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ic integrated circuits

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키워드 [ ic integrated circuits ] 시합 67354 상품.

메모리 통합 회로 MT29F256G08CECCBH6-6ITR:C

메모리 통합 회로 MT29F256G08CECCBH6-6ITR:C

기술 ::	플래시 - NAND
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
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메모리 통합 회로 MT28HL16GJBB3ERK-0SCT

메모리 통합 회로 MT28HL16GJBB3ERK-0SCT

기술 ::	-
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	-
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	-

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메모리 통합 회로 MT49H16M36SJ-18:B

메모리 통합 회로 MT49H16M36SJ-18:B

기술 ::	DRAM
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	휘발성 물질
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	-

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메모리 통합 회로 RC28F256P30T2E

메모리 통합 회로 RC28F256P30T2E

기술 ::	플래시 -도 또한
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	100 나노 초

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메모리 통합 회로 MT49H32M18SJ-25:B

메모리 통합 회로 MT49H32M18SJ-25:B

기술 ::	DRAM
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	휘발성 물질
Factory Stock ::	0
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메모리 통합 회로 MT53B512M64D4PV-062 WT:C TR

메모리 통합 회로 MT53B512M64D4PV-062 WT:C TR

기술 ::	SDRAM - 모바일 LPDDR4
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	휘발성 물질
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	-

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메모리 통합 회로 MT28FW512ABA1LJS-0AAT TR

메모리 통합 회로 MT28FW512ABA1LJS-0AAT TR

기술 ::	플래시 -도 또한
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	60 나노 초

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메모리 통합 회로 MT49H16M36SJ-25:B

메모리 통합 회로 MT49H16M36SJ-25:B

기술 ::	DRAM
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	휘발성 물질
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	-

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메모리 통합 회로 MT49H16M36SJ-25 IT:B

메모리 통합 회로 MT49H16M36SJ-25 IT:B

기술 ::	DRAM
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	휘발성 물질
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	-

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메모리 통합 회로 MT28FW01GABA1HJS-0AAT TR

메모리 통합 회로 MT28FW01GABA1HJS-0AAT TR

기술 ::	플래시 -도 또한
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	60 나노 초

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메모리 통합 회로 N25Q064A13EW7D0E

메모리 통합 회로 N25Q064A13EW7D0E

기술 ::	플래시 -도 또한
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	비휘발성입니다
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	8ms, 5ms

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메모리 통합 회로 MT49H16M36SJ-18:B TR

메모리 통합 회로 MT49H16M36SJ-18:B TR

기술 ::	DRAM
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	휘발성 물질
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	-

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메모리 통합 회로 MT49H32M18SJ-25:B TR

메모리 통합 회로 MT49H32M18SJ-25:B TR

기술 ::	DRAM
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	휘발성 물질
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	-

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메모리 통합 회로 EDB4432BBBJ-1DAIT-F-D

메모리 통합 회로 EDB4432BBBJ-1DAIT-F-D

기술 ::	SDRAM - 모바일 LPDDR2
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	휘발성 물질
Factory Stock ::	0
쓰기 주기 시간 - 단어, 페이지::	-

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메모리 통합 회로 MT49H16M18CSJ-25 IT:B TR

메모리 통합 회로 MT49H16M18CSJ-25 IT:B TR

기술 ::	DRAM
상품 카테고리 ::	메모리 ics
기억 영역형 ::	휘발성 물질
Factory Stock ::	0
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