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parole chiave [ smd memory integrated circuits ] incontro 3183 prodotti.
&amp di memoria dei circuiti integrati AT25XE512C-XMHN-T TSSOP-8 di IC; Archiviazione di dati

&amp di memoria dei circuiti integrati AT25XE512C-XMHN-T TSSOP-8 di IC; Archiviazione di dati

Mfr. #: AT25XE512C-XMHN-T
Mfr.: Renesas/dialogo
Descrizione: NÉ flash 512 Kbit, largamente Vcc (1.7V a 3.6V), -40C a 85C, TSSOP (& del nastro; Bobina), fusion
Tempo d'esecuzione della fabbrica: 32 settimane
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&amp di memoria dei circuiti integrati AT25SF161B-SSHB-T SOP-Narrow-8 di IC; Archiviazione di dati

&amp di memoria dei circuiti integrati AT25SF161B-SSHB-T SOP-Narrow-8 di IC; Archiviazione di dati

Mfr. #: AT25SF161B-SSHB-T
Mfr.: Renesas/dialogo
Descrizione: NÉ flash 16 Mbit, 3.0V (2.7V a 3.6V), -40C a 85C, SOIC-N 150mil (& del nastro; Bobina), singolo,
Tempo d'esecuzione della fabbrica: 18 settimane
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&amp di memoria dei circuiti integrati AT25SL128A-UUE-T WLCSP-21 di IC; Archiviazione di dati

&amp di memoria dei circuiti integrati AT25SL128A-UUE-T WLCSP-21 di IC; Archiviazione di dati

Mfr. #: AT25SL128A-UUE-T
Mfr.: Renesas/dialogo
Descrizione: NÉ flash 128 Mbit, 1.8V (1.7V a 2V), -40C a 85C, WLCSP (& del nastro; Bobina), singolo, doppio, q
Tempo d'esecuzione della fabbrica: 29 settimane
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&amp di memoria dei circuiti integrati AT25XE041B-MAHN-T UDFN-8 di IC; Archiviazione di dati

&amp di memoria dei circuiti integrati AT25XE041B-MAHN-T UDFN-8 di IC; Archiviazione di dati

Mfr. #: AT25XE041B-MAHN-T
Mfr.: Renesas/dialogo
Descrizione: NÉ flash 4 Mbit, largamente Vcc (1.65V a 3.6V), -40C a 85C, DFN 2x3 (& del nastro; Bobina), fusio
Tempo d'esecuzione della fabbrica: 31 settimana
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&amp di memoria dei circuiti integrati AT25SL128A-MHE-T UDFN-8 di IC; Archiviazione di dati

&amp di memoria dei circuiti integrati AT25SL128A-MHE-T UDFN-8 di IC; Archiviazione di dati

Mfr. #: AT25SL128A-MHE-T
Mfr.: Renesas/dialogo
Descrizione: NÉ flash 128 Mbit, 1.8V (1.7V a 2V), -40C a 85C, DFN 5x6 (& del nastro; Bobina), singolo, doppio,
Tempo d'esecuzione della fabbrica: 29 settimane
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&amp di memoria dei circuiti integrati AT25SF321B-MHB-T UDFN-8 di IC; Archiviazione di dati

&amp di memoria dei circuiti integrati AT25SF321B-MHB-T UDFN-8 di IC; Archiviazione di dati

Mfr. #: AT25SF321B-MHB-T
Mfr.: Renesas/dialogo
Descrizione: NÉ flash 32 Mbit, 3.0V (2.7V a 3.6V), -40C a 85C, DFN 5x6 (& del nastro; Bobina), singolo, doppio
Tempo d'esecuzione della fabbrica: 32 settimane
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&amp di memoria dei circuiti integrati N24C32UDTG US-8 di IC; Archiviazione di dati

&amp di memoria dei circuiti integrati N24C32UDTG US-8 di IC; Archiviazione di dati

