IC 통합 회로 DN3135K1-G
분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET |
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FET 특징: | 고갈 모드 |
제품 상태: | 액티브 |
장착형: | 표면 마운트 |
Id에 있는 Vgs(th) (맥스): | - |
분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET |
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FET 특징: | 고갈 모드 |
제품 상태: | 액티브 |
장착형: | 표면 마운트 |
Id에 있는 Vgs(th) (맥스): | - |
분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET |
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FET 특징: | - |
제품 상태: | 액티브 |
장착형: | 표면 마운트 |
Id에 있는 Vgs(th) (맥스): | 2.4V @ 1mA |
분류: | 융합 회로 (IC) 전력 관리 (PMIC) 감독자 |
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재설정: | 부 논리 |
제품 상태: | 액티브 |
전압 - 한계: | 2.55V |
장착형: | 표면 마운트 |
분류: | 융합 회로 (IC) 전력 관리 (PMIC) 감독자 |
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재설정: | 고성능의 / 부 논리 |
제품 상태: | 액티브 |
전압 - 한계: | 4.37V, 4.62V |
장착형: | 표면 마운트 |
분류: | 융합 회로 (IC) 전력 관리 (PMIC) 감독자 |
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재설정: | 고성능의 / 부 논리 |
제품 상태: | 액티브 |
전압 - 한계: | 4.37V, 4.62V |
장착형: | 표면 마운트 |
분류: | 융합 회로 (IC) 전력 관리 (PMIC) 감독자 |
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재설정: | 고성능의 / 부 논리 |
제품 상태: | 액티브 |
전압 - 한계: | 4.37V, 4.62V |
장착형: | 표면 마운트 |
분류: | 융합 회로 (IC) 전력 관리 (PMIC) 감독자 |
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재설정: | 고성능의 / 부 논리 |
제품 상태: | 액티브 |
전압 - 한계: | 4.37V, 4.62V |
장착형: | 표면 마운트 |
분류: | 융합 회로 (IC) 전력 관리 (PMIC) 감독자 |
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재설정: | 부 논리 |
제품 상태: | 액티브 |
전압 - 한계: | 4.375V |
장착형: | 표면 마운트 |
분류: | 융합 회로 (IC) 전력 관리 (PMIC) 감독자 |
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재설정: | 부 논리 |
제품 상태: | 액티브 |
전압 - 한계: | 4.375V |
장착형: | 구멍을 통해 |
분류: | 융합 회로 (IC) 전력 관리 (PMIC) 감독자 |
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재설정: | 부 논리 |
제품 상태: | 액티브 |
전압 - 한계: | 4.375V |
장착형: | 표면 마운트 |
분류: | 융합 회로 (IC) 전력 관리 (PMIC) 감독자 |
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재설정: | 고성능의 / 부 논리 |
제품 상태: | 액티브 |
전압 - 한계: | 2.55V, 2.88V |
장착형: | 구멍을 통해 |
분류: | 융합 회로 (IC) 전력 관리 (PMIC) 감독자 |
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재설정: | 고성능의 / 부 논리 |
제품 상태: | 액티브 |
전압 - 한계: | 2.63V |
장착형: | 표면 마운트 |
분류: | 융합 회로 (IC) 전력 관리 (PMIC) 감독자 |
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재설정: | 부 논리 |
제품 상태: | 액티브 |
전압 - 한계: | 4.6V |
장착형: | 표면 마운트 |
분류: | 융합 회로 (IC) 전력 관리 (PMIC) 감독자 |
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재설정: | 부 논리 |
제품 상태: | 액티브 |
전압 - 한계: | 3V |
장착형: | 표면 마운트 |
분류: | 융합 회로 (IC) 전력 관리 (PMIC) 감독자 |
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재설정: | 부 논리 |
제품 상태: | 액티브 |
전압 - 한계: | 2.9V |
장착형: | 표면 마운트 |