IC 통합 회로 TN2130K1-G
| 분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET |
|---|---|
| FET 특징: | - |
| 제품 상태: | 액티브 |
| 장착형: | 표면 마운트 |
| Id에 있는 Vgs(th) (맥스): | 2.4V @ 1mA |
| 분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET |
|---|---|
| FET 특징: | - |
| 제품 상태: | 액티브 |
| 장착형: | 표면 마운트 |
| Id에 있는 Vgs(th) (맥스): | 2.4V @ 1mA |
| 분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET |
|---|---|
| FET 특징: | - |
| 제품 상태: | 액티브 |
| 장착형: | 표면 마운트 |
| Id에 있는 Vgs(th) (맥스): | 2.4V @ 1mA |
| 분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET |
|---|---|
| FET 특징: | - |
| 제품 상태: | 액티브 |
| 장착형: | 표면 마운트 |
| Id에 있는 Vgs(th) (맥스): | 250uA에 있는 1.2V |
| 분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET |
|---|---|
| FET 특징: | - |
| 제품 상태: | 액티브 |
| 장착형: | 표면 마운트 |
| Id에 있는 Vgs(th) (맥스): | 2.4V @ 1mA |
| 분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET |
|---|---|
| FET 특징: | - |
| 제품 상태: | 액티브 |
| 장착형: | 구멍을 통해 |
| Id에 있는 Vgs(th) (맥스): | 2.5V @ 1mA |
| 분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET |
|---|---|
| FET 특징: | - |
| 제품 상태: | 액티브 |
| 장착형: | 표면 마운트 |
| Id에 있는 Vgs(th) (맥스): | 1mA에 있는 4V |
| 분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET |
|---|---|
| FET 특징: | 고갈 모드 |
| 제품 상태: | 액티브 |
| 장착형: | 구멍을 통해 |
| Id에 있는 Vgs(th) (맥스): | - |
| 분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET |
|---|---|
| FET 특징: | - |
| 제품 상태: | 액티브 |
| 장착형: | 구멍을 통해 |
| Id에 있는 Vgs(th) (맥스): | 250uA에 있는 2.5V |
| 분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET |
|---|---|
| FET 특징: | - |
| 제품 상태: | 액티브 |
| 장착형: | 구멍을 통해 |
| Id에 있는 Vgs(th) (맥스): | 2.5V @ 1mA |
| 분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET |
|---|---|
| FET 특징: | - |
| 제품 상태: | 액티브 |
| 장착형: | 구멍을 통해 |
| Id에 있는 Vgs(th) (맥스): | 1mA에 있는 2V |
| 분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET |
|---|---|
| FET 특징: | - |
| 제품 상태: | 액티브 |
| 장착형: | 표면 마운트 |
| Id에 있는 Vgs(th) (맥스): | 2.4V @ 1mA |
| 분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET |
|---|---|
| FET 특징: | - |
| 제품 상태: | 액티브 |
| 장착형: | 표면 마운트 |
| Id에 있는 Vgs(th) (맥스): | 250uA에 있는 1.2V |
| 분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET |
|---|---|
| FET 특징: | - |
| Id에 있는 Vgs(th) (맥스): | 5V @ 5mA |
| 작동 온도: | -55' Ｃ ~ 150' Ｃ (TJ) |
| 패키지 / 케이스: | SOT-227-4, 미니브로크 |
| 분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET |
|---|---|
| FET 특징: | 고갈 모드 |
| 제품 상태: | 액티브 |
| 장착형: | 표면 마운트 |
| Id에 있는 Vgs(th) (맥스): | - |
| 분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET |
|---|---|
| FET 특징: | - |
| 제품 상태: | 액티브 |
| 장착형: | 구멍을 통해 |
| Id에 있는 Vgs(th) (맥스): | 2.4V @ 10mA |
