| カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
|---|---|
| メモリサイズ: | 1Kbit |
| 製品の状況: | アクティブ |
| マウントタイプ: | 穴を抜ける |
| パッケージ: | トューブ |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 ダイオード ゼナー シングルゼナーダイオード |
|---|---|
| 製品の状況: | アクティブ |
| 電流 - 逆流出 @ Vr: | 1 μA @ 8.4 V |
| 電圧 - ゼナー (Nom) (Vz): | 11V |
| 電圧 - 前向き (Vf) (最大): | 1.2V @ 200mA |
| カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
|---|---|
| メモリサイズ: | 32Kbit |
| 製品の状況: | アクティブ |
| マウントタイプ: | 表面マウント |
| パッケージ: | トューブ |
| カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
|---|---|
| メモリサイズ: | 16Kbit |
| 製品の状況: | アクティブ |
| マウントタイプ: | 表面マウント |
| パッケージ: | テープ&ロール (TR) 切断テープ (CT) Digi-Reel® |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 ダイオード ゼナー シングルゼナーダイオード |
|---|---|
| 製品の状況: | アクティブ |
| 電流 - 逆流出 @ Vr: | 5 μA @ 6.5 V |
| 電圧 - ゼナー (Nom) (Vz): | 8.2V |
| 電圧 - 前向き (Vf) (最大): | 1.2V @ 200mA |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 ダイオード ゼナー シングルゼナーダイオード |
|---|---|
| 製品の状況: | アクティブ |
| 電流 - 逆流出 @ Vr: | 5 μA @ 4 V |
| 電圧 - ゼナー (Nom) (Vz): | 6.2V |
| 電圧 - 前向き (Vf) (最大): | 1.2V @ 200mA |
| カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
|---|---|
| メモリサイズ: | 32Kbit |
| 製品の状況: | アクティブ |
| マウントタイプ: | 表面マウント |
| パッケージ: | テープ&ロール (TR) 切断テープ (CT) Digi-Reel® |
| カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
|---|---|
| メモリサイズ: | 2Kbit |
| 製品の状況: | アクティブ |
| マウントタイプ: | 表面マウント |
| パッケージ: | トューブ |
| カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
|---|---|
| メモリサイズ: | 2Kbit |
| 製品の状況: | アクティブ |
| マウントタイプ: | 穴を抜ける |
| パッケージ: | トューブ |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 ダイオード ゼナー シングルゼナーダイオード |
|---|---|
| 製品の状況: | アクティブ |
| 電流 - 逆流出 @ Vr: | 25 μA @ 1 V |
| 電圧 - ゼナー (Nom) (Vz): | 3.9V |
| 電圧 - 前向き (Vf) (最大): | 1.2V @ 200mA |
| カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
|---|---|
| メモリサイズ: | 4Kbit |
| 製品の状況: | アクティブ |
| マウントタイプ: | 穴を抜ける |
| パッケージ: | トューブ |
| カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
|---|---|
| メモリサイズ: | 1Mbit |
| 製品の状況: | アクティブ |
| マウントタイプ: | 表面マウント |
| パッケージ: | テープ&ロール (TR) 切断テープ (CT) Digi-Reel® |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 ダイオード ゼナー シングルゼナーダイオード |
|---|---|
| 製品の状況: | アクティブ |
| 電流 - 逆流出 @ Vr: | 5 μA @ 62.2 V |
| 電圧 - ゼナー (Nom) (Vz): | 82V |
| 電圧 - 前向き (Vf) (最大): | 1.2V @ 200mA |
