| Kategoria: | Dyskretne produkty półprzewodnikowe Diody Prostowniki Pojedyncze diody |
|---|---|
| Status produktu: | Aktywny |
| Prąd — upływ wsteczny @ Vr: | 500 nA przy 75 V |
| Rodzaj montażu: | Powierzchnia |
| Napięcie — do przodu (Vf) (maks.) @ Jeśli: | 1,2 V przy 100 mA |
| Kategoria: | Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET Pojedyncze FET, MOSFET |
|---|---|
| Funkcja FET: | - |
| Status produktu: | Aktywny |
| Rodzaj montażu: | Przez dziurę |
| Vgs(th) (Maks.) @ Id: | 1,6 V przy 1 mA |
| Kategoria: | Dyskretne produkty półprzewodnikowe Diody Prostowniki Pojedyncze diody |
|---|---|
| Status produktu: | Aktywny |
| Prąd — upływ wsteczny @ Vr: | 10 µA przy 400 V |
| Rodzaj montażu: | Przez dziurę |
| Napięcie — do przodu (Vf) (maks.) @ Jeśli: | 1,25 V przy 1 A |
| Kategoria: | Dyskretne produkty półprzewodnikowe Diody Prostowniki Pojedyncze diody |
|---|---|
| Status produktu: | Aktywny |
| Prąd — upływ wsteczny @ Vr: | 200 μA przy 1200 V |
| Rodzaj montażu: | Przez dziurę |
| Napięcie — do przodu (Vf) (maks.) @ Jeśli: | 1,8 V przy 50 A |
| Kategoria: | Dyskretne produkty półprzewodnikowe Diody Prostowniki Pojedyncze diody |
|---|---|
| Status produktu: | Aktywny |
| Temperatura robocza — złącze: | - |
| Rodzaj montażu: | Powierzchnia |
| Pakiet: | rurka |
| Kategoria: | Dyskretne produkty półprzewodnikowe Diody Prostowniki Pojedyncze diody |
|---|---|
| Status produktu: | Aktywny |
| Prąd — upływ wsteczny @ Vr: | 1 µA przy 100 V |
| Rodzaj montażu: | Powierzchnia |
| Napięcie — do przodu (Vf) (maks.) @ Jeśli: | 875 mV przy 1 A |
| Kategoria: | Dyskretne produkty półprzewodnikowe Diody Prostowniki Pojedyncze diody |
|---|---|
| Status produktu: | Aktywny |
| Prąd — upływ wsteczny @ Vr: | 1 μA @ 1000 V |
| Rodzaj montażu: | Powierzchnia |
| Napięcie — do przodu (Vf) (maks.) @ Jeśli: | 1,2 V przy 9 A |
| Kategoria: | Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET Pojedyncze FET, MOSFET |
|---|---|
| Funkcja FET: | - |
| Vgs(th) (Maks.) @ Id: | 20,6V @ 2mA |
| Temperatura pracy: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Opakowanie / Pudełko: | TO-247-4 |
| Kategoria: | Dyskretne produkty półprzewodnikowe Diody Prostowniki Pojedyncze diody |
|---|---|
| Status produktu: | Aktywny |
| Prąd — upływ wsteczny @ Vr: | 1 µA przy 400 V |
| Rodzaj montażu: | Powierzchnia |
| Napięcie — do przodu (Vf) (maks.) @ Jeśli: | 1,5 V przy 9 A |
| Kategoria: | Dyskretne produkty półprzewodnikowe Diody Prostowniki Pojedyncze diody |
|---|---|
| Status produktu: | Aktywny |
| Prąd — upływ wsteczny @ Vr: | 500 nA przy 400 V |
| Rodzaj montażu: | Powierzchnia |
| Napięcie — do przodu (Vf) (maks.) @ Jeśli: | 1,6 V przy 3 A |
| Kategoria: | Dyskretne produkty półprzewodnikowe Diody Prostowniki Pojedyncze diody |
|---|---|
| Status produktu: | Aktywny |
| Prąd — upływ wsteczny @ Vr: | 100 µA przy 1200 V |
| Rodzaj montażu: | Przez dziurę |
| Napięcie — do przodu (Vf) (maks.) @ Jeśli: | 3,5 V przy 15 A |
| Kategoria: | Dyskretne produkty półprzewodnikowe Diody Prostowniki Pojedyncze diody |
|---|---|
| Status produktu: | Aktywny |
| Temperatura robocza — złącze: | - |
| Rodzaj montażu: | Przez dziurę |
| Napięcie — do przodu (Vf) (maks.) @ Jeśli: | 1,5 V przy 10 A |
| Kategoria: | Dyskretne produkty półprzewodnikowe Diody Prostowniki Pojedyncze diody |
|---|---|
| Status produktu: | Aktywny |
| Prąd — upływ wsteczny @ Vr: | 200 µA przy 700 V |
| Rodzaj montażu: | Przez dziurę |
| Napięcie — do przodu (Vf) (maks.) @ Jeśli: | 1,8 V przy 10 A |
| Kategoria: | Dyskretne produkty półprzewodnikowe Diody Prostowniki Pojedyncze diody |
|---|---|
| Status produktu: | Aktywny |
| Temperatura robocza — złącze: | - |
| Rodzaj montażu: | Przez dziurę |
| Napięcie — do przodu (Vf) (maks.) @ Jeśli: | 1,5 V przy 10 A |
| Kategoria: | Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET Pojedyncze FET, MOSFET |
|---|---|
| Funkcja FET: | - |
| Status produktu: | Aktywny |
| Rodzaj montażu: | Przez dziurę |
| Vgs(th) (Maks.) @ Id: | 3 V @ 1 mA |
