IC 통합 회로 VN3205N3-G
| 분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET |
|---|---|
| FET 특징: | - |
| 제품 상태: | 액티브 |
| 장착형: | 구멍을 통해 |
| Id에 있는 Vgs(th) (맥스): | 2.4V @ 10mA |
| 분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET |
|---|---|
| FET 특징: | - |
| 제품 상태: | 액티브 |
| 장착형: | 구멍을 통해 |
| Id에 있는 Vgs(th) (맥스): | 2.4V @ 10mA |
| 분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET |
|---|---|
| FET 특징: | - |
| 제품 상태: | 액티브 |
| 장착형: | 구멍을 통해 |
| Id에 있는 Vgs(th) (맥스): | 1mA에 있는 1V |
| 분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET |
|---|---|
| FET 특징: | - |
| 제품 상태: | 액티브 |
| 장착형: | 표면 마운트 |
| Id에 있는 Vgs(th) (맥스): | 1mA에 있는 2V |
| 분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET |
|---|---|
| FET 특징: | - |
| 제품 상태: | 액티브 |
| 장착형: | 표면 마운트 |
| Id에 있는 Vgs(th) (맥스): | 1mA에 있는 2V |
| 분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET |
|---|---|
| FET 특징: | - |
| 제품 상태: | 액티브 |
| 장착형: | 표면 마운트 |
| Id에 있는 Vgs(th) (맥스): | 2.4V @ 1mA |
| 분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET |
|---|---|
| FET 특징: | - |
| Id에 있는 Vgs(th) (맥스): | 1.7V @ 250μA |
| 작동 온도: | -55' Ｃ ~ 150' Ｃ (TJ) |
| 패키지 / 케이스: | 8-PowerTDFN |
| 분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET |
|---|---|
| FET 특징: | - |
| Id에 있는 Vgs(th) (맥스): | 1mA에 있는 5V |
| 작동 온도: | -55' Ｃ ~ 150' Ｃ (TJ) |
| 패키지 / 케이스: | TO-268-3, D3Pak (2개 리드 + 탭), TO-268AA |
| 분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET |
|---|---|
| FET 특징: | - |
| Id에 있는 Vgs(th) (맥스): | 5V @ 500μA |
| 작동 온도: | - |
| 패키지 / 케이스: | TO-268-3, D3Pak (2개 리드 + 탭), TO-268AA |
| 분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET |
|---|---|
| FET 특징: | - |
| 제품 상태: | 액티브 |
| 장착형: | 구멍을 통해 |
| Id에 있는 Vgs(th) (맥스): | 3.5V @ 10mA |
| 분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET |
|---|---|
| FET 특징: | - |
| 제품 상태: | 액티브 |
| 장착형: | 표면 마운트 |
| Id에 있는 Vgs(th) (맥스): | - |
| 분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET |
|---|---|
| FET 특징: | - |
| Id에 있는 Vgs(th) (맥스): | 1mA에 있는 5V |
| 작동 온도: | -55' Ｃ ~ 150' Ｃ (TJ) |
| 패키지 / 케이스: | TO-247-3 |
| 분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET |
|---|---|
| FET 특징: | - |
| Id에 있는 Vgs(th) (맥스): | 1mA에 있는 5V |
| 작동 온도: | -55' Ｃ ~ 150' Ｃ (TJ) |
| 패키지 / 케이스: | TO-268-3, D3Pak (2개 리드 + 탭), TO-268AA |
| 분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET |
|---|---|
| FET 특징: | - |
| Id에 있는 Vgs(th) (맥스): | 3.9V @ 5.4mA |
| 작동 온도: | -55' Ｃ ~ 150' Ｃ (TJ) |
| 패키지 / 케이스: | SOT-227-4, 미니브로크 |
| 분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET |
|---|---|
| FET 특징: | - |
| Id에 있는 Vgs(th) (맥스): | 1mA에 있는 5V |
| 작동 온도: | -55' Ｃ ~ 150' Ｃ (TJ) |
| 패키지 / 케이스: | TO-247-3 |
| 분류: | 개별 반도체 제품 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 FET, MOSFET |
|---|---|
| FET 특징: | - |
| Id에 있는 Vgs(th) (맥스): | 1mA에 있는 5V |
| 작동 온도: | -55' Ｃ ~ 150' Ｃ (TJ) |
| 패키지 / 케이스: | TO-247-3 |
