Интегрированные схемы IC VN3205N3-G
Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET |
---|---|
Особенность FET: | - |
Статус продукта: | Активный |
Тип установки: | Через дыру |
Vgs(th) (макс.) @ Id: | 2.4В @ 10mA |
Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET |
---|---|
Особенность FET: | - |
Статус продукта: | Активный |
Тип установки: | Через дыру |
Vgs(th) (макс.) @ Id: | 2.4В @ 10mA |
Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET |
---|---|
Особенность FET: | - |
Статус продукта: | Активный |
Тип установки: | Через дыру |
Vgs(th) (макс.) @ Id: | 1V @ 1mA |
Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET |
---|---|
Особенность FET: | - |
Статус продукта: | Активный |
Тип установки: | Поверхностный монтаж |
Vgs(th) (макс.) @ Id: | 2V @ 1mA |
Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET |
---|---|
Особенность FET: | - |
Статус продукта: | Активный |
Тип установки: | Поверхностный монтаж |
Vgs(th) (макс.) @ Id: | 2V @ 1mA |
Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET |
---|---|
Особенность FET: | - |
Статус продукта: | Активный |
Тип установки: | Поверхностный монтаж |
Vgs(th) (макс.) @ Id: | 2.4В @ 1mA |
Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET |
---|---|
Особенность FET: | - |
Vgs(th) (макс.) @ Id: | 1.7В @ 250μA |
Операционная температура: | -55°C | 150°C (TJ) |
Пакет / чемодан: | 8-PowerTDFN |
Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET |
---|---|
Особенность FET: | - |
Vgs(th) (макс.) @ Id: | 5V @ 1mA |
Операционная температура: | -55°C | 150°C (TJ) |
Пакет / чемодан: | TO-268-3, D3Pak (2 лиды + Таб), TO-268AA |
Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET |
---|---|
Особенность FET: | - |
Vgs(th) (макс.) @ Id: | 5В @ 500μA |
Операционная температура: | - |
Пакет / чемодан: | TO-268-3, D3Pak (2 лиды + Таб), TO-268AA |
Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET |
---|---|
Особенность FET: | - |
Статус продукта: | Активный |
Тип установки: | Через дыру |
Vgs(th) (макс.) @ Id: | 3.5В @ 10mA |
Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET |
---|---|
Особенность FET: | - |
Статус продукта: | Активный |
Тип установки: | Поверхностный монтаж |
Vgs(th) (макс.) @ Id: | - |
Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET |
---|---|
Особенность FET: | - |
Vgs(th) (макс.) @ Id: | 5V @ 1mA |
Операционная температура: | -55°C | 150°C (TJ) |
Пакет / чемодан: | ТО-247-3 |
Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET |
---|---|
Особенность FET: | - |
Vgs(th) (макс.) @ Id: | 5V @ 1mA |
Операционная температура: | -55°C | 150°C (TJ) |
Пакет / чемодан: | TO-268-3, D3Pak (2 лиды + Таб), TO-268AA |
Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET |
---|---|
Особенность FET: | - |
Vgs(th) (макс.) @ Id: | 30,9 В @ 5,4 мА |
Операционная температура: | -55°C | 150°C (TJ) |
Пакет / чемодан: | SOT-227-4, miniBLOC |
Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET |
---|---|
Особенность FET: | - |
Vgs(th) (макс.) @ Id: | 5V @ 1mA |
Операционная температура: | -55°C | 150°C (TJ) |
Пакет / чемодан: | ТО-247-3 |
Категория: | Дискретные полупроводниковые изделия Транзисторы FET, MOSFET Одиночные FET, MOSFET |
---|---|
Особенность FET: | - |
Vgs(th) (макс.) @ Id: | 5V @ 1mA |
Операционная температура: | -55°C | 150°C (TJ) |
Пакет / чемодан: | ТО-247-3 |