IC 통합 회로 2N2609
분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 JFET |
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FET은 타이핑합니다: | P-채널 |
제품 상태: | 액티브 |
전압 - 고장 (V(BR)GSS): | 30V |
장착형: | 구멍을 통해 |
분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 JFET |
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FET은 타이핑합니다: | P-채널 |
제품 상태: | 액티브 |
전압 - 고장 (V(BR)GSS): | 30V |
장착형: | 구멍을 통해 |
분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 JFET |
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FET은 타이핑합니다: | P-채널 |
제품 상태: | 액티브 |
전압 - 고장 (V(BR)GSS): | 30V |
장착형: | 구멍을 통해 |
분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 JFET |
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FET은 타이핑합니다: | 엔-채널 |
제품 상태: | 액티브 |
전압 - 고장 (V(BR)GSS): | 30V |
장착형: | 구멍을 통해 |
분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 JFET |
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FET은 타이핑합니다: | 엔-채널 |
제품 상태: | 액티브 |
전압 - 고장 (V(BR)GSS): | 30V |
장착형: | 구멍을 통해 |
분류: | 집적회로(IC) 임베디드 PLD(프로그래밍 가능 논리 장치) |
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매크로셀의 수: | 10 |
제품 상태: | 구식 |
장착형: | 표면 마운트 |
패키지: | 튜브 |
분류: | 집적회로(IC) 임베디드 PLD(프로그래밍 가능 논리 장치) |
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매크로셀의 수: | 10 |
제품 상태: | 구식 |
장착형: | 구멍을 통해 |
패키지: | 튜브 |
분류: | 집적회로(IC) 임베디드 PLD(프로그래밍 가능 논리 장치) |
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매크로셀의 수: | 10 |
제품 상태: | 구식 |
장착형: | 구멍을 통해 |
패키지: | 튜브 |
분류: | 집적회로(IC) 임베디드 PLD(프로그래밍 가능 논리 장치) |
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매크로셀의 수: | 10 |
제품 상태: | 구식 |
장착형: | 표면 마운트 |
패키지: | 튜브 |
분류: | 집적회로(IC) 임베디드 PLD(프로그래밍 가능 논리 장치) |
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매크로셀의 수: | 10 |
제품 상태: | 구식 |
장착형: | 표면 마운트 |
패키지: | 튜브 |
분류: | 집적회로(IC) 임베디드 PLD(프로그래밍 가능 논리 장치) |
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매크로셀의 수: | 10 |
제품 상태: | 구식 |
장착형: | 표면 마운트 |
패키지: | 튜브 |
분류: | 집적회로(IC) 임베디드 PLD(프로그래밍 가능 논리 장치) |
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매크로셀의 수: | 10 |
제품 상태: | 구식 |
장착형: | 구멍을 통해 |
패키지: | 튜브 |
분류: | 집적회로(IC) 임베디드 PLD(프로그래밍 가능 논리 장치) |
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매크로셀의 수: | 10 |
제품 상태: | 구식 |
장착형: | 표면 마운트 |
패키지: | 튜브 |
분류: | 집적회로(IC) 임베디드 PLD(프로그래밍 가능 논리 장치) |
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매크로셀의 수: | 10 |
제품 상태: | 구식 |
장착형: | 구멍을 통해 |
패키지: | 튜브 |
분류: | 집적회로(IC) 임베디드 PLD(프로그래밍 가능 논리 장치) |
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매크로셀의 수: | 10 |
제품 상태: | 구식 |
장착형: | 표면 마운트 |
패키지: | 튜브 |