IC統合回路 1N4734AE3/TR13
カテゴリー: | 離散半導体製品 ダイオード ゼナー シングルゼナーダイオード |
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製品の状況: | アクティブ |
電流 - 逆流出 @ Vr: | 10 μA @ 2 V |
電圧 - ゼナー (Nom) (Vz): | 5.6V |
電圧 - 前向き (Vf) (最大): | 1.2V @ 200mA |
カテゴリー: | 離散半導体製品 ダイオード ゼナー シングルゼナーダイオード |
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製品の状況: | アクティブ |
電流 - 逆流出 @ Vr: | 10 μA @ 2 V |
電圧 - ゼナー (Nom) (Vz): | 5.6V |
電圧 - 前向き (Vf) (最大): | 1.2V @ 200mA |
カテゴリー: | 離散半導体製品 ダイオード ゼナー シングルゼナーダイオード |
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製品の状況: | アクティブ |
電流 - 逆流出 @ Vr: | 50 nA @ 13.37 V |
電圧 - ゼナー (Nom) (Vz): | 18V |
電圧 - 前向き (Vf) (最大): | 1.1 V @ 200 mA |
カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
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メモリサイズ: | 64Kbit |
製品の状況: | アクティブ |
マウントタイプ: | 表面マウント |
パッケージ: | トューブ |
カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
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メモリサイズ: | 2Kbit |
製品の状況: | アクティブ |
マウントタイプ: | 穴を抜ける |
パッケージ: | トューブ |
カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
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メモリサイズ: | 2Kbit |
製品の状況: | アクティブ |
マウントタイプ: | 表面マウント |
パッケージ: | トューブ |
カテゴリー: | 離散半導体製品 ダイオード ゼナー シングルゼナーダイオード |
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製品の状況: | アクティブ |
電流 - 逆流出 @ Vr: | 500 nA @ 122 V |
電圧 - ゼナー (Nom) (Vz): | 170ボルト |
電圧 - 前向き (Vf) (最大): | 1.2V @ 1A |
カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
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メモリサイズ: | 1Kbit |
製品の状況: | アクティブ |
マウントタイプ: | 穴を抜ける |
パッケージ: | トューブ |
カテゴリー: | 離散半導体製品 ダイオード ゼナー シングルゼナーダイオード |
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製品の状況: | アクティブ |
電流 - 逆流出 @ Vr: | 50 nA @ 12.92 V |
電圧 - ゼナー (Nom) (Vz): | 17ボルト |
電圧 - 前向き (Vf) (最大): | 1.1 V @ 200 mA |
カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
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メモリサイズ: | 1Kbit |
製品の状況: | アクティブ |
マウントタイプ: | 表面マウント |
パッケージ: | トューブ |
カテゴリー: | 離散半導体製品 ダイオード ゼナー シングルゼナーダイオード |
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製品の状況: | アクティブ |
電流 - 逆流出 @ Vr: | 500 nA @ 65.5 V |
電圧 - ゼナー (Nom) (Vz): | 91V |
電圧 - 前向き (Vf) (最大): | 1.2V @ 1A |
カテゴリー: | 離散半導体製品 ダイオード ゼナー シングルゼナーダイオード |
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製品の状況: | アクティブ |
電流 - 逆流出 @ Vr: | 50 nA @ 12.15 V |
電圧 - ゼナー (Nom) (Vz): | 16V |
電圧 - 前向き (Vf) (最大): | 1.1 V @ 200 mA |
カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
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メモリサイズ: | 32Kbit |
製品の状況: | アクティブ |
マウントタイプ: | 表面マウント |
パッケージ: | トューブ |
カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
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メモリサイズ: | 8Kbit |
製品の状況: | アクティブ |
マウントタイプ: | 表面マウント |
パッケージ: | トューブ |
カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
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メモリサイズ: | 8Kbit |
製品の状況: | アクティブ |
マウントタイプ: | 表面マウント |
パッケージ: | トューブ |