IC統合回路 2N2609
カテゴリー: | 離散半導体製品 トランジスタ JFET |
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FETのタイプ: | P-Channel |
製品の状況: | アクティブ |
電圧-故障(V (BR) GSS): | 30ボルト |
マウントタイプ: | 穴を抜ける |
カテゴリー: | 離散半導体製品 トランジスタ JFET |
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FETのタイプ: | P-Channel |
製品の状況: | アクティブ |
電圧-故障(V (BR) GSS): | 30ボルト |
マウントタイプ: | 穴を抜ける |
カテゴリー: | 離散半導体製品 トランジスタ JFET |
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FETのタイプ: | P-Channel |
製品の状況: | アクティブ |
電圧-故障(V (BR) GSS): | 30ボルト |
マウントタイプ: | 穴を抜ける |
カテゴリー: | 離散半導体製品 トランジスタ JFET |
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FETのタイプ: | N-Channel |
製品の状況: | アクティブ |
電圧-故障(V (BR) GSS): | 30ボルト |
マウントタイプ: | 穴を抜ける |
カテゴリー: | 離散半導体製品 トランジスタ JFET |
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FETのタイプ: | N-Channel |
製品の状況: | アクティブ |
マウントタイプ: | 表面マウント |
パッケージ: | 散装品 |
カテゴリー: | 離散半導体製品 トランジスタ JFET |
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FETのタイプ: | N-Channel |
製品の状況: | アクティブ |
電圧-故障(V (BR) GSS): | 30ボルト |
マウントタイプ: | 穴を抜ける |
カテゴリー: | 集積回路 (IC) 埋め込み PLD (プログラム可能な論理装置) |
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マクロセル数: | 10 |
製品の状況: | 時代遅れ |
マウントタイプ: | 表面マウント |
パッケージ: | トューブ |
カテゴリー: | 集積回路 (IC) 埋め込み PLD (プログラム可能な論理装置) |
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マクロセル数: | 10 |
製品の状況: | 時代遅れ |
マウントタイプ: | 穴を抜ける |
パッケージ: | トューブ |
カテゴリー: | 集積回路 (IC) 埋め込み PLD (プログラム可能な論理装置) |
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マクロセル数: | 10 |
製品の状況: | 時代遅れ |
マウントタイプ: | 穴を抜ける |
パッケージ: | トューブ |
カテゴリー: | 集積回路 (IC) 埋め込み PLD (プログラム可能な論理装置) |
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マクロセル数: | 10 |
製品の状況: | 時代遅れ |
マウントタイプ: | 表面マウント |
パッケージ: | トューブ |
カテゴリー: | 集積回路 (IC) 埋め込み PLD (プログラム可能な論理装置) |
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マクロセル数: | 10 |
製品の状況: | 時代遅れ |
マウントタイプ: | 表面マウント |
パッケージ: | トューブ |
カテゴリー: | 集積回路 (IC) 埋め込み PLD (プログラム可能な論理装置) |
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マクロセル数: | 10 |
製品の状況: | 時代遅れ |
マウントタイプ: | 表面マウント |
パッケージ: | トューブ |
カテゴリー: | 集積回路 (IC) 埋め込み PLD (プログラム可能な論理装置) |
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マクロセル数: | 10 |
製品の状況: | 時代遅れ |
マウントタイプ: | 穴を抜ける |
パッケージ: | トューブ |
カテゴリー: | 集積回路 (IC) 埋め込み PLD (プログラム可能な論理装置) |
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マクロセル数: | 10 |
製品の状況: | 時代遅れ |
マウントタイプ: | 表面マウント |
パッケージ: | トューブ |
カテゴリー: | 集積回路 (IC) 埋め込み PLD (プログラム可能な論理装置) |
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マクロセル数: | 10 |
製品の状況: | 時代遅れ |
マウントタイプ: | 穴を抜ける |
パッケージ: | トューブ |
カテゴリー: | 集積回路 (IC) 埋め込み PLD (プログラム可能な論理装置) |
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マクロセル数: | 10 |
製品の状況: | 時代遅れ |
マウントタイプ: | 表面マウント |
パッケージ: | トューブ |