IC วงจรบูรณาการ 24CW1280-I/SN
| ประเภท: | เครื่องวงจรบูรณาการ (IC) ความจํา ความจํา |
|---|---|
| ขนาดหน่วยความจำ: | 128Kbit |
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
| แพ็คเกจ: | ท่อ |
| ประเภท: | เครื่องวงจรบูรณาการ (IC) ความจํา ความจํา |
|---|---|
| ขนาดหน่วยความจำ: | 128Kbit |
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
| แพ็คเกจ: | ท่อ |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด ซีเนอร์ ไดโอดซีเนอร์เดี่ยว |
|---|---|
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 5 µA @ 13.7 V |
| แรงดัน - ซีเนอร์ (Nom) (Vz): | 18 โวลต์ |
| แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: | 1.2 โวลต์ @ 200 มิลลิแอมป์ |
| ประเภท: | เครื่องวงจรบูรณาการ (IC) ความจํา ความจํา |
|---|---|
| ขนาดหน่วยความจำ: | 16Kbit |
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
| แพ็คเกจ: | ท่อ |
| ประเภท: | เครื่องวงจรบูรณาการ (IC) ความจํา ความจํา |
|---|---|
| ขนาดหน่วยความจำ: | 16Kbit |
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
| แพ็คเกจ: | ท่อ |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด ซีเนอร์ ไดโอดซีเนอร์เดี่ยว |
|---|---|
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 5 µA @ 9.1 V |
| แรงดัน - ซีเนอร์ (Nom) (Vz): | 12 โวลต์ |
| แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: | 1.2 โวลต์ @ 200 มิลลิแอมป์ |
| ประเภท: | เครื่องวงจรบูรณาการ (IC) ความจํา ความจํา |
|---|---|
| ขนาดหน่วยความจำ: | 32Kbit |
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
| แพ็คเกจ: | ท่อ |
| ประเภท: | เครื่องวงจรบูรณาการ (IC) ความจํา ความจํา |
|---|---|
| ขนาดหน่วยความจำ: | 32Kbit |
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
| แพ็คเกจ: | ท่อ |
| ประเภท: | เครื่องวงจรบูรณาการ (IC) ความจํา ความจํา |
|---|---|
| ขนาดหน่วยความจำ: | 16Kbit |
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
| แพ็คเกจ: | ท่อ |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด ซีเนอร์ ไดโอดซีเนอร์เดี่ยว |
|---|---|
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 10µA @ 6V |
| แรงดัน - ซีเนอร์ (Nom) (Vz): | 8.2 โวลต์ |
| แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: | 1.2 โวลต์ @ 200 มิลลิแอมป์ |
| ประเภท: | เครื่องวงจรบูรณาการ (IC) ความจํา ความจํา |
|---|---|
| ขนาดหน่วยความจำ: | 4Kbit |
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
| แพ็คเกจ: | ท่อ |
| ประเภท: | เครื่องวงจรบูรณาการ (IC) ความจํา ความจํา |
|---|---|
| ขนาดหน่วยความจำ: | 1Kbit |
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
| แพ็คเกจ: | ท่อ |
| ประเภท: | เครื่องวงจรบูรณาการ (IC) ความจํา ความจํา |
|---|---|
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
| แพ็คเกจ: | ท่อ |
| ซีรี่ย์: | - |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด ซีเนอร์ ไดโอดซีเนอร์เดี่ยว |
|---|---|
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: | 10µA @ 2V |
| แรงดัน - ซีเนอร์ (Nom) (Vz): | 5.6 โวลต์ |
| แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: | 1.2 โวลต์ @ 200 มิลลิแอมป์ |
| ประเภท: | เครื่องวงจรบูรณาการ (IC) ความจํา ความจํา |
|---|---|
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| ประเภทการติดตั้ง: | ผ่านหลุม |
| แพ็คเกจ: | ท่อ |
| ซีรี่ย์: | - |
| ประเภท: | เครื่องวงจรบูรณาการ (IC) ความจํา ความจํา |
|---|---|
| ขนาดหน่วยความจำ: | 8Kbit |
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| ประเภทการติดตั้ง: | ผ่านหลุม |
| แพ็คเกจ: | ท่อ |
