IC統合回路 TP5322N8-G
| カテゴリー: | 離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET |
|---|---|
| FETの特徴: | - |
| 製品の状況: | アクティブ |
| マウントタイプ: | 表面マウント |
| Vgs(th) (最大) @ Id: | 2.4V @ 1mA |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET |
|---|---|
| FETの特徴: | - |
| 製品の状況: | アクティブ |
| マウントタイプ: | 表面マウント |
| Vgs(th) (最大) @ Id: | 2.4V @ 1mA |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET |
|---|---|
| FETの特徴: | - |
| 製品の状況: | アクティブ |
| マウントタイプ: | 穴を抜ける |
| Vgs(th) (最大) @ Id: | 2.5V@1mA |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET |
|---|---|
| FETの特徴: | - |
| 製品の状況: | アクティブ |
| マウントタイプ: | 穴を抜ける |
| Vgs(th) (最大) @ Id: | 2.5V@1mA |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET |
|---|---|
| FETの特徴: | - |
| 製品の状況: | アクティブ |
| マウントタイプ: | 穴を抜ける |
| Vgs(th) (最大) @ Id: | 2.5V@1mA |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET |
|---|---|
| FETの特徴: | 消耗モード |
| 製品の状況: | アクティブ |
| マウントタイプ: | 穴を抜ける |
| Vgs(th) (最大) @ Id: | - |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET |
|---|---|
| FETタイプ: | Nチャンネル |
| FETの特徴: | - |
| 製品の状況: | アクティブ |
| マウントタイプ: | シャーシマウント |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET |
|---|---|
| FETの特徴: | - |
| Vgs(th) (最大) @ Id: | 4V @ 5mA |
| 動作温度: | -55°C | 150°C （TJ） |
| パッケージ/ケース: | SOT-227-4のminiBLOC |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET |
|---|---|
| FETタイプ: | Nチャンネル |
| FETの特徴: | - |
| 製品の状況: | アクティブ |
| マウントタイプ: | シャーシマウント |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET |
|---|---|
| ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs: | 178 nC @ 20 V |
| 製品の状況: | アクティブ |
| マウントタイプ: | 表面マウント |
| パッケージ: | 散装品 |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET |
|---|---|
| FETの特徴: | - |
| Vgs(th) (最大) @ Id: | 2.7V @ 4.5mA (タイプ) |
| 動作温度: | -55°C~175°C (TJ) |
| パッケージ/ケース: | TO-247-4 |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET |
|---|---|
| FETタイプ: | Nチャンネル |
| FETの特徴: | - |
| 製品の状況: | アクティブ |
| マウントタイプ: | シャーシマウント |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET |
|---|---|
| FETタイプ: | Nチャンネル |
| FETの特徴: | - |
| 製品の状況: | アクティブ |
| マウントタイプ: | シャーシマウント |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET |
|---|---|
| FETの特徴: | - |
| Vgs(th) (最大) @ Id: | 5V @ 1mA |
| 動作温度: | -55°C | 150°C （TJ） |
| パッケージ/ケース: | SOT-227-4のminiBLOC |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET |
|---|---|
| ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs: | 249 nC @ 20 V |
| 製品の状況: | アクティブ |
| Vgs(th) (最大) @ Id: | 2.7V @ 4.5mA (タイプ) |
| 入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds: | 5280 pF @ 1000ボルト |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET |
|---|---|
| FETの特徴: | - |
| Vgs(th) (最大) @ Id: | 2.8V @ 1mA |
| 動作温度: | -55°C~175°C (TJ) |
| パッケージ/ケース: | SOT-227-4のminiBLOC |
