IC วงจรบูรณาการ VN3205N3-G
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFETs FET เดี่ยว, MOSFET |
|---|---|
| คุณสมบัติ FET: | - |
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| ประเภทการติดตั้ง: | ผ่านหลุม |
| Vgs(th) (สูงสุด) @ รหัส: | 2.4V @ 10mA |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFETs FET เดี่ยว, MOSFET |
|---|---|
| คุณสมบัติ FET: | - |
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| ประเภทการติดตั้ง: | ผ่านหลุม |
| Vgs(th) (สูงสุด) @ รหัส: | 2.4V @ 10mA |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFETs FET เดี่ยว, MOSFET |
|---|---|
| คุณสมบัติ FET: | - |
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| ประเภทการติดตั้ง: | ผ่านหลุม |
| Vgs(th) (สูงสุด) @ รหัส: | 1V @ 1mA |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFETs FET เดี่ยว, MOSFET |
|---|---|
| คุณสมบัติ FET: | - |
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
| Vgs(th) (สูงสุด) @ รหัส: | 2V @ 1mA |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFETs FET เดี่ยว, MOSFET |
|---|---|
| คุณสมบัติ FET: | - |
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
| Vgs(th) (สูงสุด) @ รหัส: | 2V @ 1mA |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFETs FET เดี่ยว, MOSFET |
|---|---|
| คุณสมบัติ FET: | - |
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
| Vgs(th) (สูงสุด) @ รหัส: | 2.4V @ 1mA |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFETs FET เดี่ยว, MOSFET |
|---|---|
| คุณสมบัติ FET: | - |
| Vgs(th) (สูงสุด) @ รหัส: | 1.7V @ 250μA |
| อุณหภูมิการทํางาน: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| กล่อง / กระเป๋า: | 8-PowerTDFN |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFETs FET เดี่ยว, MOSFET |
|---|---|
| คุณสมบัติ FET: | - |
| Vgs(th) (สูงสุด) @ รหัส: | 5V @ 1mA |
| อุณหภูมิการทํางาน: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| กล่อง / กระเป๋า: | TO-268-3, D³Pak (2 สาย + แถบ), TO-268AA |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFETs FET เดี่ยว, MOSFET |
|---|---|
| คุณสมบัติ FET: | - |
| Vgs(th) (สูงสุด) @ รหัส: | 5V @ 500μA |
| อุณหภูมิการทํางาน: | - |
| กล่อง / กระเป๋า: | TO-268-3, D³Pak (2 สาย + แถบ), TO-268AA |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFETs FET เดี่ยว, MOSFET |
|---|---|
| คุณสมบัติ FET: | - |
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| ประเภทการติดตั้ง: | ผ่านหลุม |
| Vgs(th) (สูงสุด) @ รหัส: | 3.5V @ 10mA |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFETs FET เดี่ยว, MOSFET |
|---|---|
| คุณสมบัติ FET: | - |
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม |
| ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว |
| Vgs(th) (สูงสุด) @ รหัส: | - |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFETs FET เดี่ยว, MOSFET |
|---|---|
| คุณสมบัติ FET: | - |
| Vgs(th) (สูงสุด) @ รหัส: | 5V @ 1mA |
| อุณหภูมิการทํางาน: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| กล่อง / กระเป๋า: | TO-247-3 |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFETs FET เดี่ยว, MOSFET |
|---|---|
| คุณสมบัติ FET: | - |
| Vgs(th) (สูงสุด) @ รหัส: | 5V @ 1mA |
| อุณหภูมิการทํางาน: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| กล่อง / กระเป๋า: | TO-268-3, D³Pak (2 สาย + แถบ), TO-268AA |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFETs FET เดี่ยว, MOSFET |
|---|---|
| คุณสมบัติ FET: | - |
| Vgs(th) (สูงสุด) @ รหัส: | 3.9V @ 5.4mA |
| อุณหภูมิการทํางาน: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| กล่อง / กระเป๋า: | SOT-227-4 มินิบล็อก |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFETs FET เดี่ยว, MOSFET |
|---|---|
| คุณสมบัติ FET: | - |
| Vgs(th) (สูงสุด) @ รหัส: | 5V @ 1mA |
| อุณหภูมิการทํางาน: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| กล่อง / กระเป๋า: | TO-247-3 |
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFETs FET เดี่ยว, MOSFET |
|---|---|
| คุณสมบัติ FET: | - |
| Vgs(th) (สูงสุด) @ รหัส: | 5V @ 1mA |
| อุณหภูมิการทํางาน: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| กล่อง / กระเป๋า: | TO-247-3 |
