IC統合回路 TN2130K1-G
| カテゴリー: | 離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET |
|---|---|
| FETの特徴: | - |
| 製品の状況: | アクティブ |
| マウントタイプ: | 表面マウント |
| Vgs(th) (最大) @ Id: | 2.4V @ 1mA |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET |
|---|---|
| FETの特徴: | - |
| 製品の状況: | アクティブ |
| マウントタイプ: | 表面マウント |
| Vgs(th) (最大) @ Id: | 2.4V @ 1mA |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET |
|---|---|
| FETの特徴: | - |
| 製品の状況: | アクティブ |
| マウントタイプ: | 表面マウント |
| Vgs(th) (最大) @ Id: | 2.4V @ 1mA |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET |
|---|---|
| FETの特徴: | - |
| 製品の状況: | アクティブ |
| マウントタイプ: | 表面マウント |
| Vgs(th) (最大) @ Id: | 1.2V @ 250µA |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET |
|---|---|
| FETの特徴: | - |
| 製品の状況: | アクティブ |
| マウントタイプ: | 表面マウント |
| Vgs(th) (最大) @ Id: | 2.4V @ 1mA |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET |
|---|---|
| FETの特徴: | - |
| 製品の状況: | アクティブ |
| マウントタイプ: | 穴を抜ける |
| Vgs(th) (最大) @ Id: | 2.5V@1mA |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET |
|---|---|
| FETの特徴: | - |
| 製品の状況: | アクティブ |
| マウントタイプ: | 表面マウント |
| Vgs(th) (最大) @ Id: | 4V @ 1mA |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET |
|---|---|
| FETの特徴: | 消耗モード |
| 製品の状況: | アクティブ |
| マウントタイプ: | 穴を抜ける |
| Vgs(th) (最大) @ Id: | - |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET |
|---|---|
| FETの特徴: | - |
| 製品の状況: | アクティブ |
| マウントタイプ: | 穴を抜ける |
| Vgs(th) (最大) @ Id: | 2.5V @ 250µA |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET |
|---|---|
| FETの特徴: | - |
| 製品の状況: | アクティブ |
| マウントタイプ: | 穴を抜ける |
| Vgs(th) (最大) @ Id: | 2.5V@1mA |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET |
|---|---|
| FETの特徴: | - |
| 製品の状況: | アクティブ |
| マウントタイプ: | 穴を抜ける |
| Vgs(th) (最大) @ Id: | 2V @ 1mA |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET |
|---|---|
| FETの特徴: | - |
| 製品の状況: | アクティブ |
| マウントタイプ: | 表面マウント |
| Vgs(th) (最大) @ Id: | 2.4V @ 1mA |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET |
|---|---|
| FETの特徴: | - |
| 製品の状況: | アクティブ |
| マウントタイプ: | 表面マウント |
| Vgs(th) (最大) @ Id: | 1.2V @ 250µA |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET |
|---|---|
| FETの特徴: | - |
| Vgs(th) (最大) @ Id: | 5V @ 5mA |
| 動作温度: | -55°C | 150°C （TJ） |
| パッケージ/ケース: | SOT-227-4のminiBLOC |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET |
|---|---|
| FETの特徴: | 消耗モード |
| 製品の状況: | アクティブ |
| マウントタイプ: | 表面マウント |
| Vgs(th) (最大) @ Id: | - |
| カテゴリー: | 離散半導体製品 トランジスタ FET,MOSFET シングルFET,MOSFET |
|---|---|
| FETの特徴: | - |
| 製品の状況: | アクティブ |
| マウントタイプ: | 穴を抜ける |
| Vgs(th) (最大) @ Id: | 2.4V @ 10mA |
