IC วงจรบูรณาการ 93AA76CT-I/SN
ประเภท: | เครื่องวงจรบูรณาการ (IC) ความจํา ความจํา |
---|---|
ขนาดหน่วยความจำ: | 8Kbit |
สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
แพ็คเกจ: | เทป & รีล (TR) |
ประเภท: | เครื่องวงจรบูรณาการ (IC) ความจํา ความจํา |
---|---|
ขนาดหน่วยความจำ: | 8Kbit |
สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
แพ็คเกจ: | เทป & รีล (TR) |
ประเภท: | เครื่องวงจรบูรณาการ (IC) ความจํา ความจํา |
---|---|
ขนาดหน่วยความจำ: | 4Kbit |
สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
แพ็คเกจ: | เทป & รีล (TR) |
ประเภท: | เครื่องวงจรบูรณาการ (IC) ความจํา ความจํา |
---|---|
ขนาดหน่วยความจำ: | 4Kbit |
สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
แพ็คเกจ: | ท่อ |
ประเภท: | เครื่องวงจรบูรณาการ (IC) ความจํา ความจํา |
---|---|
ขนาดหน่วยความจำ: | 4Kbit |
สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
แพ็คเกจ: | เทป & รีล (TR) |
ประเภท: | เครื่องวงจรบูรณาการ (IC) ความจํา ความจํา |
---|---|
ขนาดหน่วยความจำ: | 4Kbit |
สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
แพ็คเกจ: | ท่อ |
ประเภท: | เครื่องวงจรบูรณาการ (IC) ความจํา ความจํา |
---|---|
ขนาดหน่วยความจำ: | 4Kbit |
สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
แพ็คเกจ: | ท่อ |
ประเภท: | เครื่องวงจรบูรณาการ (IC) ความจํา ความจํา |
---|---|
ขนาดหน่วยความจำ: | 4Kbit |
สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
แพ็คเกจ: | ท่อ |
ประเภท: | เครื่องวงจรบูรณาการ (IC) ความจํา ความจํา |
---|---|
ขนาดหน่วยความจำ: | 8Kbit |
สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
แพ็คเกจ: | ท่อ |
ประเภท: | เครื่องวงจรบูรณาการ (IC) ความจํา ความจํา |
---|---|
ขนาดหน่วยความจำ: | 2Kbit |
สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
แพ็คเกจ: | เทป & รีล (TR) |
ประเภท: | เครื่องวงจรบูรณาการ (IC) ความจํา ความจํา |
---|---|
ขนาดหน่วยความจำ: | 2Kbit |
สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
แพ็คเกจ: | ท่อ |
ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว |
---|---|
สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 1 µA @ 100 V |
ประเภทการติดตั้ง: | ผ่านหลุม |
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: | 875 มิลลิโวลต์ @ 1 ก |
ประเภท: | เครื่องวงจรบูรณาการ (IC) ความจํา ความจํา |
---|---|
ขนาดหน่วยความจำ: | 2Kbit |
สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
แพ็คเกจ: | ท่อ |
ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว |
---|---|
สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 1 นาโน @ 125 โวลต์ |
ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: | 1 โวลต์ @ 200 มิลลิแอมป์ |
ประเภท: | เครื่องวงจรบูรณาการ (IC) ความจํา ความจํา |
---|---|
ขนาดหน่วยความจำ: | 2Kbit |
สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
แพ็คเกจ: | เทป & รีล (TR) |
ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว |
---|---|
สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 100 μA @ 30 V |
ประเภทการติดตั้ง: | ผ่านหลุม |
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: | 600 มิลลิโวลต์ @ 1 ก |