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商品の詳細:
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| 起源の場所: | 米国 |
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| ブランド名: | TI |
| モデル番号: | ISO5452QDWRQ1 |
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お支払配送条件:
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| 最小注文数量: | 50pcs |
| 価格: | RFQ |
| パッケージの詳細: | ESD/Vacuum/Foam/Cartons |
| 受渡し時間: | すぐに |
| 支払条件: | T/T、ウェスタン・ユニオンの条件付捺印証書、Paypalの査証、MoneyGram |
| 供給の能力: | RFQ |
ICの集積回路ISO5452QDWRQ1 SOIC-16はゲートの運転者を隔離した
製品の説明:
ISO5452-Q1は割れた出力、OUTHおよびOUTLが付いているIGBTsのための5.7-kVRMS、補強された隔離されたゲートの運転者およびMOSFETsであり、2.5-A源および5-A流しの流れを提供する。入力側面は単一2.25-Vから5.5-V供給に作動する。出力側面は最低15 Vからの最高30 V.に供給の範囲を可能にする。2つの補足CMOSの入力はゲートの運転者の出力状態を制御する。76 nsの短い伝播時間は出力段階の正確な制御を保証する。内部不飽和化（DESAT）の故障検出はIGBTが過電流状態にいつあるか確認する。DESATに検出しなさい、無言の論理はすぐにアイソレーターの出力を妨げ、OUTHを不具にする始め、そして2つのμsの時間上の低速にOUTLを引っ張るソフト回転プロシージャを。OUTLが達するとき最も否定的な供給の潜在性に関して2ボルトつ、VEE2はIGBTをすぐに消すVEE2潜在性へ、ゲートの運転者の出力引っ張られた堅い。
適用:
•隔離されたIGBTおよびMOSFETドライブ:– HEVおよびEV力モジュール–産業運動制御運転する–産業電源–太陽インバーター–誘導加熱
パラメータ テーブル:
| 製品特質 | 属性値 |
| 製造業者: | テキサス・インスツルメント |
| 製品カテゴリ: | 隔離されたゲートの運転者 |
| RoHS: | 肯定 |
| ブランド: | テキサス・インスツルメント |
| 様式の取付け: | SMD/SMT |
| 作動の供給の流れ: | 2.8 mA |
| 出力電流: | 5 A |
| 出力電圧: | 15ボルトから30ボルト |
| パッケージ/場合: | SOIC-16 |
| シリーズ: | ISO5452-Q1 |
| 操業停止: | 操業停止 |
| 工場パックの量: | 2000年 |
| 下位範疇: | PMIC -力管理IC |
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