Mfr. #: N24C32UDTG
Mfr.: onsemi
Descrizione: EEPROM EEPROM 32-Kb di serie I2C, pacchetto 32Kb I2C SER EEPROM, grado industriale, del cavo degli S
Tempo d'esecuzione della fabbrica: 51 settimana
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Circuiti integrati CI AM6442BSEFHAALV FCBGA-441 Microprocessori - MPU

Circuiti integrati CI AM6442BSEFHAALV FCBGA-441 Microprocessori - MPU

Mfr. #: AM6442BSEFHAALV
Mfr.: Texas Instruments
Descrizione: Microprocessori - braccio dual core Cortex-A53 di 64 bit del MPU, il quadrato-centro Cortex-R5F, PCI
Tempo d'esecuzione della fabbrica: 26 settimane
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&amp di memoria dei circuiti integrati EMMC128-TY29-5B111 di IC; Archiviazione di dati

&amp di memoria dei circuiti integrati EMMC128-TY29-5B111 di IC; Archiviazione di dati

Mfr. #: EMMC128-TY29-5B111
Mfr.: Kingston
Descrizione: eMMC 5,1 (HS400) 153B del eMMC 128GB
Tempo d'esecuzione della fabbrica: 4 settimane
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&amp di memoria dei circuiti integrati EMMC64G-TY29-5B111 di IC; Archiviazione di dati

&amp di memoria dei circuiti integrati EMMC64G-TY29-5B111 di IC; Archiviazione di dati

Mfr. #: EMMC64G-TY29-5B111
Mfr.: Kingston
Descrizione: eMMC 5,1 (HS400) 153B 64GB del eMMC 64GB
Tempo d'esecuzione della fabbrica: 4 settimane
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Circuiti integrati MT40A2G8SA-062E di IC: &amp di memoria di F FBGA; Archiviazione di dati

Circuiti integrati MT40A2G8SA-062E di IC: &amp di memoria di F FBGA; Archiviazione di dati

Mfr. #: MT40A2G8SA-062E: F
Mfr.: Micron
Descrizione: DRAM DDR4 16G 2GX8 FBGA
Tempo d'esecuzione della fabbrica: 6 settimane
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Circuiti integrati MT53E1G32D2FW-046 l'IT di IC: &amp di memoria di B TR FBGA; Archiviazione di dati

Circuiti integrati MT53E1G32D2FW-046 l'IT di IC: &amp di memoria di B TR FBGA; Archiviazione di dati

Mfr. #: MT53E1G32D2FW-046 L'IT: B TR
Mfr.: Micron
Descrizione: DRAM LPDDR4 32G 1GX32 FBGA DDP
Tempo d'esecuzione della fabbrica: 9 settimane
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PESO dei circuiti integrati MT53E1G32D2FW-046 di IC: &amp di memoria di B TR FBGA; Archiviazione di dati

PESO dei circuiti integrati MT53E1G32D2FW-046 di IC: &amp di memoria di B TR FBGA; Archiviazione di dati

Mfr. #: PESO MT53E1G32D2FW-046: B TR
Mfr.: Micron
Descrizione: DRAM LPDDR4 32G 1GX32 FBGA DDP
Tempo d'esecuzione della fabbrica: 4 settimane
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&amp di memoria dei circuiti integrati SDINBDG4-8G-XI2 di IC; Archiviazione di dati

&amp di memoria dei circuiti integrati SDINBDG4-8G-XI2 di IC; Archiviazione di dati

Mfr. #: SDINBDG4-8G-XI2
Mfr.: Il SanDisk
Descrizione: eMMC WD/SD
Tempo d'esecuzione della fabbrica: Settimane
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&amp di memoria dei circuiti integrati W25N04KVZEIR di IC; Archiviazione di dati

&amp di memoria dei circuiti integrati W25N04KVZEIR di IC; Archiviazione di dati

Mfr. #: W25N04KVZEIR
Mfr.: WINBOND
Descrizione: Flash di serie di NAND Flash 4G-bit NAND, 3V
Tempo d'esecuzione della fabbrica: 10 settimane
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