IC統合回路 25C320-I/P
カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
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メモリサイズ: | 32Kbit |
製品の状況: | アクティブ |
マウントタイプ: | 穴を抜ける |
パッケージ: | トューブ |
カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
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メモリサイズ: | 32Kbit |
製品の状況: | アクティブ |
マウントタイプ: | 穴を抜ける |
パッケージ: | トューブ |
カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
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メモリサイズ: | 4Kbit |
製品の状況: | アクティブ |
マウントタイプ: | 表面マウント |
パッケージ: | テープ&ロール (TR) |
カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
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メモリサイズ: | 8Kbit |
製品の状況: | アクティブ |
マウントタイプ: | 表面マウント |
パッケージ: | テープ&ロール (TR) |
カテゴリー: | 離散半導体製品 ダイオード ゼナー シングルゼナーダイオード |
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製品の状況: | アクティブ |
電流 - 逆流出 @ Vr: | 5 μA @ 51.7 V |
電圧 - ゼナー (Nom) (Vz): | 68V |
電圧 - 前向き (Vf) (最大): | 1.2V @ 200mA |
カテゴリー: | 離散半導体製品 ダイオード ゼナー シングルゼナーダイオード |
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製品の状況: | アクティブ |
電流 - 逆流出 @ Vr: | 10 nA @ 20.45 V |
電圧 - ゼナー (Nom) (Vz): | 27V |
電圧 - 前向き (Vf) (最大): | 1.1 V @ 200 mA |
カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
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メモリサイズ: | 2Mbit |
製品の状況: | アクティブ |
マウントタイプ: | 表面マウント |
パッケージ: | トューブ |
カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
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メモリサイズ: | 2Kbit |
製品の状況: | アクティブ |
マウントタイプ: | 表面マウント |
パッケージ: | テープ&ロール (TR) |
カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
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メモリサイズ: | 32Kbit |
製品の状況: | アクティブ |
マウントタイプ: | 表面マウント |
パッケージ: | トューブ |
カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
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メモリサイズ: | 2Kbit |
製品の状況: | アクティブ |
マウントタイプ: | 表面マウント |
パッケージ: | トューブ |
カテゴリー: | 離散半導体製品 ダイオード ゼナー シングルゼナーダイオード |
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製品の状況: | アクティブ |
電流 - 逆流出 @ Vr: | 5 μA @ 35.8 V |
電圧 - ゼナー (Nom) (Vz): | 47V |
電圧 - 前向き (Vf) (最大): | 1.2V @ 200mA |
カテゴリー: | 離散半導体製品 ダイオード ゼナー シングルゼナーダイオード |
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製品の状況: | アクティブ |
電流 - 逆流出 @ Vr: | 10 nA @ 18.25 V |
電圧 - ゼナー (Nom) (Vz): | 24V |
電圧 - 前向き (Vf) (最大): | 1.1 V @ 200 mA |
カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
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メモリサイズ: | 2Kbit |
製品の状況: | アクティブ |
マウントタイプ: | 表面マウント |
パッケージ: | トューブ |
カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
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メモリサイズ: | 16Kbit |
製品の状況: | アクティブ |
マウントタイプ: | 穴を抜ける |
パッケージ: | トューブ |
カテゴリー: | 離散半導体製品 ダイオード ゼナー シングルゼナーダイオード |
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製品の状況: | アクティブ |
電流 - 逆流出 @ Vr: | 10 nA @ 16.72 V |
電圧 - ゼナー (Nom) (Vz): | 22V |
電圧 - 前向き (Vf) (最大): | 1.1 V @ 200 mA |