IC 통합 회로 TP5322N8-G
| 분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET |
|---|---|
| FET 특징: | - |
| 제품 상태: | 액티브 |
| 장착형: | 표면 마운트 |
| Id에 있는 Vgs(th) (맥스): | 2.4V @ 1mA |
| 분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET |
|---|---|
| FET 특징: | - |
| 제품 상태: | 액티브 |
| 장착형: | 표면 마운트 |
| Id에 있는 Vgs(th) (맥스): | 2.4V @ 1mA |
| 분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET |
|---|---|
| FET 특징: | - |
| 제품 상태: | 액티브 |
| 장착형: | 구멍을 통해 |
| Id에 있는 Vgs(th) (맥스): | 2.5V @ 1mA |
| 분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET |
|---|---|
| FET 특징: | - |
| 제품 상태: | 액티브 |
| 장착형: | 구멍을 통해 |
| Id에 있는 Vgs(th) (맥스): | 2.5V @ 1mA |
| 분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET |
|---|---|
| FET 특징: | - |
| 제품 상태: | 액티브 |
| 장착형: | 구멍을 통해 |
| Id에 있는 Vgs(th) (맥스): | 2.5V @ 1mA |
| 분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET |
|---|---|
| FET 특징: | 고갈 모드 |
| 제품 상태: | 액티브 |
| 장착형: | 구멍을 통해 |
| Id에 있는 Vgs(th) (맥스): | - |
| 분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET |
|---|---|
| FET은 타이핑합니다: | 엔-채널 |
| FET 특징: | - |
| 제품 상태: | 액티브 |
| 장착형: | 섀시 마운트 |
| 분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET |
|---|---|
| FET 특징: | - |
| Id에 있는 Vgs(th) (맥스): | 4V @ 5mA |
| 작동 온도: | -55' Ｃ ~ 150' Ｃ (TJ) |
| 패키지 / 케이스: | SOT-227-4, 미니브로크 |
| 분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET |
|---|---|
| FET은 타이핑합니다: | 엔-채널 |
| FET 특징: | - |
| 제품 상태: | 액티브 |
| 장착형: | 섀시 마운트 |
| 분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET |
|---|---|
| 게이트는 브그스에 (큐그에게) (맥스)를 청구합니다: | 178 nC @ 20 V |
| 제품 상태: | 액티브 |
| 장착형: | 표면 마운트 |
| 패키지: | 대용품 |
| 분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET |
|---|---|
| FET 특징: | - |
| Id에 있는 Vgs(th) (맥스): | 2.7V @ 4.5mA (형) |
| 작동 온도: | -55' Ｃ ~ 175' Ｃ (TJ) |
| 패키지 / 케이스: | TO-247-4 |
| 분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET |
|---|---|
| FET은 타이핑합니다: | 엔-채널 |
| FET 특징: | - |
| 제품 상태: | 액티브 |
| 장착형: | 섀시 마운트 |
| 분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET |
|---|---|
| FET은 타이핑합니다: | 엔-채널 |
| FET 특징: | - |
| 제품 상태: | 액티브 |
| 장착형: | 섀시 마운트 |
| 분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET |
|---|---|
| FET 특징: | - |
| Id에 있는 Vgs(th) (맥스): | 1mA에 있는 5V |
| 작동 온도: | -55' Ｃ ~ 150' Ｃ (TJ) |
| 패키지 / 케이스: | SOT-227-4, 미니브로크 |
| 분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET |
|---|---|
| 게이트는 브그스에 (큐그에게) (맥스)를 청구합니다: | 249nC @ 20V |
| 제품 상태: | 액티브 |
| Id에 있는 Vgs(th) (맥스): | 2.7V @ 4.5mA (형) |
| Vds에 있는 입력 커패시턴스 (CIS) (맥스): | 1000 Ｖ에 있는 5280 pF |
| 분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET |
|---|---|
| FET 특징: | - |
| Id에 있는 Vgs(th) (맥스): | 1mA에 있는 2.8V |
| 작동 온도: | -55' Ｃ ~ 175' Ｃ (TJ) |
| 패키지 / 케이스: | SOT-227-4, 미니브로크 |
