IC統合回路 1N4148UR-1/TR
カテゴリー: | 離散半導体製品 ダイオード 矯正器 シングルダイオード |
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製品の状況: | アクティブ |
電流 - 逆流出 @ Vr: | 500 nA @ 75 V |
マウントタイプ: | 表面マウント |
電圧 - 前向き (Vf) (最大): | 1.2V @ 100mA |
カテゴリー: | 離散半導体製品 ダイオード 矯正器 シングルダイオード |
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製品の状況: | アクティブ |
電流 - 逆流出 @ Vr: | 500 nA @ 75 V |
マウントタイプ: | 表面マウント |
電圧 - 前向き (Vf) (最大): | 1.2V @ 100mA |
カテゴリー: | 離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET |
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FETの特徴: | - |
製品の状況: | アクティブ |
マウントタイプ: | 穴を抜ける |
Vgs ((最高) Th) @ ID: | 1.6V @ 1mA |
カテゴリー: | 離散半導体製品 ダイオード 矯正器 シングルダイオード |
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製品の状況: | アクティブ |
電流 - 逆流出 @ Vr: | 10 μA @ 400 V |
マウントタイプ: | 穴を抜ける |
電圧 - 前向き (Vf) (最大): | 1.25V @ 1A |
カテゴリー: | 離散半導体製品 ダイオード 矯正器 シングルダイオード |
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製品の状況: | アクティブ |
電流 - 逆流出 @ Vr: | 200 µA @ 1200ボルト |
マウントタイプ: | 穴を抜ける |
電圧 - 前向き (Vf) (最大): | 1.8 V @ 50 A |
カテゴリー: | 離散半導体製品 ダイオード 矯正器 シングルダイオード |
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製品の状況: | アクティブ |
実用温度-接続点: | - |
マウントタイプ: | 表面マウント |
パッケージ: | トューブ |
カテゴリー: | 離散半導体製品 ダイオード 矯正器 シングルダイオード |
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製品の状況: | アクティブ |
電流 - 逆流出 @ Vr: | 1つのµA @ 100ボルト |
マウントタイプ: | 表面マウント |
電圧 - 前向き (Vf) (最大): | 875 mV @ 1 A |
カテゴリー: | 離散半導体製品 ダイオード 矯正器 シングルダイオード |
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製品の状況: | アクティブ |
電流 - 逆流出 @ Vr: | 1 μA @ 1000V |
マウントタイプ: | 表面マウント |
電圧 - 前向き (Vf) (最大): | 1.2V @ 9A |
カテゴリー: | 離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET |
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FETの特徴: | - |
Vgs ((最高) Th) @ ID: | 2.6V @ 2mA |
動作温度: | -55°C~175°C (TJ) |
パッケージ/ケース: | TO-247-4 |
カテゴリー: | 離散半導体製品 ダイオード 矯正器 シングルダイオード |
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製品の状況: | アクティブ |
電流 - 逆流出 @ Vr: | 1 μA @ 400 V |
マウントタイプ: | 表面マウント |
電圧 - 前向き (Vf) (最大): | 1.5V @ 9A |
カテゴリー: | 離散半導体製品 ダイオード 矯正器 シングルダイオード |
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製品の状況: | アクティブ |
電流 - 逆流出 @ Vr: | 500 nA @ 400 V |
マウントタイプ: | 表面マウント |
電圧 - 前向き (Vf) (最大): | 1.6V @ 3A |
カテゴリー: | 離散半導体製品 ダイオード 矯正器 シングルダイオード |
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製品の状況: | アクティブ |
電流 - 逆流出 @ Vr: | 100 μA @ 1200 V |
マウントタイプ: | 穴を抜ける |
電圧 - 前向き (Vf) (最大): | 3.5V @ 15A |
カテゴリー: | 離散半導体製品 ダイオード 矯正器 シングルダイオード |
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製品の状況: | アクティブ |
実用温度-接続点: | - |
マウントタイプ: | 穴を抜ける |
電圧 - 前向き (Vf) (最大): | 1.5V @ 10A |
カテゴリー: | 離散半導体製品 ダイオード 矯正器 シングルダイオード |
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製品の状況: | アクティブ |
電流 - 逆流出 @ Vr: | 200 μA @ 700 V |
マウントタイプ: | 穴を抜ける |
電圧 - 前向き (Vf) (最大): | 1.8V @ 10A |
カテゴリー: | 離散半導体製品 ダイオード 矯正器 シングルダイオード |
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製品の状況: | アクティブ |
実用温度-接続点: | - |
マウントタイプ: | 穴を抜ける |
電圧 - 前向き (Vf) (最大): | 1.5V @ 10A |
カテゴリー: | 離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET |
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FETの特徴: | - |
製品の状況: | アクティブ |
マウントタイプ: | 穴を抜ける |
Vgs ((最高) Th) @ ID: | 3V @ 1mA |