40C zu 85C, WLCSP (Band & Spule), einzeln, Doppel, Vier
Fabrik-Vorbereitungszeit: 29 Wochen
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&amp Gedächtnis IC-integrierter Schaltungen AT25XE041B-MAHN-T UDFN-8; Datenspeicherung

&amp Gedächtnis IC-integrierter Schaltungen AT25XE041B-MAHN-T UDFN-8; Datenspeicherung

Mfr. #: AT25XE041B-MAHN-T
Mfr.: Renesas/Dialog
Beschreibung: NOCH Blitz 4 Mbit, weit Vcc (1.65V zu 3.6V), -40C zu 85C, DFN 2x3 (Band & Spule), Fusion (einzel
Fabrik-Vorbereitungszeit: 31 Wochen
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&amp Gedächtnis IC-integrierter Schaltungen AT25SL128A-MHE-T UDFN-8; Datenspeicherung

&amp Gedächtnis IC-integrierter Schaltungen AT25SL128A-MHE-T UDFN-8; Datenspeicherung

Mfr. #: AT25SL128A-MHE-T
Mfr.: Renesas/Dialog
Beschreibung: NOCH Blitz 128 Mbit, 1.8V (1.7V zu 2V), -40C zu 85C, DFN 5x6 (Band & Spule), einzeln, Doppel, Vi
Fabrik-Vorbereitungszeit: 29 Wochen
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&amp Gedächtnis IC-integrierter Schaltungen AT25SF321B-MHB-T UDFN-8; Datenspeicherung

&amp Gedächtnis IC-integrierter Schaltungen AT25SF321B-MHB-T UDFN-8; Datenspeicherung

Mfr. #: AT25SF321B-MHB-T
Mfr.: Renesas/Dialog
Beschreibung: NOCH Blitz 32 Mbit, 3.0V (2.7V zu 3.6V), -40C zu 85C, DFN 5x6 (Band & Spule), einzeln, Doppel, V
Fabrik-Vorbereitungszeit: 32 Wochen
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&amp Gedächtnis IC-integrierter Schaltungen N24C32UDTG US-8; Datenspeicherung

&amp Gedächtnis IC-integrierter Schaltungen N24C32UDTG US-8; Datenspeicherung

Mfr. #: N24C32UDTG
Mfr.: onsemi
Beschreibung: EEPROM EEPROM Serien-32-Kb I2C, Paket 32Kb I2C SER EEPROM, industrieller Grad, Führung US 8 Paket US
Fabrik-Vorbereitungszeit: 51 Wochen
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IC Integrated Circuits AM6442BSEFHAALV FCBGA-441 Mikroprozessoren – MPU

IC Integrated Circuits AM6442BSEFHAALV FCBGA-441 Mikroprozessoren – MPU

Mfr. #: AM6442BSEFHAALV
Mfr.: Texas Instruments
Beschreibung: Mikroprozessoren - MPU-Doppel-Kern 64-Bit-Arm Cortex-A53, Viererkabelkern Cortex-R5F, PCIe, USB 3,0
Fabrik-Vorbereitungszeit: 26 Wochen
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&amp Gedächtnis IC-integrierter Schaltungen EMMC128-TY29-5B111; Datenspeicherung

&amp Gedächtnis IC-integrierter Schaltungen EMMC128-TY29-5B111; Datenspeicherung

Mfr. #: EMMC128-TY29-5B111
Mfr.: Kingston
Beschreibung: eMMC 128GB eMMC 5,1 (HS400) 153B
Fabrik-Vorbereitungszeit: 4 Wochen
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&amp Gedächtnis IC-integrierter Schaltungen EMMC64G-TY29-5B111; Datenspeicherung

&amp Gedächtnis IC-integrierter Schaltungen EMMC64G-TY29-5B111; Datenspeicherung

Mfr. #: EMMC64G-TY29-5B111
Mfr.: Kingston
Beschreibung: eMMC 64GB eMMC 5,1 (HS400) 153B 64GB
Fabrik-Vorbereitungszeit: 4 Wochen
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IC-integrierte Schaltungen MT40A2G8SA-062E: &amp Gedächtnis F FBGA; Datenspeicherung

IC-integrierte Schaltungen MT40A2G8SA-062E: &amp Gedächtnis F FBGA; Datenspeicherung

Mfr. #: MT40A2G8SA-062E: F
Mfr.: Mikrometer
Beschreibung: D-RAM DDR4 16G 2GX8 FBGA
Fabrik-Vorbereitungszeit: 6 Wochen
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IC-integrierte Schaltungen MT53E1G32D2FW-046 IT: &amp Gedächtnis B TR FBGA; Datenspeicherung

IC-integrierte Schaltungen MT53E1G32D2FW-046 IT: &amp Gedächtnis B TR FBGA; Datenspeicherung

Mfr. #: MT53E1G32D2FW-046 IT: B TR
Mfr.: Mikrometer
Beschreibung: D-RAM LPDDR4 32G 1GX32 FBGA DDP
Fabrik-Vorbereitungszeit: 9 Wochen
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GEWICHT IC-integrierter Schaltungen MT53E1G32D2FW-046: &amp Gedächtnis B TR FBGA; Datenspeicherung

GEWICHT IC-integrierter Schaltungen MT53E1G32D2FW-046: &amp Gedächtnis B TR FBGA; Datenspeicherung

Mfr. #: GEWICHT MT53E1G32D2FW-046: B TR
Mfr.: Mikrometer
Beschreibung: D-RAM LPDDR4 32G 1GX32 FBGA DDP
Fabrik-Vorbereitungszeit: 4 Wochen
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&amp Gedächtnis IC-integrierter Schaltungen SDINBDG4-8G-XI2; Datenspeicherung

&amp Gedächtnis IC-integrierter Schaltungen SDINBDG4-8G-XI2; Datenspeicherung

Mfr. #: SDINBDG4-8G-XI2
Mfr.: SanDisk
Beschreibung: eMMC WD/SD
Fabrik-Vorbereitungszeit: Wochen
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&amp Gedächtnis IC-integrierter Schaltungen W25N04KVZEIR; Datenspeicherung

&amp Gedächtnis IC-integrierter Schaltungen W25N04KVZEIR; Datenspeicherung

Mfr. #: W25N04KVZEIR
Mfr.: WINBOND
Beschreibung: NAND Flash 4G-bit Serien-NAND-Blitz, 3V
Fabrik-Vorbereitungszeit: 10 Wochen
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