IC統合回路 24CW1280-I/SN
| カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
|---|---|
| メモリサイズ: | 128Kbit |
| 製品の状況: | アクティブ |
| マウントタイプ: | 表面マウント |
| パッケージ: | トューブ |
| カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
|---|---|
| メモリサイズ: | 128Kbit |
| 製品の状況: | アクティブ |
| マウントタイプ: | 表面マウント |
| パッケージ: | トューブ |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 ダイオード ゼナー シングルゼナーダイオード |
|---|---|
| 製品の状況: | アクティブ |
| 電流 - 逆流出 @ Vr: | 5 μA @ 13.7 V |
| 電圧 - ゼナー (Nom) (Vz): | 18V |
| 電圧 - 前向き (Vf) (最大): | 1.2V @ 200mA |
| カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
|---|---|
| メモリサイズ: | 16Kbit |
| 製品の状況: | アクティブ |
| マウントタイプ: | 表面マウント |
| パッケージ: | トューブ |
| カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
|---|---|
| メモリサイズ: | 16Kbit |
| 製品の状況: | アクティブ |
| マウントタイプ: | 表面マウント |
| パッケージ: | トューブ |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 ダイオード ゼナー シングルゼナーダイオード |
|---|---|
| 製品の状況: | アクティブ |
| 電流 - 逆流出 @ Vr: | 5 μA @ 9.1 V |
| 電圧 - ゼナー (Nom) (Vz): | 12V |
| 電圧 - 前向き (Vf) (最大): | 1.2V @ 200mA |
| カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
|---|---|
| メモリサイズ: | 32Kbit |
| 製品の状況: | アクティブ |
| マウントタイプ: | 表面マウント |
| パッケージ: | トューブ |
| カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
|---|---|
| メモリサイズ: | 32Kbit |
| 製品の状況: | アクティブ |
| マウントタイプ: | 表面マウント |
| パッケージ: | トューブ |
| カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
|---|---|
| メモリサイズ: | 16Kbit |
| 製品の状況: | アクティブ |
| マウントタイプ: | 表面マウント |
| パッケージ: | トューブ |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 ダイオード ゼナー シングルゼナーダイオード |
|---|---|
| 製品の状況: | アクティブ |
| 電流 - 逆流出 @ Vr: | 10 μA @ 6 V |
| 電圧 - ゼナー (Nom) (Vz): | 8.2V |
| 電圧 - 前向き (Vf) (最大): | 1.2V @ 200mA |
| カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
|---|---|
| メモリサイズ: | 4Kbit |
| 製品の状況: | アクティブ |
| マウントタイプ: | 表面マウント |
| パッケージ: | トューブ |
| カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
|---|---|
| メモリサイズ: | 1Kbit |
| 製品の状況: | アクティブ |
| マウントタイプ: | 表面マウント |
| パッケージ: | トューブ |
| カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
|---|---|
| 製品の状況: | アクティブ |
| マウントタイプ: | 表面マウント |
| パッケージ: | トューブ |
| シリーズ: | - |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 ダイオード ゼナー シングルゼナーダイオード |
|---|---|
| 製品の状況: | アクティブ |
| 電流 - 逆流出 @ Vr: | 10 μA @ 2 V |
| 電圧 - ゼナー (Nom) (Vz): | 5.6V |
| 電圧 - 前向き (Vf) (最大): | 1.2V @ 200mA |
| カテゴリー: | 集積回路 (IC) 記憶力 記憶力 |
|---|---|
| 製品の状況: | アクティブ |
| マウントタイプ: | 穴を抜ける |
| パッケージ: | トューブ |
| シリーズ: | - |
