| カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
|---|---|
| メモリサイズ: | 8Kbit |
| 製品の状況: | アクティブ |
| マウントタイプ: | 穴を抜ける |
| パッケージ: | トューブ |
| カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
|---|---|
| メモリサイズ: | 16Kbit |
| 製品の状況: | アクティブ |
| マウントタイプ: | 表面マウント |
| パッケージ: | トューブ |
| カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
|---|---|
| メモリサイズ: | 2Mbit |
| 製品の状況: | アクティブ |
| マウントタイプ: | 表面マウント |
| パッケージ: | テープ&ロール (TR) |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 ダイオード 矯正器 シングルダイオード |
|---|---|
| 製品の状況: | アクティブ |
| 電流 - 逆流出 @ Vr: | 2.5 mA @ 400V |
| マウントタイプ: | シャーシマウント |
| 電圧 - 前向き (Vf) (最大): | 1.5V @ 500A |
| カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
|---|---|
| メモリサイズ: | 8Kbit |
| 製品の状況: | アクティブ |
| マウントタイプ: | 表面マウント |
| パッケージ: | テープ&ロール (TR) |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 ダイオード 矯正器 シングルダイオード |
|---|---|
| 製品の状況: | アクティブ |
| 電流 - 逆流出 @ Vr: | 10 μA @ 200 V |
| マウントタイプ: | 穴を抜ける |
| 電圧 - 前向き (Vf) (最大): | 1.25V @ 1A |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 ダイオード 矯正器 シングルダイオード |
|---|---|
| 製品の状況: | アクティブ |
| 動作温度 - 交差点: | - |
| マウントタイプ: | 表面マウント |
| パッケージ: | トューブ |
| カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
|---|---|
| メモリサイズ: | 4Mbit |
| 製品の状況: | アクティブ |
| マウントタイプ: | 表面マウント |
| パッケージ: | テープ&ロール (TR) |
| カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
|---|---|
| メモリサイズ: | 128Kbit |
| 製品の状況: | アクティブ |
| マウントタイプ: | 表面マウント |
| パッケージ: | トューブ |
| カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
|---|---|
| メモリサイズ: | 8Kbit |
| 製品の状況: | アクティブ |
| マウントタイプ: | 表面マウント |
| パッケージ: | テープ&ロール (TR) |
| カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
|---|---|
| メモリサイズ: | 2Mbit |
| 製品の状況: | アクティブ |
| マウントタイプ: | 表面マウント |
| パッケージ: | トューブ |
| カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
|---|---|
| メモリサイズ: | 16Kbit |
| 製品の状況: | アクティブ |
| マウントタイプ: | 表面マウント |
| パッケージ: | テープ&ロール (TR) |
| カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
|---|---|
| メモリサイズ: | 64Kbit |
| 製品の状況: | アクティブ |
| マウントタイプ: | 穴を抜ける |
| パッケージ: | トューブ |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 ダイオード 矯正器 シングルダイオード |
|---|---|
| 製品の状況: | アクティブ |
| 電流 - 逆流出 @ Vr: | 5 μA @ 50 V |
| マウントタイプ: | 穴を抜ける |
| 電圧 - 前向き (Vf) (最大): | 875 mV @ 4 A |
