| カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
|---|---|
| メモリサイズ: | 8Kbit |
| 製品の状況: | アクティブ |
| マウントタイプ: | 表面マウント |
| パッケージ: | テープ&ロール (TR) |
| カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
|---|---|
| メモリサイズ: | 4Kbit |
| 製品の状況: | アクティブ |
| マウントタイプ: | 表面マウント |
| パッケージ: | テープ&ロール (TR) |
| カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
|---|---|
| メモリサイズ: | 4Kbit |
| 製品の状況: | アクティブ |
| マウントタイプ: | 表面マウント |
| パッケージ: | トューブ |
| カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
|---|---|
| メモリサイズ: | 4Kbit |
| 製品の状況: | アクティブ |
| マウントタイプ: | 表面マウント |
| パッケージ: | テープ&ロール (TR) |
| カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
|---|---|
| メモリサイズ: | 4Kbit |
| 製品の状況: | アクティブ |
| マウントタイプ: | 表面マウント |
| パッケージ: | トューブ |
| カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
|---|---|
| メモリサイズ: | 4Kbit |
| 製品の状況: | アクティブ |
| マウントタイプ: | 表面マウント |
| パッケージ: | トューブ |
| カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
|---|---|
| メモリサイズ: | 4Kbit |
| 製品の状況: | アクティブ |
| マウントタイプ: | 表面マウント |
| パッケージ: | トューブ |
| カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
|---|---|
| メモリサイズ: | 8Kbit |
| 製品の状況: | アクティブ |
| マウントタイプ: | 表面マウント |
| パッケージ: | トューブ |
| カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
|---|---|
| メモリサイズ: | 2Kbit |
| 製品の状況: | アクティブ |
| マウントタイプ: | 表面マウント |
| パッケージ: | テープ&ロール (TR) |
| カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
|---|---|
| メモリサイズ: | 2Kbit |
| 製品の状況: | アクティブ |
| マウントタイプ: | 表面マウント |
| パッケージ: | トューブ |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 ダイオード 矯正器 シングルダイオード |
|---|---|
| 製品の状況: | アクティブ |
| 電流 - 逆流出 @ Vr: | 1つのµA @ 100ボルト |
| マウントタイプ: | 穴を抜ける |
| 電圧 - 前向き (Vf) (最大): | 875 mV @ 1 A |
| カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
|---|---|
| メモリサイズ: | 2Kbit |
| 製品の状況: | アクティブ |
| マウントタイプ: | 表面マウント |
| パッケージ: | トューブ |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 ダイオード 矯正器 シングルダイオード |
|---|---|
| 製品の状況: | アクティブ |
| 電流 - 逆流出 @ Vr: | 1nA @ 125V |
| マウントタイプ: | 表面マウント |
| 電圧 - 前向き (Vf) (最大): | 1V @ 200mA |
| カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
|---|---|
| メモリサイズ: | 2Kbit |
| 製品の状況: | アクティブ |
| マウントタイプ: | 表面マウント |
| パッケージ: | テープ&ロール (TR) |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 ダイオード 矯正器 シングルダイオード |
|---|---|
| 製品の状況: | アクティブ |
| 電流 - 逆流出 @ Vr: | 100 μA @ 30 V |
| マウントタイプ: | 穴を抜ける |
| 電圧 - 前向き (Vf) (最大): | 600 mV @ 1 A |
